用于超高密度第一级互连的双焊接方法与流程

技术特征：

技术总结
一种装置，包括具有至少一个焊料接合焊盘的集成电路（IC）封装；具有至少一个焊料接合焊盘的管芯，其中该管芯通过管芯的至少一个焊料接合焊盘与IC封装的至少一个焊料接合焊盘之间的至少一个焊点接合到IC封装；以及IC封装与管芯之间的底部填充剂材料，其中该至少一个焊点嵌入在底部填充剂材料中，并且其中该至少一个焊点包括第一冶金和第二冶金。

技术研发人员：C.苏布拉马尼
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2018.11.16
技术公布日：2019.06.25