技术特征：
技术总结
本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其中，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括：衬底，所述衬底上设置发光外延层，所述发光外延层背离所述衬底的表面设置透明导电层，所述透明导电层背离所述发光外延层的表面设置Ag反射层，所述Ag反射层背离所述透明导电层的表面设置钝化层，所述Ag反射层包括从所述发光外延层至所述钝化层方向依次设置Ti、Ag、Ti、Al和Ti。本发明还公开了一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法。本发明提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片不仅具有较高的反射率，而且还具有较好的粘附性以及稳定性。
技术研发人员：王书宇;黄慧诗;华斌
受保护的技术使用者：江苏新广联半导体有限公司
技术研发日：2018.11.23
技术公布日：2019.03.26