技术总结
本实用新型公开一种半导体晶圆处理设备及其顶针装置，涉及半导体制造技术领域。半导体反应腔晶圆顶针装置，包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。通过本实用新型的实施例，只需要在第一环形区域和第二环形区域中导电的一个区域与导电件之间施加电压差，并检测该区域与导电件之间是否电导通即可判断出顶针的顶端是否完全缩入到顶针通道内，由此判断出顶针是否下降到位。
技术研发人员：杨正杰;吕翼君
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.09.21
技术公布日：2019.04.05