1.一种低电阻的高导电金属化薄膜，设于基材及电极之间，其特征在于，包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层设于所述基材的一侧面，所述第二导电层设于所述第一导电层另一侧表面，所述第二导电层另一侧面则与所述电极接触，用作所述第一导电层与所述电极之间的导电媒介。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第一导电层的厚度介于100nm～500nm。
3.根据权利要求2所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第一导电层的厚度为300nm。
4.根据权利要求2-3任一所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第一导电层为非结晶透明导电薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第二导电层的厚度介于25nm～150nm。
6.根据权利要求5所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第二导电层的厚度为50nm。
7.根据权利要求5-6任一所述的一种低电阻的高导电金属化薄膜，其特征在于：所述第二导电层为结晶薄膜。