技术总结
本实用新型提出一种低电阻的高导电金属化薄膜，涉及金属化薄膜技术领域，设于基材及电极之间，包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层设于所述基材的一侧面，所述第二导电层设于所述第一导电层另一侧表面，所述第二导电层另一侧面则与所述电极接触，用作所述第一导电层与所述电极之间的导电媒介。本实用新型通过第一导电层有效防止因受基材表面粗糙度而对第二导电层的导电性产生影响，并且第二导电层可有效降低薄膜结构相对电极产生的接触电阻，对导电性有明显提升。
技术研发人员：张意浓
受保护的技术使用者：厦门精伦电子有限公司
技术研发日：2018.11.24
技术公布日：2019.06.11