一种薄膜电阻的制作方法

本实用新型属于薄膜电阻技术领域，特别涉及一种薄膜电阻。

背景技术：

薄膜电阻是印制电路板中较高端产品，通过光成像、药水蚀刻等一系列复杂流程，在制作出线路的同时，制作出一定尺寸的电阻膜面积，并且具备电阻元器件的相同功能，省去了安装器件的SMT，并且不占用印制电路板空间。如图1所示，成型后的薄膜电阻示意图，薄膜电阻阻值计算公式为

R＝R方＊L/W

其中，R为电阻阻值，R方为薄膜电阻工艺方阻，L为薄膜电阻长，W为薄膜电阻宽。

制作的电阻精度无法满足当前电子设备行业精密度日益严苛的需要。

当前行业内有一种激光微调电阻，设计方案如下：

在成型的电阻上，从电阻边缘开始激光烧蚀出L型路径，形成含有L型沟道2的薄膜电阻，如图2所示，电阻等效于两个梯形电阻12和一个矩形电阻11的串联，如图3。在制作中，通过电阻的计算R＝R方＊[L1/W1+(L－L2)/(W－W1)＊ln(W/W1)]，设置L1、L2、W1参数，得到最终需要的电阻阻值。

但是，该结构的电阻存在一些缺陷，比如，调整后的电阻，L1、W1均受到电阻尺寸蚀刻精度、激光设备精度限制，在实际应用中由于图形偏位、激光对位偏位问题，导致L1、W1与设计值存在偏差，最终导致调整后的电阻阻值与预期不符。

技术实现要素：

本实用新型提供了一种薄膜电阻，结构简洁，精度高。

本实用新型的技术方案为：

一种薄膜电阻，其特征在于：所述薄膜电阻上设置有若干个孔或斑。

进一步地，所述孔或斑的数量为单个或双个、或矩阵个，其中，双个孔或斑的中心连接线平行于薄膜电阻的长或宽，矩阵个孔或斑中每相邻的两个孔或斑的连接线平行于薄膜电阻的长或宽。

进一步地，所述斑为光斑或蚀斑。

进一步地，薄膜电阻上的孔或斑的直径相同。

本实用新型的有益效果为：薄膜电阻上设置的孔或斑使薄膜电阻的精度更好，同时本结构薄膜电阻方便制作和调整。

附图说明

图1为原始成型后的薄膜电阻示意图；

图2为现有技术的薄膜电阻L型切割示意图；

图3为现有技术中按照图2的L型切割的等效电阻示意图；

图4为本实用新型的成型电阻上加工一个直径为D的光斑的电阻结构示意图；

图5为本实用新型的含有激光矩阵光斑的薄膜电阻结构示意图。

具体实施方式

下面参考附图并结合实施例对本实用新型进行详细说明。需要说明的是在不冲突的情况下，以下各实施例及实施例中的特征可相互组合。

一种薄膜电阻，所述薄膜电阻上设置有若干个孔或斑3。

所述孔或斑的数量为单个或双个、或矩阵个，其中，双个孔或斑的中心连接线平行于薄膜电阻的长或宽，矩阵个孔或斑中每相邻的两个孔或斑的连接线平行于薄膜电阻的长或宽。所述斑为光斑或蚀斑。薄膜电阻上的孔或斑的直径相同。

图4所示，为含有一个光斑的薄膜电阻，薄膜电阻与原始电阻的变化量分析如下：

当在成型电阻上加工一个直径为D的光斑，可以看成是烧蚀掉一个等大的并联电阻，电阻可看成R2、R3并联后与R1、R4串联组成电阻。即电阻有效长度(线路到线路距离)不变，电阻某段有效宽度变小，电阻值相应增大。

调整后的电阻值R＇

R＇＝R1+R2*R3/(R2+R3)+R4

将以下公式代入上式

R1＝R方*L1/W

R2＝R方*D/W1

R3＝R方*D/(W-W1)

R4＝R方*(L-L1)/W

得

R＇＝R方*L/W+R方*D²/[W*(W-D)]

即电阻变化量为

△R＝R＇-R＝R方*D²/[W*(W-D)]

由此可看出，光斑烧蚀在电阻内任何区域，电阻变化量只与材料本身的方阻、光斑直径以及电阻的宽度有关。

图5为含有矩阵光斑的薄膜电阻，当烧蚀为矩阵时，同理

△R＝R方*x*y*D²/[W*(W-yD)]。

其中，R方为薄膜电阻工艺方阻，x为电阻长方向上孔、斑的数量，y为电阻宽方向上孔、斑的数量，D为孔或斑的直径，W为薄膜电阻宽。

所以此结构的薄膜电阻可以做到调整的精度更高，不易受其他因素的影响。

以上所属实施例仅表达了本实用新型的集中实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。