一种LED封装光源结构的制作方法

本实用新型涉及LED封装技术领域，特别是一种LED封装光源结构。

背景技术：

现有的芯片级封装CSP 包含倒装芯片与封装胶体，封装胶体覆盖于倒装芯片上。现有封装技术存在的缺点：现有的芯片级封装CSP结构为一层结构，且因现在使用的封装胶体折射率为≧1.5，而空气折射率为1.0；当光源由LED发光层产生后，首先经过发光芯片(折射率n1=2.2)，再经过封装胶体(折射率n2≧1.5)，发射到空气(折射率n3=1.0)，因LED发光芯片的折射率大于封装胶体（n1>n2），由斯涅尔定律可知，光在发光芯片与封装胶体的接口处，产生全反射的机会增大，这样减少光通量的输出。

技术实现要素：

为克服上述问题，本实用新型的目的是提供一种LED封装光源结构，能有效减缓全反射机会，得以提升光通量。

本实用新型采用以下方案实现：一种LED封装光源结构，包括散热基板，所述散热基板上固定有倒装芯片，所述倒装芯片上封装有苯基硅胶层，且所述苯基硅胶层的折射率n≧1.5，所述苯基硅胶层上封装有缓冲硅胶层，所述缓冲硅胶层采用甲基硅胶或变性树脂制成，且缓冲硅胶层的折射率n≧1.4。

进一步的，所述倒装芯片为红色LED倒装芯片、绿色LED倒装芯片、或者蓝色LED倒装芯片。

进一步的，所述苯基硅胶层和倒装芯片的截面形成一凸字形。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型因增加第二层折射率1.4的缓冲硅胶层，减少因倒装芯片与苯基硅胶层折射率差异, 有效减缓全反射机会, 得以提升光通量。

附图说明

图1是本实用新型的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

请参阅图1所示，本实用新型提供了一种LED封装光源结构，包括散热基板1，所述散热基板1上固定有倒装芯片2，所述倒装芯片2上封装有苯基硅胶层3，且所述苯基硅胶层3的折射率n≧1.5，所述苯基硅胶层3上封装有缓冲硅胶层4，所述缓冲硅胶层4采用甲基硅胶或变性树脂制成，且缓冲硅胶层的折射率n≧1.4。其中，变性树脂可以为EPU变性环氧树脂、变性硅树脂或者聚乙烯醇变性树脂。增加折射率n≧1.4的缓冲硅胶层，减少因倒装芯片与苯基硅胶层折射率差异,该缓冲硅胶层折射率介于苯基硅胶层3与空气之间，以此进行折射率的递减，减少全反射发生的机会，提高光通量。

另外，在本实用新型中，所述倒装芯片为红色LED倒装芯片、绿色LED倒装芯片、或者蓝色LED倒装芯片。该倒装芯片根据实际需要进行设置颜色。所述苯基硅胶层和倒装芯片的截面形成一凸字形。这样能更有效减少全反射发生的机会。

总之，本实用新型因增加第二层折射率1.4的缓冲硅胶层，减少因倒装芯片与苯基硅胶层折射率差异, 有效减缓全反射机会, 得以提升光通量。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。