1.一种半桥封装结构，包括引线框架（1）、第一引脚（2）、第二引脚（3）、第三引脚（4）、第一二极管芯片（6）、第二二极管芯片（7）、铜粒（8）、第一跳片（9）、第二跳片（10）、黑胶体、塑封体（11），其特征在于，每个引线框架（1）分别对应一个第一引脚（2）和一个第三引脚（4），每个引线框架（1）上设置有两个基岛（5）及由引线框架（1）引出的一个第二引脚（3），两基岛（5）上分别对应设置有第一二极管芯片（6）、第二二极管芯片（7），所述第一二极管芯片（6）的P面朝向基岛（5），第一二极管芯片（6）的P面通过铜粒（8）与基岛（5）相连接，第一二极管芯片（6）的N面通过第一跳片（9）与第一引脚（2）相连接，所述第二二极管芯片（7）的N面设置在基岛（5）上，第二二极管芯片（7）的P面通过第二跳片（10）与第三引脚（4）相连接，所述引线框架（1）上的两二极管芯片与第一引脚（2）和第三引脚（4）呈一一对应关系，所述黑胶体包裹基岛（5）、铜粒（8）、第一二极管芯片（6）、第二二极管芯片（7）、第一跳片（9）、第二跳片（10）形成塑封体（11）。
2.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述第二二极管芯片（7）的P面与第二跳片（10）之间设置有铜粒（8），第二二极管芯片（7）的P面依次通过铜粒（8）、第二跳片（10）与第三引脚（4）相连接。
3.根据权利要求2所述的半桥封装结构，其特征在于，所述铜粒（8）与第一二极管芯片（6）的P面或第二二极管芯片（7）的P面之间均以面与面接触的形式相连接，并采用锡膏或焊片焊接相连。
4.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述第二跳片（10）下表面设置有凸点，第二跳片（10）通过凸点与第二二极管芯片（7）的P面相接触连接。
5.根据权利要求4所述的半桥封装结构，其特征在于，凸点与第二二极管芯片（7）的P面之间以面与面接触的形式相连，并采用锡膏或焊片焊接相连。
6.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述引线框架（1）上的第二引脚（3）设置在第一引脚（2）和第三引脚（4）之间。
7.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述第一二极管芯片（6）的N面与第一跳片（9）、第二二极管芯片（7）的N面与基岛（5）之间均通过锡膏或焊片焊接相连。
8.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，第一跳片（9）表面与第一引脚（2）的相连处设置有下凹的凸台（12），第一跳片（9）端部设置有一组卡设在第一引脚（2）两侧的折弯（13），第二跳片（10）表面与第三引脚（4）的相连处设置有下凹的凸台（12），第二跳片（10）端部设置有一组卡设在第三引脚（4）两侧的折弯（13）。
9.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述黑胶体设置为环氧树脂胶体。
10.根据权利要求1所述的半桥封装结构，其特征在于，所述引线框架（1）采用铜框架，引线框架（1）的底部裸露在黑胶体之外。