1.电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，包括管体，管体一端伸出有导电金脚，另一端罩有帽状金属壳体，帽状金属壳体远离导电金脚的顶部安装有环状套管结构的可调金属座，可调金属座的底部向外延伸形成环状密封圈并贴紧帽状金属壳体的顶面，透镜穿在可调金属座的环状套管内且两者的相对位置可调，所述管体内正对着帽状金属壳体的表面设有热沉，热沉的上表面集成有电吸收调制激光器芯片和反射棱镜，反射棱镜的反射面正对电吸收调制激光器芯片的出光方向的度角的斜面，电吸收调制激光器芯片发出的激光光束经反射棱镜的该反射面反射后进入上方的透镜形成主光路。
2.根据权利要求1所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，帽状金属壳体的顶部设有密封玻璃。
3.根据权利要求2所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，密封玻璃为自管体顶面向内部凹陷的圆环状内凹，可调金属座的环状套管的内圈对准密封玻璃的圆环状内凹且与其同轴。
4.根据权利要求1或3所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，透镜安装在可调金属座内，透镜一端对准反射棱镜，另一端吸附于管体上端的真空吸附结构，该真空吸附结构对准耦合光纤的入光口。
5.根据权利要求4所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，所述真空吸附结构包括真空吸嘴，真空吸嘴的上端用于固定耦合光纤的入光口，真空吸嘴的下端设有用于吸附所述透镜的真空吸附口，真空吸嘴的侧边设有用于实现抽真空的气管吸附口。
6.根据权利要求1所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，电吸收调制激光器芯片的背光方向贴装有背光探测器。
7.根据权利要求1所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，所述热沉的底部设有冷却散热装置，该冷却散热装置连接有设置在热沉上的热敏电阻作为温度探测器。
8.根据权利要求1所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，所述管体和帽状金属壳体之间为同轴电阻焊接。
9.根据权利要求1所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，所述热沉上设有载体过渡模块，包括焊盘和第一引脚，所述第一引脚一方面通过焊盘与电吸收调制激光器芯片正向极连接，另一方面分别经去耦电阻连接到作为外扩充区域的预留安装位。
10.根据权利要求8所述的电吸收调制密封激光器的同轴有源封装结构，其特征在于，所述热沉载体过渡模块包括老化工作线位。