用于用非晶硅膜对高深宽比沟槽进行间隙填充的两步工艺的制作方法

本公开的示例总体涉及半导体制造工艺，更具体地，涉及用非晶硅膜对半导体器件的高深宽比沟槽进行间隙填充的方法，以及由此形成的器件。

相关技术的描述

对于许多半导体器件制造工艺，需要填充具有大于例如10∶1的高深宽比的窄沟槽，而没有空隙。这种工艺的一个示例是浅沟槽隔离(sti)，其中膜需要具有高品质并在整个沟槽中具有很少的泄漏。随着半导体器件结构的尺寸持续减小而深宽比持续增大，后固化工艺变得越来越困难并产生在整个被填充的沟槽中的具有不同组成的膜。

常规地，已经将非晶硅(a-si)用在半导体制造工艺中，因为a-si一般相对于其它膜(诸如氧化硅(sio)和非晶碳(a-c))提供了良好的蚀刻选择性。然而，常规的a-si沉积方法(诸如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)和保形沉积)不能用于对高深宽比沟槽进行间隙填充，因为高深宽比沟槽中形成了缝隙。缝隙包括侧壁之间的沟槽中形成的间隙，其在后固化工艺期间进一步打开并最终导致产量降低或甚至半导体器件失效。此外，a-si的pecvd一般也导致在沟槽的底部处的空隙，这也可导致器件性能降低或甚至失效。

因此，需要可以提供无缝膜生长的用于对半导体器件的高深宽比沟槽进行间隙填充的方法。

技术实现要素：

提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在所述保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大所述可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过所述保形硅沉积和所述可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现在特征之间的无缝间隙填充。

在一个示例中，公开了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供基板，所述基板具有形成在所述基板的表面中的至少一个特征，所述至少一个特征具有侧壁和底表面；在所述基板表面、所述至少一个特征的所述侧壁和所述底表面之上保形地沉积硅衬垫层；用可流动硅膜来填充所述至少一个特征；以及将所述硅衬垫层和所述可流动硅膜固化以使所述硅衬垫层和所述可流动硅膜凝固并且形成基本上无缝的间隙填充物。

在另一个示例中，公开了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供基板，所述基板具有形成在所述基板的表面中的至少一个特征，所述至少一个特征具有侧壁和底表面；在所述基板表面以及所述至少一个特征的所述侧壁和所述底表面之上保形地沉积硅衬垫层，所述硅衬垫层具有小于约5％的氢浓度；用可流动硅膜来填充所述至少一个特征，所述可流动硅膜具有大于约30％的氢浓度；以及将所述硅衬垫层和所述可流动硅膜固化以使所述硅衬垫层和所述可流动硅膜凝固并且形成基本上无缝的间隙填充物，所述基本上无缝的间隙填充物具有在约10％与15％之间的氢浓度。

在又一个示例中，公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基板，所述基板具有形成在所述基板的表面中的至少一个特征，所述至少一个特征具有侧壁和底表面；保形硅衬垫层，所述保形硅衬垫层设置在所述基板表面以及所述至少一个特征的所述侧壁和所述底表面之上，所述硅衬垫层具有小于约5％的氢浓度；以及可流动硅膜，所述可流动硅膜设置在所述保形硅衬垫层之上，所述可流动硅膜具有大于约30％的氢浓度。

附图说明

为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可参考示例获得上面简要地概述的本公开的更具体的描述，其中一些示例在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本公开的典型示例并因此不应视为限制范围，因为本公开可以允许其它同等有效示例。

图1是概述根据本文所述的一个示例的方法的流程图。

图2a至图2d描绘了根据图1的方法的半导体器件的制造的阶段。

图3是根据实施方式的处理腔室的示意性剖视图。

为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同要素。此外，一个示例的要素可以有利地适于用在本文所述的其它示例中。

具体实施方式

提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在特征的侧壁和基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过保形硅沉积和可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现在特征之间的无缝间隙填充。

图1是概述用于用非晶硅膜对半导体器件的高深宽比沟槽进行间隙填充的方法100的流程图。图2a至图2d描绘了根据图1的方法100的半导体器件200的制造的阶段。下面根据如图2a至图2d所示的用非晶硅膜对半导体器件200的高深宽比沟槽进行间隙填充的阶段来描述方法100。以下的描述将涉及在基板上形成的高深宽比沟槽；然而，本文所述的方法也适用于在其它半导体器件特征之间的间隙填充。特征一般具有任何合适的形状，包括但不限于沟槽和柱形通孔。一般来讲，“特征”表示任何有意的表面不规则处。特征的合适示例包括但不限于：具有一个顶部、两个侧壁和一个底部的沟槽；具有一个顶部和两个侧壁的尖峰。特征可以具有任何合适的深宽比，或者说是特征的深度与特征的宽度的比率。在一些示例中，深宽比大于或等于约5∶1、10∶1、15∶1、20∶1、25∶1、30∶1、35∶1或40∶1。

方法100开始于操作102，在操作102处，将在其中具有多个特征212(示为沟槽)的基板210定位在处理腔室内。处理腔室可以包括沉积腔室，诸如可从加利福尼亚州圣克拉拉市应用材料公司(appliedmaterials，inc.ofsantaclara，california)获得的沉积腔室。基板210可以是任何合适的尺寸，例如，200mm或300mm基板，并且可以由例如硅、锗和它们的组合形成。特征212从基板表面213延伸了深度(d)到达底表面214。特征212具有限定特征212的宽度(w)的第一侧壁216和第二侧壁218。如图2a所示，基板210具有多个特征212；设想的是，基板210可以具有一个或多于一个特征212，或具有与所示的不同的其它特征。

方法100在操作104处继续，其中在特征212中，更具体地，在基板表面213、底表面214、第一侧壁216和第二侧壁218之上，保形地沉积硅衬垫层220，如图2b所示。在一个示例中，硅衬垫层220沉积在基板表面213、底表面214、第一侧壁216和第二侧壁218上并与基板表面213、底表面214、第一侧壁216和第二侧壁21接触。硅衬垫层220一般包括具有小于约百分之(％)6(诸如约小于约5％)的氢(h)浓度的非晶硅。

在一个示例中，通过热化学气相沉积(cvd)沉积硅衬垫层220。热cvd工艺一般通过将基板表面213暴露于第一前驱物并将热量供应到处理环境以激活第一前驱物来开始。第一前驱物一般包括甲硅烷(sih4)、乙硅烷(si2h6)、丙硅烷(si3h8)和丁硅烷(si4h10)中的一种或多种。第一前驱物的流率一般在约每分钟10标准立方厘米(sccm)与约1000sccm之间。在用于沉积硅衬垫层220的热cvd工艺期间，处理环境中的温度一般在约300摄氏度(℃)与约500℃之间，并且压力一般在约10托与约600托之间。使用嵌入处理腔室的基板支撑件中的电阻加热器来提供用于加热处理环境和/或基板210的热能。然而，可以另外地或替代地使用其它加热机构，诸如灯。

尽管关于使用热cvd的沉积描述了硅衬垫层220，但是也设想了其它沉积工艺。在另一个示例中，通过原子层沉积(ald)沉积硅衬垫层220。

保形沉积的硅衬垫层220一般具有合适的厚度，以覆盖特征212的基板表面213、底表面214、第一侧壁216和第二侧壁218，同时留下用于在下面描述的第二沉积工艺期间沉积附加量的非晶硅的空间。在特征212具有约20纳米(nm)的宽度(w)的示例中，硅衬垫层220一般具有约8nm的厚度，使得在沉积在第一侧壁216和第二侧壁218上的硅衬垫层220之间存在4nm的空间。在一个示例中，沉积在第一侧壁216和第二侧壁218上的硅衬垫层的组合厚度是宽度(w)的约90％或更小，诸如宽度(w)的约80％或更小，诸如宽度(w)的75％或更小、宽度(w)的70％或更小、宽度(w)的65％或更小、宽度(w)的60％或更小。在另一个示例中，沉积在第一侧壁216和第二侧壁218上的硅衬垫层的组合厚度在宽度(w)的约90％-50％、诸如宽度(w)的约85％-60％、例如宽度(w)的约85％-70％的范围内。

在操作106处，用可流动硅膜222来填充特征212，如图2c所示。在一个示例中，可流动硅膜222沉积在硅衬垫层220上并与硅衬垫层220接触。可流动硅膜222一般包括具有大于约30％的氢(h)浓度的非晶硅。可流动硅膜222填充特征212中的剩余空间，使得在特征212中基本上不形成缝隙。可流动硅膜222可以通过任何合适的工艺沉积。

在一个示例中，通过pecvd工艺沉积可流动硅膜222。pecvd工艺可以在与硅衬垫层220相同或不同的处理腔室中形成。pecvd工艺一般通过将基板表面213暴露于反应气体开始，反应气体通常包括一种或多种物质。例如，反应气体一般包括第二前驱物和等离子体气体，其用作第一前驱物的稀释剂或载气。第二前驱物一般包括甲硅烷(sih4)、乙硅烷(si2h6)、丙硅烷(si3h8)和丁硅烷(si4h10)中的一种或多种。等离子气体通常包括氦(he)、氩(ar)、氢(h2)、氪(kr)、氮气(n2)、氧气(o2)、臭氧(o3)或氨(nh3)中的一种或多种。

等离子体可以在处理腔室内产生或点燃(例如，原位等离子体)，或可以在处理腔室外产生并流入处理腔室(例如，远程等离子体)。用于点燃等离子体的射频(rf)功率一般在约10瓦(w)与约200瓦之间。在用于沉积可流动硅膜的pecvd工艺期间，处理环境中的温度一般在约-100℃与约50℃之间，并且压力一般在约1托与约10托之间。

可流动硅膜222一般具有合适的厚度，以填充特征212中的剩余空间。在上面讨论的其中特征212具有约20nm的宽度(w)的示例中，可流动硅膜222一般具有约4nm的厚度，以提供在特征212中的无缝间隙填充。

在沉积可流动硅膜222之后，在操作108处，将硅衬垫层220和可流动硅膜222固化以凝固并形成基本上无缝的间隙填充层224，如图2d所示。示例固化处理包括热固化和紫外固化。然而，也设想到其它合适的固化技术。

在一个示例中，硅衬垫层220和可流动硅膜222的非晶硅通过将硅衬垫层220和可流动硅膜222暴露于热固化工艺(诸如在约100℃至约1000℃之间的温度下的腔室内热固化工艺或快速热处理(rtf)处理方法)。更具体地，当在腔室中发生热固化时，温度一般在约100℃与约500℃之间，并且当所述工艺是rtf工艺时，温度在约800℃与约1000℃之间，诸如900℃。

在另一个示例中，通过将硅衬垫层220和可流动硅膜222暴露于uv固化工艺来将硅衬垫层220和可流动硅膜222的非晶硅固化。在uv固化工艺期间的温度一般在约10℃与约400℃之间。uv固化工艺可以进行达任何合适的时间量，例如小于或等于10分钟。

在又一个示例中，通过将硅衬垫层220和可流动硅膜222暴露于等离子体固化工艺来将硅衬垫层220和可流动硅膜222的非晶硅固化。用于固化非晶硅膜的等离子体暴露包括与用于沉积可流动硅膜222的pecvd工艺示例中使用的等离子体分开的等离子体暴露。在一个示例中，等离子体物质与上述示例性pecvd工艺中使用的等离子体物质相同。在另一个示例中，等离子体物质可以是不同的等离子体物质。在使用电容耦合等离子体(ccf)源的示例中，等离子体功率在约100w与约1000w之间。在使用电感耦合等离子体(icp)源的示例中，等离子体功率在约2000w与约10000w之间。

在操作108的固化工艺之后，硅衬垫层220和可流动硅膜222成为一个均匀的间隙填充层224。作为固化操作的结果，可流动硅膜222的氢浓度因氢脱气而从大于百分之30减小到小于百分之20，诸如在百分之15-20之间。可流动硅膜222的氢浓度的降低提高了可流动硅膜的品质。在固化工艺期间，硅衬垫层220的氢浓度保持在小于百分之6，诸如小于百分之5。因此，均匀的间隙填充层224具有提高的品质，同时减少或消除了空隙和缝隙。

在形成硅衬垫层220和可流动硅膜222之前和/或之后，基板210一般经历附加的处理操作。例如，基板210可以经历附加的退火或固化工艺、沉积工艺、蚀刻工艺、电镀工艺等。

图3是根据一个实施方式的处理腔室300的示意性剖视图。示例性处理腔室可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司获得。应当理解，下面描述的腔室是示例性腔室，并且其它腔室(包括来自其它制造商的腔室)可以与本公开的各方面一起使用或进行修改以实现本公开的各方面。

等离子体处理腔室300包括腔室主体302、基板支撑组件305和与基板支撑组件305相对地定位的气体分配组件304，并且它们之间限定工艺容积306。气体分配组件被配置为将气体均匀地分配到等离子体处理腔室300的工艺容积306中，以促进膜沉积到定位在基板支撑件305上的基板310上。气体分配组件304包括气体入口通道317，气体入口通道317将气体从气流控制器320输送到悬置在吊板319上的气体分配歧管318中。气体分配歧管318包括多个孔或喷嘴(未示出)，在处理期间，气体混合物通过所述多个孔或喷嘴注入工艺容积306中。气体分配组件304可以连接到rf回路322，以允许施加到基板支撑件308的rf能量在工艺容积306内产生电场，所述电场用来产生用于处理基板310的等离子体。接地322可以替代地为rf供应。电源320可以提供dc能量源，而电源321可以提供rf能量源，以促进等离子体的产生和/或对基板310的吸紧。

基板支撑组件305包括基板支撑件308、基部315、将基部315连接到基板支撑件108的杆314、以及驱动系统303。基板支撑组件305设置在等离子体处理腔室300的内部容积内。基板支撑件308具有支撑基板310的上表面309和用于将杆314安装到基板支撑件308的下表面311。基板支撑件308通过耦接到位于腔室主体302外部的驱动系统303的杆314可移动地设置在工艺容积306中。杆314和基部315连接到驱动系统303和波纹管(未示出)，以允许基板支撑件308升高、降低和/或旋转。

在处理期间，根据上述方面，将工艺气体提供到处理腔室300以沉积膜。

上述工艺(诸如保形沉积、可流动沉积和固化工艺)可以在单个腔室(诸如可从加利福尼亚州圣克拉拉市应用材料公司获得的腔室)中执行，或者上述工艺可在包括执行各个功能的多个腔室的群集工具(诸如可从加利福尼亚州圣克拉拉市应用材料公司获得的)的各个腔室中执行。

本公开的实施方式提供用于对半导体器件中的高深宽比沟槽进行间隙填充的高品质非晶硅膜。非晶硅间隙填充是无缝的，总体具有在约10％与约15％之间的低氢浓度，并且因此具有高硅密度。这种无缝高密度非晶硅间隙填充得到改进的蚀刻选择性。例如，所公开的硅间隙填充的蚀刻选择性大于氧化硅(sio)的蚀刻选择性。此外，无缝高密度非晶硅间隙填充减少或消除高深宽比沟槽中的空隙，从而提高整体器件性能。更具体地，本文所述的方法包括两种硅沉积工艺，即保形硅沉积，接着是可流动硅沉积。虽然可流动硅产生无缝间隙填充，但是可流动硅具有更大的氢浓度，这导致了在固化时收缩。通过执行两个沉积工艺，所得器件的间隙填充具有增大的硅密度、提高的均匀性，并且是无缝的。

虽然前述内容针对的是本公开的示例，但是可以在不脱离本公开的基本范围的情况下设计本公开的其它和进一步示例，并且本公开的范围由所附权利要求确定。