技术特征：
技术总结
本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氧化物层、多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层、所述氧化物层和所述衬底；在所述衬底上形成浅沟槽；清洗所述浅沟槽；向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，在刻蚀完浅槽隔离之后清洗浅沟槽去除聚合物，防止聚合物挥发污染其它没有进行刻蚀的晶圆，并且还能防止在后续的步骤中产生影响晶圆刻蚀的颗粒，最终，提升晶圆刻蚀的质量。
技术研发人员：陈宏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2019.01.22
技术公布日：2019.04.19