技术特征：
技术总结
本公开涉及图像传感器及其制造方法。提供一种图像传感器，包括衬底，该衬底具有形成在衬底中的至少一个像素单元。每个像素单元包括浮置扩散结构，该浮置扩散结构包括：第一浮置扩散区，形成在衬底中邻近上表面处；第二浮置扩散区，形成在衬底中第一浮置扩散区的下方，并且与第一浮置扩散区物理地隔开，其中，衬底为第一掺杂类型，第一浮置扩散区和第二浮置扩散区为第二掺杂类型；以及控制部。该控制部包括：栅极，嵌入在衬底中并且从衬底的上表面起向下延伸；以及栅极电介质层，形成在衬底中并且围绕栅极的底壁和侧壁。其中，栅极经由栅极电介质层与第一浮置扩散区和第二浮置扩散区邻接，以用于控制第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的连通和断开。
技术研发人员：黄增智;倪凌云;黄晓橹
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2019.02.18
技术公布日：2019.06.14