技术总结
本申请公开了一种光栅式的面入射型光探测器，包括：衬底；光栅主动层，设于所述衬底上，所述光栅主动层包括多个光栅凸起；所述衬底上靠近所述光栅主动层的上表层形成掺杂层，所述掺杂层包括多个交替排列的P型掺杂电极和N型掺杂电极，相邻的P型掺杂电极和N型掺杂电极之间具有未掺杂硅区域；所述光栅凸起覆盖所述未掺杂硅区域和所述未掺杂硅区域两侧的P型掺杂电极的一侧和N型掺杂电极的一侧。本申请采用光学光栅式的增强吸收层和硅层接触电极的设计，实现了面入射的光耦合方式，避免了波导式光探测器受光耦合器限制的问题，实现了高速、低暗电流、低损耗、偏振不敏感的高灵敏度光探测器，而且具有更大的光接收角度。
技术研发人员：曾治国;陈国良;李显尧;孙雨舟;萧越
受保护的技术使用者：苏州旭创科技有限公司
技术研发日：2019.03.06
技术公布日：2020.09.15