技术特征：
技术总结
一种阵列基板及其制作方法。该方法包括：形成第一薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、第一栅极、第一漏极和第一源极；形成第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层、第二栅极、第二漏极和第二源极；以及形成介质层，其中，所述介质层将所述第一半导体层与所述第二半导体层间隔开；所述方法还包括：对同一膜层进行处理以利用所述同一膜层形成所述第一栅极、所述第一漏极和所述第一源极三者中的至少之一、所述第二栅极、所述第二漏极和所述第二源极三者中的至少之一以及所述介质层，以减少成膜次数和构图次数，从而简化阵列基板的制作工艺。
技术研发人员：宫奎;董必良;段献学;张志海
受保护的技术使用者：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2019.03.25
技术公布日：2019.06.14