技术总结
提供了三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：外围电路结构，设置在下基底上并且包括内部外围垫部；上基底，设置在外围电路结构上；堆叠结构，设置在上基底上并且包括栅极水平图案；竖直沟道结构，在上基底上的第一区中穿过堆叠结构；第一竖直支撑结构，在上基底上的第二区中穿过堆叠结构；以及内部外围接触结构，穿过堆叠结构和上基底并且电连接到内部外围垫部，其中，第一竖直支撑结构的上表面设置在与竖直沟道结构的上表面不同的水平上并且与内部外围接触结构的上表面共面。
技术研发人员：杨韩光;孙龙勋;康文综;权赫镐;安圣洙;李昭润
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.05.17
技术公布日：2020.01.24