技术特征：
技术总结
本发明涉及SiC功率器件领域，尤指一种新型SiC功率器件高温退火保护膜的制备方法。首先,对注入离子和去除掩膜的SiC样片进行标准清洗；然后，采用CVD法在SiC样片表面制备双层碳膜；最后,将制成的双层碳膜进行高温退火，使得双层碳膜重构成双层石墨烯；便可得到本发明所述的SiC功率器件高温退火保护膜。本发明以SiC衬底为原材料在其表面制备高质量石墨烯，使其作为SiC功率器件离子注入后高温退火的保护膜；本发明的石墨烯保护膜制备工艺简单，并且具有较佳的保护效果，不污染设备。此外，本发明所制备得到的保护膜为双层石墨烯，不但表面光滑、致密，而且纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护SiC晶圆衬底高温退火激活过程中的表面形貌。
技术研发人员：杨良
受保护的技术使用者：深圳爱仕特科技有限公司
技术研发日：2019.05.30
技术公布日：2019.08.16