技术总结
一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有沟道叠层和横跨沟道叠层的栅极结构，沟道叠层包括牺牲层和沟道层；在栅极结构两侧的沟道叠层内形成凹槽；横向刻蚀凹槽露出的牺牲层，形成剩余牺牲层；在剩余牺牲层露出的沟道层中形成源漏掺杂区；在基底上形成层间介质层；刻蚀源区一侧的层间介质层，露出源区所对应沟道层的表面；刻蚀漏区一侧的层间介质层，露出漏区所对应沟道层的表面；在源区所对应沟道层表面形成第一金属硅化物层；在漏区所对应沟道层表面形成第二金属硅化物层；形成包覆第一金属硅化物层的第一导电插塞、包覆第二金属硅化物层的第二导电插塞。本发明降低第一导电插塞、第二导电插塞与源漏掺杂区的接触电阻。掺杂区的接触电阻。掺杂区的接触电阻。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2019.07.30
技术公布日：2021/2/1