一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法与流程

本发明属于针对单颗ic盖印的方法，涉及一种利用激光切割针对假片内单颗ic芯片进行盖印的方法。

背景技术：

在ic芯片中，需要对ic芯片进行镭射盖印，对于在一条wafer大板上盖印，只能镭射同一盖印内容，如同一条大板需要镭射不同的盖印则需要用用胶带遮住不同盖印内容的区域，对同一种盖印内容的ic区域进行盖印，待该区域的盖印完成后，再对下一种盖印内容的ic区域进行盖印，依次类推。

如同一条大板需要进行多种盖印，则需要反复且多次使用胶带遮住部分盖印区域，进行多次不同内容的镭射盖印，工作量巨大；如大板为90颗ic，需要盖印20种不同的内容，则最少需要8个小时时间完成。

反复进同一条大板进行多次盖印，很容易遮住需要盖印区域或未遮住不需盖印区域，造成盖印错误或者盖印不全。

技术实现要素：

针对背景技术所提到的问题，本发明要解决的技术问题是提供一种利用激光切割针对假片内单颗ic芯片进行盖印的方法，可对单颗ic进行盖印，2.优化流程，减少单颗盖印的盖印时间。

本发明的一种利用激光切割针对假片内单颗ic芯片进行盖印的方法，本方法针对wafer上进行不同ic盖印内容使用，包括如下步骤：

s1：对wafer进行激光切割，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗ic放置孔；

s2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多ic，在wafer的背面粘上胶带，制成单颗ic的盖印治具；

s3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的ic孔位进行切除后，放入单颗ic的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗ic。

具体的，所述激光切割设备为激光汽化切割、激光熔化切割、激光氧气切割中的一种或多种。

具体的，所述盖印治具以s1中切掉的wafer为基底，并在wafer底部贴上胶带形成，盖印治具具有成型的ic放置孔，所述ic放置孔可以是8个或8个以上。

具体的，所述盖印工站盖印方式为镭射盖印。

具体的，所述步骤s1中，如需对单颗ic进行盖印，在步骤s2无需贴胶带。

具体的，所述步骤s1中描述的单颗ic防治孔切割尺寸根据ic实际大小确定。

本发明的优点:

1.可对单颗ic进行盖印，不需要贴胶带，不会造成盖印错误或盖印不全。

2.优化流程，减少单颗盖印的盖印时间，如大板为90颗，需要20种不同盖印内容，可从8个小时缩短为1个小时的工作时间。

3.单颗ic的治具，几乎不需要成本，公司内的假片即可制作，还可根据不同ic的尺寸制作，适用于几乎所有不同尺寸的ic。

附图说明

为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为单颗ic盖印治具制做流程。

图2为盖印方法示意图。

具体实施方式

如图1-图2所示，一种利用激光切割针对假片内单颗ic芯片进行盖印的方法，针对wafer上进行不同ic盖印内容使用，包括如下步骤：

s1：对wafer进行激光切割，激光切割设备为激光汽化切割、激光熔化切割、激光氧气切割中的一种或多种，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗ic放置孔，参见图1，在wafer上通过激光切割切割出目标ic的尺寸，可在wafer的任意位置按等间距尺寸进行切割，形成ic放置孔；

s2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多ic，在wafer的背面粘上胶带，如需对单颗ic进行盖印，在本步骤无需贴胶带，粘上胶带后制成单颗ic的盖印治具，盖印治具具有成型的ic放置孔，ic放置孔可以是8个或8个以上；

s3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，盖印工站盖印方式为镭射盖印，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的ic孔位进行切除后，放入单颗ic的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗ic。

具体的，所述步骤s1中描述的单颗ic防治孔切割尺寸根据ic实际大小确定。

利用上述方式，可以对单颗ic进行盖印，不会造成盖印错误或盖印不全，同时相比现有的技术方式，优化了流程，减少单颗盖印的盖印时间，如ic大板为90颗，需要盖印20种不同内容，可从8个小时缩短为1个小时的工作时间。

同时，单颗ic的治具，几乎不需要成本，公司内的假片即可制作，还可根据不同ic的尺寸制作，适用于几乎所有不同尺寸的ic。

上面所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的构思和范围进行限定。在不脱离本发明设计构思的前提下，本领域普通人员对本发明的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本发明的保护范围，本发明请求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用，包括如下步骤：S1：对wafer进行激光切割，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔；S2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC，在wafer的背面粘上胶带，制成单颗IC的盖印治具；S3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的IC孔位进行切除后，放入单颗IC的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。

技术研发人员：栗甲婿;董想
受保护的技术使用者：沛顿科技（深圳）有限公司
技术研发日：2019.07.31
技术公布日：2019.11.05