技术特征：
1.一种功率模块，其特征在于，包括：至少一个功率器件以及围绕所述功率器件的隔离沟槽；其中，所述功率器件至少包括沿所述功率模块厚度方向上，设置在所述功率模块一侧的第一金属电极以及设置在所述功率模块另一侧的第二金属电极；所述隔离沟槽沿所述功率模块厚度方向上至少从所述第一金属电极延伸至所述第二金属电极。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率器件包括绝缘栅型场效应晶体管和/或逆导型绝缘栅双极型晶体管。3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述功率器件为绝缘栅型场效应晶体管时，所述第一金属电极为漏极，所述第二金属电极为源极；所述功率器件为逆导型绝缘栅双极型晶体管时，所述第一金属电极为集电极，所述第二金属电极为发射极。4.根据权利要求1或3所述的功率模块，其特征在于，所述功率器件还包括设置在所述第二金属电极同一侧的第三金属电极，所述隔离沟槽沿所述功率模块厚度方向上至少从所述第一金属电极延伸至所述第三金属电极。5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述第三金属电极为栅极。6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述至少一个功率器件呈矩阵排布；所述功率器件之间通过所述隔离沟槽彼此隔离。7.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述隔离沟槽包括第一隔离沟槽以及第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽以所述功率器件为中心呈内外嵌套排布。8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽的形状相同和/或宽度相等。9.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述隔离沟槽内填充有氧化物。10.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块为智能功率模块ipm的逆变模块。