1.铜基微同轴结构，其特征在于，包括：
矩形外导体，设有容腔，两端分别设有与所述容腔连通的微同轴接口；
两个内导体段，分别位于两个所述微同轴接口内部，且与所述微同轴接口的内壁隔绝；
阻抗匹配段，设于所述容腔内，中部与所述矩形外导体的内壁连接，两端分别与两个所述内导体段对接，用于传递微波信号以及将所述内导体段的热量传递至所述矩形外导体。
2.如权利要求1所述的铜基微同轴结构，其特征在于：所述微同轴接口内设有用于支撑所述内导体段的支撑体。
3.如权利要求1所述的铜基微同轴结构，其特征在于，所述阻抗匹配段包括：
第一阶层，设于所述矩形外导体的内部底壁，且位于两个所述微同轴接口的连线上；
第二阶层，连接于所述第一阶层的顶面，且所述第二阶层的两端分别与两个所述内导体段对接。
4.如权利要求3所述的铜基微同轴结构，其特征在于：所述第二阶层的厚度等于所述第一阶层的厚度，所述第二阶层的面积大于所述第一阶层的面积。
5.如权利要求1所述的铜基微同轴结构，其特征在于：所述矩形外导体为沿其自身中心线的轴对称结构；所述阻抗匹配段为以两个所述微同轴接口中心的连线的垂直平分线为中心线的轴对称结构。
6.如权利要求5所述的铜基微同轴结构，其特征在于：所述矩形外导体上设有多个槽口，且所述槽口与所述容腔连通。
7.如权利要求6所述的铜基微同轴结构，其特征在于：所述槽口位于所述矩形外导体的各个顶角位置，以及所述矩形外导体沿其长度方向的各个棱边的中点位置。
8.微同轴传输线路，其特征在于：包括微同轴线以及串接于所述微同轴线上的一个或多个如权利要求1-7任一项所述的铜基微同轴结构。
9.铜基微同轴结构的制备方法，用于获得如权利要求1-7任一项所述的铜基微同轴结构，其特征在于，包括以下步骤：
在基片上通过微机械加工方式制备第一铜层作为所述矩形外导体的底壁；
在所述第一铜层的顶面通过微机械加工方式制备第二铜层；其中，所述第二铜层包括所述矩形外导体的侧壁图形以及所述阻抗匹配段下半部分的结构图形，图形区域以外保留光刻胶；
在所述第二铜层的顶面通过微机械加工方式制备第三铜层；其中，所述第三铜层包括所述矩形外导体的侧壁图形、两个所述内导体段的结构图形以及所述阻抗匹配段上半部分的结构图形，图形区域以外保留光刻胶；
在所述第三铜层的顶面通过微机械加工方式制备第四铜层；其中，所述第四铜层为所述矩形外导体的侧壁图形，图形区域以外保留光刻胶；
在所述第四铜层的顶面通过微机械加工方式制备第五铜层作为所述矩形外导体的顶壁，获得完整的铜基微同轴结构。
10.如权利要求9所述的铜基微同轴结构的制备方法，其特征在于，在所述第二铜层的顶面通过微机械加工方式制备第三铜层之前，还包括：在所述第三铜层顶面的两端分别通过涂胶、光刻制作用于支撑所述内导体段的支撑体；
在获得完整的铜基微同轴结构之后，还包括：将所述光刻胶进行溶解释放，获得空气腔铜基微同轴结构。