1.一种设备，包括：
提供大于限定的导热率水平的导热率的基底；
在所述基底的顶表面上的一条或多条薄膜线，包括蒸发的合金；以及
所述基底中的一个或多个通孔，其中所述一个或多个通孔的各个第一端连接到相应的薄膜连接器，并且所述一个或多个通孔的各个第二端连接到电接地。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述基底包括选自由蓝宝石、熔融二氧化硅、石英、氧化镁(mgo)和砷化镓(gaas)组成的组的材料。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述一条或多条薄膜线包括选自由铜和镍铬合金(nicr)组成的组的合金。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中，所述一条或多条薄膜线包括包含百分之七十的镍和百分之三十的铬的合金。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述一个或多个通孔包括铜。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述设备包括一个或多个电阻器，并且其中，所述各个薄膜连接件和所述一个或多个通孔从所述一个或多个电阻器去除热电子。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述基底的所述导热率水平在每米每开氏温度(w/m/k)大约100至200瓦特的范围内。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，还包括接地平面，其中，所述基底在所述接地平面上方。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的设备，其中，所述设备是在低温环境中使用的微波衰减器设备。
10.一种方法，包括：
在基底的顶面上蒸发合金以形成一条或多条薄膜线，其中所述基底提供的导热率水平大于限定的导热率水平；
在所述基底中形成一个或多个通孔；
将所述一个或多个通孔的相应的第一端连接到相应的薄膜连接器；以及
将所述一个或多个通孔的相应第二端电接地。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基底包括选自由蓝宝石、熔融二氧化硅、石英、氧化镁(mgo)和砷化镓(gaas)组成的组的材料。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，在所述基底的顶表面上蒸发所述合金包括蒸发选自铜和镍铬合金(nicr)的材料，以形成所述一条或多条薄膜线。
13.根据权利要求10或11所述的方法，其中，在所述基底的顶表面上蒸发所述合金包括蒸发包括百分之七十的镍和百分之三十的铬的所述合金。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，还包括蒸发所述一个或多个通孔内的铜。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，还包括在所述基底上形成一个或多个电阻器，并且其中，所述各个薄膜连接器和所述一个或多个通孔从所述一个或多个电阻器去除热电子。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的方法，其中，所述基底的导热率水平在每米每开氏温度(w/m/k)约100至200瓦特的范围内。
17.根据权利要求10至16中的任一项所述的方法，还包括：
提供接地平面，其中所述基底位于所述接地平面上方。
18.一种微波衰减器设备，包括：
提供大于限定的导热率水平的导热率的基底；
在所述基底的顶表面上的一条或多条薄膜线，包括蒸发的合金；以及
所述基底中的一个或多个通孔，其中所述一个或多个通孔的各个第一端连接到相应的薄膜连接器，并且所述一个或多个通孔的各个第二端连接到电接地。
19.根据权利要求18所述的微波衰减器设备，其中，所述基底包括选自由蓝宝石、熔融二氧化硅、石英、氧化镁(mgo)和砷化镓(gaas)组成的组的材料。
20.根据权利要求18或19所述的微波衰减器设备，其中，所述一条或多条薄膜线包括选自由铜和镍铬合金(nicr)组成的组的合金，并且其中，所述一个或多个通孔包括铜。