1.一种形成制品的方法，所述方法包括：
在晶片的通孔内插入传导性材料，其中，所述传导性材料包含第一合金，所述第一合金包括第一金属和第二金属；和
使传导性材料与包含第三金属的离子的溶液接触，其中，第三金属的离子从第一合金伽伐尼置换一部分的第二金属，以与第一金属形成第二合金。
2.如权利要求1所述的方法，其中，晶片包括玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷或硅。
3.如权利要求1和2中任一项所述的方法，其中，第一金属包含in和w中的至少一种。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，第二金属包含zn、sn、bi、pb、fe和mn中的至少一种。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，第三金属包含cu、ag、au、co、pt、ni、pd和cr中的至少一种。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，第一金属与晶片化学结合。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，第一金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.05v。
8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，第一金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.10v。
9.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，第三金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.15v。
10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，第三金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.50v。
11.如权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，第二合金在通孔中形成了盖层，所述盖层从通孔的入口延伸到小于或等于约20μm的深度。
12.如权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，第二合金在通孔中形成了盖层，所述盖层从通孔的入口延伸到小于或等于约10μm的深度。
13.如权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，第二合金具有比第一合金更高的熔化温度。
14.一种形成制品的方法，所述方法包括：
在晶片的通孔内插入导电材料，其中，所述导电材料包含第一合金，所述第一合金包括第一金属和第二金属；
向导电材料施涂包含第三金属的离子的溶液；以及
使一部分的第一合金与一部分的第三金属的离子进行伽伐尼交换，以形成与导电材料接触并且包含第二合金的盖层，其中，第三金属的标准还原势比第二金属的标准还原势大至少0.15v。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述盖层密封通孔的入口。
16.如权利要求14和15中任一项所述的方法，其中，导电材料的熔化温度为约100℃至约300℃。
17.如权利要求14-16中任一项所述的方法，其中，插入导电材料包括：将导电材料定位成与通孔的大部分上的通孔表面直接接触。
18.如权利要求14-17中任一项所述的方法，其中，在通孔内定位导电材料包括：对导电材料和晶片中的至少一者进行超声振动。
19.如权利要求14-18中任一项所述的方法，其中，插入导电材料包括：在通孔内插入导电材料，使得导电材料填充通孔的约95％或更大的体积。
20.一种形成制品的方法，所述方法包括：
形成从玻璃晶片的表面延伸到玻璃晶片的主体中的通孔；
在通孔内插入包含in和第二金属的导电材料；
向导电材料和晶片的表面施涂包含第三金属的离子的溶液；以及
使一部分的第三金属的离子与一部分的导电材料进行伽伐尼交换，以形成与导电材料接触的盖层，所述盖层在晶片表面附近密封通孔，其中，一部分的导电材料与第三金属之间的交换的电池电势大于或等于约0.3v。
21.如权利要求20所述的方法，所述方法还包括：
将包含导电材料和盖层的晶片加热到导电材料的熔化温度以上的温度。
22.如权利要求20和21中任一项所述的方法，其还包括：
增加盖层的厚度。
23.如权利要求22所述的方法，其中，增加盖层的厚度包括：在盖层上电镀以增加盖层的厚度。
24.如权利要求22所述的方法，其中，增加盖层的厚度包括：在盖层上物理气相沉积以增加盖层的厚度。