芯片亮度值测试的方法及系统与流程

本发明涉及光电
技术领域：
，特别是涉及一种芯片亮度值测试的方法及一种芯片亮度值测试的系统。
背景技术：
：典型的圆片上的倒装芯片在全波段亮度校正后按照亮度值范围贴在蓝膜上形成不同的方片，方片上芯片的亮度值整体出现低亮度值测试偏低，高亮度值测试偏高的现象，这种现象主要来自于相邻芯片在圆片与方片上的距离差异，将芯片按照在圆片上测试的亮度值分类贴在蓝膜上形成方片上之后，无法保证同一亮度范围的方片上的芯片的亮度值的一致性，这会影响终端客户使用产品的效果。技术实现要素：基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的芯片亮度值测试的方法及一种新的芯片亮度值测试的系统。一种芯片亮度值测试的方法，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述方法包括：分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值，所述第一圆片上形成有a个芯片；将所述第一圆片上的a个芯片排列在方片上；分别测试方片上所述b个芯片的亮度得到第二组亮度值；根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值，得到所述b个芯片对应的测试差值；对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；根据第一曲线和所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取所述方片上的芯片m的第二亮度值；其中，所述a个芯片包括所述b个芯片，a大于等于b，所述b个芯片不包括芯片m，所述方片上排列的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片。在其中一个实施例中，根据第一曲线和所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取所述方片上的芯片m的第二亮度值的步骤包括：根据第一曲线和第一亮度值获得所述芯片m对应的测试差值；根据第一亮度值和所述芯片m对应的测试差值获得所述方片上的芯片m的第二亮度值。在其中一个实施例中，所述a个芯片包括所述芯片m，分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值的步骤包括：分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值；测试所述第一圆片上的芯片m的亮度得到第一亮度值。在其中一个实施例中，对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线的步骤包括：使用最小二乘法对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取所述第一曲线。在其中一个实施例中，所述第一曲线和所述测试差值中保留的小数点后的位数的差值大于等于0。在其中一个实施例中，所述芯片亮度值测试的方法用于倒装芯片的亮度测试。上述芯片亮度值测试的方法，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述方法包括：分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值，所述第一圆片上形成有a个芯片；将所述第一圆片上的a个芯片排列在方片上；分别测试方片上所述b个芯片的亮度得到第二组亮度值；根据所述第二组亮度值和所述第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值，得到所述b个芯片对应的测试差值；对所述第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；根据所述第一曲线和所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取所述方片上的芯片m的第二亮度值；其中，所述a个芯片包括所述b个芯片，所述a大于等于所述b，所述b个芯片不包括所述芯片m，所述方片上排列的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片。本申请的技术方案通过分别测试获得b个芯片在第一圆片上和方片上的亮度获得第一组亮度值和第二组亮度值，根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值，得到所述b个芯片对应的测试差值，对第一组亮度值和所述测试差值进行二次拟合获得芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线，根据所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值和所述第一曲线即可获得所述方片上的芯片m的第二亮度值，通过第一曲线和测试得到的芯片在圆片上亮度值即可获得将芯片放置在方片上的亮度值，根据获得的芯片的方片上的亮度值将圆片上的芯片贴在不同的方片上，消除了相邻芯片在圆片与方片上的距离差异对圆片上芯片的亮度值的影响，解决了方片上芯片的亮度值整体出现低亮度值测试偏低，高亮度值测试偏高的问题。一种芯片亮度值测试的系统，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述系统包括：测试模块，所述测试模块用于测试圆片和方片上的芯片的亮度后得到对应的亮度值；设置模块，所述设置模块用于设置需要测试模块进行测试的第一圆片上的b个芯片的位置和方片上所述b个芯片的位置；计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试得到的第一组亮度值和第二组亮度值，并根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片的测试值获得对应测试值的比值作为所述b个芯片的测试差值；所述计算模块还用于对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；所述计算模块还用于根据所述第一曲线和方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取方片上的芯片m的第二亮度值；其中，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片，所述第一圆片上形成有a个芯片，所述a个芯片包括所述b个芯片，所述a大于等于所述b，所述b个芯片不包括所述芯片m，所述方片上的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，第一组亮度值为第一圆片上的所述b个芯片的亮度值，第二组亮度值为所述方片上所述b个芯片的亮度值。在其中一个实施例中，所述测试模块还用于测试所述芯片m在圆片上的亮度值，所述设置模块还用于设置所述芯片m在圆片上的位置。在其中一个实施例中，所述设置模块还用于设置所述计算模块使用最小二乘法进行所述第一曲线的拟合。在其中一个实施例中，设置差值大于等于0的两个数值分别作为所述计算模块获取的所述第一曲线和测试差值中保留的小数点后的位数。上述芯片亮度值测试的系统，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述系统包括：测试模块，所述测试模块用于测试圆片和方片上的芯片的亮度后得到对应的亮度值；设置模块，所述设置模块用于设置需要测试模块进行测试的第一圆片上的b个芯片的位置和方片上所述b个芯片的位置；计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试得到的第一组亮度值和第二组亮度值，并根据所述第二组亮度值和所述第一组亮度值中各个芯片的测试值获得对应测试值的比值作为所述b个芯片的测试差值；所述计算模块还用于对所述第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；所述计算模块还用于根据所述第一曲线和方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取方片上的芯片m的第二亮度值；其中，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片，所述第一圆片上形成有a个芯片，所述a个芯片包括所述b个芯片，所述a大于等于所述b，所述b个芯片不包括所述芯片m，所述方片上的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，第一组亮度值为所述第一圆片上的b个芯片的亮度值，第二组亮度值为所述方片上所述b个芯片的亮度值。本申请的技术方案测试模块获得b个芯片在第一圆片上和方片上的亮度获得第一组亮度值和第二组亮度值，计算模块根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片的测试值获得对应测试值的比值作为所述b个芯片的测试差值，进而对第一组亮度值和所述测试差值进行二次拟合获得芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线，计算模块根据所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值和所述第一曲线即可获得所述方片上的芯片m的第二亮度值，计算模块通过第一曲线和得到的测试模块测得的芯片在圆片上亮度值即可获得将芯片放置在方片上的亮度值，根据计算模块获得的芯片的方片上的亮度值将圆片上的芯片贴在不同的方片上，消除了相邻芯片在圆片与方片上的距离差异对圆片上芯片的亮度值的影响，解决了方片上芯片的亮度值整体出现低亮度值测试偏低，高亮度值测试偏高的问题。附图说明图1为一实施例中芯片亮度值测试的方法的流程图；图2为一实施例中芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线的示意图；图3为一实施例中测试差异和计算差异的示意图；图4为一实施例中分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值的流程图；图5为一实施例中根据第一曲线和所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取所述方片上的芯片m的第二亮度值的流程图。具体实施方式为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的
技术领域：
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。典型的圆片上的倒装产品在全波段亮度校正后，会出现低亮度测试偏低、高亮度测试偏高现象，这种现象是点测校正方案方式及圆片与方片晶粒间的距离差异产生的。如图1所示，在一个实施例中，提供一种芯片亮度值测试的方法，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述方法包括：s102，分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值。第一圆片上形成有a个芯片，在第一圆片上的a个芯片中任意选取b个芯片后，分别测试所述b个芯片的亮度得到由b个测试值组成的第一组亮度值，其中，a大于等于b。s104，将所述第一圆片上的a个芯片排列在方片上。具体为，对第一圆片进行划片操作后得到a个单颗的芯片，将获得的a个单颗芯片排列在方片上，所述方片上排列的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同。在一个实施例中，所述方片上排列的芯片数量大于a，即方片上排列有其他圆片上的芯片。s106，分别测试方片上所述b个芯片的亮度得到第二组亮度值。分别测试所述b个芯片排列在方片上之后的亮度得到由b个测试值组成的第二组亮度值。s108，获取所述b个芯片对应的测试差值。根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值，得到所述b个芯片对应的测试差值，具体为，假设b个芯片分别为芯片b1、芯片b2、芯片b3......芯片bb，分别从第二组亮度值和第一组亮度值中提取出芯片b1的亮度测试值l1和l1’后，获得芯片b1的测试差值m1＝l1/l1’，同理获得芯片b2的测试差值m2＝l2/l2’，芯片b3的测试差值m3＝l3/l3’，芯片bb的测试差值mb＝lb/lb’，即获得所述b个芯片对应的测试差值m1、m2、m3……mb。s110，通过二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线。对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合，获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线。芯片第一组亮度值/mw第二组亮度值/mw测试差值芯片1618.40582.530.941995472芯片2615.70582.330.945801527芯片3613.10582.000.94927418芯片4608.80581.790.955634034芯片5603.50581.720.963910522芯片6600.70581.530.968087232芯片7599.80581.380.969289763芯片8597.50581.140.972619247芯片9595.90580.930.974878335芯片10593.40580.470.978210313芯片11591.40580.130.980943524芯片12587.30580.000.987570237芯片13584.50579.990.992284003芯片14583.50579.880.993796058芯片15582.60579.840.995262616芯片16580.10579.540.999034649芯片17579.40579.441.000069037芯片18573.10576.401.005758157芯片19571.20575.201.007002801表一如表一所示，在一实施例中，以b＝19对获取第一曲线的过程进行说明，第一步，在第一圆片上随机选取19颗芯片作为获取第一曲线过程中的芯片1-芯片19，分别测试第一圆片上芯片1-芯片19的亮度得到第一组亮度值；第二步，将第一圆片上的芯片排列在方片上，其中，方片上排列的相邻芯片之间的间距相同；第三步，测量排列在方片上之后芯片1-芯片19的亮度得到第二组亮度值；第四步，分别取芯片1-芯片19在方片和第一圆片上的亮度的测量值(即第二组亮度值和第一组亮度值中芯片对应的测量值)后，计算获得芯片在方片上亮度的测量值和在第一圆片上亮度的测量值的比值后组成测试差值；第五步，对芯片1-芯片19对应的第一组亮度值和测试差值进行二次拟合，获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线，获取的第一曲线，参见图2，横坐标为芯片的圆片亮度值，纵坐标为芯片的测试差值，获取的第一曲线的一元二次函数为y＝-0.0000034558x2+0.0026704346x+0.6112502257，可信度r2＝0.9976936252，其中，二次函数中二次项、一次项的系数和常数保留的小数点后的位数大于等于测试差值保留的小数点后的位数。表二s112，根据第一曲线和所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取所述方片上的芯片m的第二亮度值。所述b个芯片不包括芯片m，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片。如表二所示，通过表一的测试数据获取在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线y＝-0.0000034558x2+0.0026704346x+0.6112502257后，将芯片1-芯片19对应的第一组亮度值带入第一曲线函数后得到芯片1-芯片19的测试差值的计算值，根据测试差值的计算值获取由芯片1-芯片19对应的方片上的亮度的计算值第三组亮度值，分别比较芯片1-芯片19在方片上的亮度的测试值第二组亮度值与第一组亮度值和第三组亮度值的差异，得到测试差异和计算差异，比较测试差异和计算差异可知，第二组亮度值与第一组亮度值的亮度值差异明显，亮度值的波动范围达到5.8％，第二组亮度值与第三组亮度值的亮度值差异不明显，亮度值的波动范围小于等于0.21％，如图3所示为表二中测试差异和计算差异对应的图示。如图3所示，通过第一曲线计算获取芯片1-芯片19的第三组亮度值与测试获取的芯片1-芯片19的第二组亮度值的差异很小，假设第三圆片上形成的芯片的结构和排布与第一圆片相同，测试第三圆片上的芯片的亮度后根据第一曲线获取芯片在方片(该方片上相邻芯片之间的间距与芯片1-芯片19所在的方片上的相邻芯片之间的间距相同)上的亮度值x’后，根据x’将亮度值在同一范围内的芯片分选在同一个方片上，与测试圆片上的芯片的亮度后根据测试获取的亮度将亮度值在同一范围内的方片分选在同一个方片上获取的方片相比，通过第一曲线计算之后得到的方片上的芯片之间的亮度差异较小，有效提升了亮度在在同一范围内的方片上的芯片亮度的一致性，降低客户的使用风险，提升产品核心竞争力。如图4所示，在一个实施例中，所述a个芯片包括所述芯片m，步骤s102包括：s202，分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值。s204，测试所述第一圆片上的芯片m的亮度得到第一亮度值。如图5所示，在一个实施例中，步骤s112包括：s302，根据第一曲线和第一亮度值获得所述芯片m对应的测试差值。s304，根据第一亮度值和所述芯片m对应的测试差值获得所述方片上的芯片m的第二亮度值。在一个实施例中，步骤s110包括：使用最小二乘法对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取所述第一曲线。在一个实施例中，所述第一曲线和所述测试差值中保留的小数点后的位数的差值大于等于0，即第一曲线中二次项、一次项的系数和常数保留的小数点后的位数大于等于测试差值保留的小数点后的位数。在一个实施例中，所述芯片亮度值测试的方法用于倒装芯片的亮度测试。上述芯片亮度值测试的方法，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述方法包括：分别测试第一圆片上b个芯片的亮度得到第一组亮度值，所述第一圆片上形成有a个芯片；将所述第一圆片上的a个芯片排列在方片上；分别测试方片上所述b个芯片的亮度得到第二组亮度值；根据所述第二组亮度值和所述第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值，得到所述b个芯片对应的测试差值；对所述第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；根据所述第一曲线和所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取所述方片上的芯片m的第二亮度值；其中，所述a个芯片包括所述b个芯片，所述a大于等于所述b，所述b个芯片不包括所述芯片m，所述方片上排列的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片。本申请的技术方案通过分别测试获得b个芯片在第一圆片上和方片上的亮度获得第一组亮度值和第二组亮度值，根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值，得到所述b个芯片对应的测试差值，对第一组亮度值和所述测试差值进行二次拟合获得芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线，根据所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值和所述第一曲线即可获得所述方片上的芯片m的第二亮度值，通过第一曲线和测试得到的芯片在圆片上亮度值即可获得将芯片放置在方片上的亮度值，根据获得的芯片的方片上的亮度值将圆片上的芯片贴在不同的方片上，消除了相邻芯片在圆片与方片上的距离差异对圆片上芯片的亮度值的影响，解决了方片上芯片的亮度值整体出现低亮度值测试偏低，高亮度值测试偏高的问题。一种芯片亮度值测试的系统，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述系统包括：测试模块，所述测试模块用于测试圆片和方片上的芯片的亮度后得到对应的亮度值。设置模块，所述设置模块用于设置需要测试模块进行测试的第一圆片上的b个芯片的位置和方片上所述b个芯片的位置。计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试得到的第一组亮度值和第二组亮度值，并根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片的测试值获得对应测试值的比值作为所述b个芯片的测试差值；所述计算模块还用于对第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；所述计算模块还用于根据所述第一曲线和方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取方片上的芯片m的第二亮度值。其中，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片，所述第一圆片上形成有a个芯片，所述a个芯片包括所述b个芯片，所述a大于等于所述b，所述b个芯片不包括所述芯片m，所述方片上的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，第一组亮度值为第一圆片上的所述b个芯片的亮度值，第二组亮度值为所述方片上所述b个芯片的亮度值。在一个实施例中，所述测试模块还用于测试所述芯片m在圆片上的亮度值，所述设置模块还用于设置所述芯片m在圆片上的位置。在一个实施例中，所述设置模块还用于设置所述计算模块使用最小二乘法进行所述第一曲线的拟合。在一个实施例中，所述设置模块还用于设置差值大于等于0的两个数值分别作为所述计算模块获取的所述第一曲线和测试差值中保留的小数点后的位数。在一个实施例中，所述芯片亮度值测试的系统用于测试倒装芯片的亮度值。上述芯片亮度值测试的系统，用于获取形成方片后芯片的亮度值，所述系统包括：测试模块，所述测试模块用于测试圆片和方片上的芯片的亮度后得到对应的亮度值；设置模块，所述设置模块用于设置需要测试模块进行测试的第一圆片上的b个芯片的位置和方片上所述b个芯片的位置；计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试得到的第一组亮度值和第二组亮度值，并根据所述第二组亮度值和所述第一组亮度值中各个芯片的测试值获得对应测试值的比值作为所述b个芯片的测试差值；所述计算模块还用于对所述第一组亮度值和所述b个芯片对应的测试差值进行二次拟合获取芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线；所述计算模块还用于根据所述第一曲线和方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值获取方片上的芯片m的第二亮度值；其中，所述圆片上形成的芯片的结构和芯片的排布与所述第一圆片相同，所述圆片包括所述第一圆片，所述第一圆片上形成有a个芯片，所述a个芯片包括所述b个芯片，所述a大于等于所述b，所述b个芯片不包括所述芯片m，所述方片上的芯片的结构相同且相邻芯片之间的间距相同，第一组亮度值为所述第一圆片上的b个芯片的亮度值，第二组亮度值为所述方片上所述b个芯片的亮度值。本申请的技术方案测试模块获得b个芯片在第一圆片上和方片上的亮度获得第一组亮度值和第二组亮度值，计算模块根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片的测试值获得对应测试值的比值作为所述b个芯片的测试差值，进而对第一组亮度值和所述测试差值进行二次拟合获得芯片在第一圆片上的亮度值和芯片对应的测试差值之间的第一曲线，计算模块根据所述方片上的芯片m在圆片上的第一亮度值和所述第一曲线即可获得所述方片上的芯片m的第二亮度值，计算模块通过第一曲线和得到的测试模块测得的芯片在圆片上亮度值即可获得将芯片放置在方片上的亮度值，根据计算模块获得的芯片的方片上的亮度值将圆片上的芯片贴在不同的方片上，消除了相邻芯片在圆片与方片上的距离差异对圆片上芯片的亮度值的影响，解决了方片上芯片的亮度值整体出现低亮度值测试偏低，高亮度值测试偏高的问题。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。当前第1页12