一种电致发光材料及其在有机发光器件应用的制作方法

1.本发明涉及有机电致发光材料及器件，更具体地讲，涉及到逆向系间窜越热激活延迟 risc发光材料及其有机半导体发光化合物形成的薄膜在电场驱动下的发光器件。


背景技术：

2.有机电致发光器件(oled)包括形成阳极和阴极的一对电极，以及空穴注入层、发射层、电子传输层和一些其他电荷层组成的一层或多层材料，其中发射层由发光化合物掺杂剂和主体材料组成。
3.传统的有机电致发光器件(oled)是具有荧光发光材料掺杂剂的简单结构的器件，这种荧光发光oled的最大内部量子产率被广泛认为理论上被限制在25％以内，经常可定义为荧光发光材料为第一代发光材料，由其构成的发光器件称为第一代oled。
4.作为第二代发光材料，磷光材料通过利用三线态提高量子产率，被证明是oled广泛应用的发光材料掺杂剂。磷光掺杂剂基本上是贵重金属络合物，可引起金属-d轨道相互作用，其理论内部量子效率可达到100％(appl.phys.lett.，1999,75，4-6.)。
5.从此，许多高效的磷光材料被开发并应用于oled。大多数比较高效的磷光材料都包含铱金属。然而，使用铱金属、稀有金属的磷光金属络合物材料昂贵，存在制造成本问题。此外，由于配合物的配体结构依赖性，磷光发光颜色的设计灵活性也受到限制，并且铱配合物不一定是热稳定的。
6.为了解决铱络合物磷光材料昂贵问题，科学家们提出了逆向窜系(risc，reverseinter-system conversion)(us 7034454，jp 3848306，jp 3848307)发光材料，通过逆向系间窜跃(risc)过程利用三线态激子参与电致发光在理论上可实现100％最大激子利用率的特性而受到广泛的关注。在这种情况下，量子产率理论上可能达到100％，但不含贵重金属。逆向系统间窜越被定义为当三线态t
m
(m≥1)与单线态s1之间的能隙足够近时，激发子能量从三线态t
m
转移到单线态s1。因此，来自s1的荧光发射的量子产率理论上可达100％，但实际上要依据各类三线态、各类单线态，以及三线态与单线态之间跨系跃迁速率、振子强度与频率等因素有关。
7.近来，tadf(thermally activated delayed fluorescence，热活化延迟荧光)变得流行起来，它被包括在risc类别中，其中t1足够接近s1致使逆向系统间窜越成为可能。开发与研究具有快速risc过程的tadf材料被视为实现高效而且具有低效率滚降的tadf材料oled 的关键。此外，利用具有高效risc过程的tadf材料作为磷光材料的主体也被证明是可以有效降低磷光oled滚降的策略。在那种情况下，t1能级低于s1，并且允许通过热激活的逆向系间窜越risc将t1激子转换成辐射的s1激子(appl.phys.lett.，2012,101,093306.)。由于在电致发光过程中，单线态与三线态激子之间的动态平衡是由isc与risc过程共同构建的，而大部分设计的tadf材料而言，risc过程的速率常数往往比系间窜跃(isc)过程的速率常数小2到3个数量级。对于那些具有快的isc过程以及相对慢的risc过程的体系而言，抑制效率滚降事实上是难以实现的。
8.显然risc材料包含了tadf材料，具有更多的分子设计多样性，因为risc的逆向系统间窜越不仅局限于s1和较低的t1之间转换，也可以是较高能级t2，t3，t4与s1转换等。根据s1能级大小，发射出可见光，如蓝光、绿光、黄光、橙红或深红光。


技术实现要素：

9.本发明针对现有技术的上述不足，披露了一种有机发光材料及其发光器件，在至少一些实施方案中，本专利公开提供了一种有机发光器件应用，包括阳极、阴极和夹心其间至少一个如本文所述的发光化合物分子构成的的有机发光层，由此构成的类似“三明治”有机发光器件能够以热激活逆向窜系risc荧光发光获得器件性能改善，从而提供了现有蓝光荧光材料(第一代有机发光材料)替代方案、或获得类似于现有机磷光发光材料类似高发光效率但避免使用昂贵金属问题。该有机发光器件可以发出具有非常高纯度的发光色调，并且以高发光效率和足够的长寿命实现高亮度的发光，由于不含贵重金属还提供一种低成本生产的有机发光器件。
10.首先，本发明提供了一种有机电致发光二极管器件，包括：a)一个阳极；b)一个阴极；c)阳极与阴极中包含多个有机层，多个有机层中包含一个发光层，所述发光层通过电荷注入和有效的跃迁来提供发光；其跃迁是从较高的三重态激发态t
m
过渡到单重态激发态s
n
再到s1，然后从s1产生荧光，其中n和m为实数，范围是1到7。典型的有机发光器件结构如图1所示。
11.在上述的有机发光器件中，包括形成阳极和阴极的一对电极，以及包括空穴注入、传输层，发射层，电子注入、传输层等的多层结构器件，其中发射层或发光层由一种或二种主体材料和发光材料化合物组成，发光材料化合物在发光层所占摩尔比为1～45％。
12.根据所述的有机电致发光二极管器件，其特征在于所述的发光层中的发光材料由高斯计算的t
m
与s
n
之间的能隙小于0.1ev，其中三重态激发态t
m-1
比t
m
低至少0.5ev，并且单重态激发态s
n
足够接近t
m
。图2表示本发明能量转换从t4到s1转换发光机制示列。发光材料的t
m
与s
n
之间的能隙小于0.1ev使得产生的75％激发子三线态tm有可能在高于绝对零度或热激活条件下导致三线态跨系转换成单线态sn并增加发光效率；同时，t
m-1
比t
m
低至少0.5ev，有助于使三线态系内激发子t
m
转换到t
m-1
跃迁延缓，也就是增加了跨系跃迁从tm 到sn概率，从而有利于获得高效的risc发光材料。
13.根据所述的有机电致发光二极管器件，其特征在于所述的发光层中的发光材料化合物由以下通式1表示。
其中r选自烷基，氨基，取代的氨基，腈，苯基，萘基，取代的萘基，萘氧基，取代的萘氧基，蒽基，取代的蒽基，蒽氧基，取代的蒽氧基，杂环芳族化合物，取代的杂环芳族化合物；ar1和ar2选自芳环，其中芳环为单环，稠合芳环和稠合杂环芳环，例如苯基，萘基，蒽基，菲基，芴基，吡啶基，吲哚基，喹啉基，异喹啉基，吖啶基，吩嗪基和菲啶基。ar1和 ar2彼此相同或不同。ar1和ar2上的所有氢或部分氢可以被氘取代；母核上的x，y和z可以2个相同或全部相同，或者它们可以彼此不同，选自n和c；母核上的x，y和z可以2个相同或全部相同，或者它们可以彼此不同，选自si，si上将引入取代基选自烷基、苯基和取代的苯基、其中所有氢或部分氢可以被氘取代；l1与ar1和q1键合，l2与ar2和q2键合，l1和l2选自o、s、n和p；q1和q2彼此相同或不同，选自芳环、稠合芳环、稠合的杂环芳环，例如苯基、萘基、蒽基、菲基、篦基、吡啶基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、吩嗪基和嘧啶基；通式1定义的化合物的所有氢或部分氢可以被氘代替。在以上范畴内，特征化合物包括但不限于如下化合物：
14.在不违背本发明范畴，当通式1中ar1与ar2为稠和芳环时，典型的包括萘、蒽等，如下通式2所示含有蒽化合物，表现为本发明特征的性能：
其中r选自烷基，氨基，取代的氨基，腈，苯基，萘基，取代的萘基，萘氧基，取代的萘氧基，蒽基，取代的蒽基，蒽氧基，取代的蒽氧基，杂环芳族化合物，取代的杂环芳族化合物；母核上的x，y和z可以2个相同或全部相同，或者它们可以彼此不同，选自n和c；母核上的x，y和z可以2个相同或全部相同，或者它们可以彼此不同，选自si，si上将引入取代基选自烷基、苯基和取代的苯基、其中所有氢或部分氢可以被氘取代；l1与ar1和q1键合，l2与ar2和q2键合，l1和l2选自o、s、n和p；q1和q2彼此相同或不同，选自芳环、稠合芳环、稠合的杂环芳环，例如苯基、萘基、蒽基、菲基、篦基、吡啶基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、吩嗪基和嘧啶基；通式2定义的化合物的所有氢或部分氢可以被氘代替。在以上范畴内，特征化合物包括但不限于如下化合物：
15.在不违背本发明范畴，当ar1与ar2为稠合芳环时，有机发光化合物中的r连接有交联功能基团；所述的交联基团可以在加热、光能辐照下产生不溶、不融交联结构；所述的交联功能基团包括乙烯基、丙烯酸酯或三氟乙烯基。如下通式3、4、5所示化合物，表现为本发明特征的性能：
其中r选自烷基，氨基，取代的氨基，腈，苯基，萘基，取代的萘基，萘氧基，取代的萘氧基，蒽基，取代的蒽基，蒽氧基，取代的蒽氧基，杂环芳族化合物，取代的杂环芳族化合物；母核上的x，y和z可以2个相同或全部相同，或者它们可以彼此不同，选自n和c；母核上的x，y和z可以2个相同或全部相同，或者它们可以彼此不同，选自si，si上将引入取代基选自烷基、苯基和取代的苯基；l1与ar1和q1键合，l2与ar2和q2键合，l1和l2选自o、s、n和p；l3为一共价键、一碳原子小于12的烷基、一碳原子小于12的烷氧基、一碳原子小于12 的硅烷基、一碳原子小于12的芳基、一碳原子小于12的芳杂基、一碳原子小于12的稠合芳基；q1和q2彼此相同或不同，选自芳环、稠合芳环、稠合的杂环芳环，例如苯基、萘基、蒽基、菲基、篦基、吡啶基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、吩嗪基和嘧啶基；上通式定义的化合物的所有氢或部分氢可以被氘代替。
16.在以上范畴内，特征化合物包括但不限于如下化合物：
17.通式3、4、5中含有苯二乙稀、含氟苯乙烯及二丙烯酸酯可交联基团，这些化合物具有易溶于有机溶剂，使用溶液成膜后经过加热，如加热到150摄氏度或以上，能形成化学交联网络而形成不溶不融薄膜结构。有利于使用溶液打印、或溶液旋涂、喷涂等方法形成有机发光器件或显示屏，达到大面积低成本制造oled显示器，并且达到与真空蒸镀制备oled 器件类似性能指标。
18.下面详细描述本发明所述材料的有机发光器件应用。本发明的有机发光器件是一种具有至少一对电极，其中至少一个电极包括透明或半透明的阳极或阴极，并且一个或多个包含有机化合物的层在电极之间(阳极和阴极)的有机发光器件，其中，所述层的至少一层包含选自通式1表示的化合物的有机化合物。本发明的有机发光器件的优选实例如图1、图2所示。
19.事实上，所示的oled器件包括如下功能层：1：基材101；2：基材上覆盖导电铟锡氧化物涂层ito阳极101；3：发光层104；4：导电阴极107；5：空穴传输层103；6：电子传输层105；
7：电子注入层106；8：空穴注入层102；9：可能的空穴阻挡层；10：可能的电子阻挡层。
20.附图1是示出本发明的有机发光器件的实例的截面图。显然，通过条件发光层的发光化合物能带，可以调节发光颜色。因此，根据所述的有机发光器件，其特征在于所述的发光器件为波长440-500nm的蓝光，或波长为510-545nm的绿光，或波长为550-580nm的黄光，或发光器件为波长590-640nm的红光。
21.在本发明所列的有机发光层化合物其分子含有负电性含氮芳杂环，并通过共价键接芳杂环和供电性氮键接的芳胺环、或咔唑等构成，它们兼具受电性与供电性双极性本质，大抵是处于发射430－480nm的蓝光。在不违背本发明范畴，如采用更长的共轭体系，本发明的发光材料也可以是发光波长为510-550nm的绿光，或是551-580nm的黄光，甚至是581-630nm 的红光。
22.当发蓝光的发光材料中掺入能量更低的绿光、黄光、红光发光材料时，由于能量递传原理，低能量的材料优先发光，而更高能量的蓝光材料仅仅就只起到主体材料作用，或是发光敏化作用。因此，本发明的有机半导体显然也可以作为发绿光、黄光、及红光oled发光层主体材料，也就是发光层中含有本发明的有机发光材料作为主体材料，然后掺入波长更长、能量更小的绿光、黄光、红光的其它发光材料获得应用。当在双向电荷注入如此构成的发光层，产生的激发子以能量最低的发光材料发射波长。
23.在另一种情况下，发光层可以使用常用的主体材料及常用的红光、绿光或蓝光发光掺杂剂，同时在该发光层内也掺入含有本发明所述的有机半导体化合物作为能量传替的敏化材料。这种敏化功能材料半导体能级处于主体材料与发光掺杂剂之间，根据能量传递原则，注入的电子与空穴先后从发光层中主体材料依次传递到敏化材料然后到发光掺杂剂。这种阶梯式的能量传递往往可以提高器件寿命，增加器件效率。
24.为获得高效的绿光和红光oled，通常是使用三线态磷光oled材料或使用三线态发光机制的tadf发光材料。发射层含有磷光发光材料，如ir(ppy)3为绿光，或ir(piq)3作为红光掺杂剂，用2至20％的浓度发光(重量)材料，掺杂到一个主体材料中。文献或商用已开发许许多多的其它三线态红光、绿光甚至是黄光发光材料，同样可以适用于本发明范畴。
25.为获得高效的蓝光oled，通常是使用三线态磷光oled材料或使用三线态发光机制的tadf发光材料。发射层含有磷光发光材料，如改进mfirpic具有较高发光效率，但不足是寿命问题与色标问题。而使用荧光发光材料，如b6虽然效率eqe约10％，但寿命及色标基本能满足目前商用amoled要求。文献或商用已开发许许多多的其它蓝色光发光材料，同样可以适用于本发明范畴。
26.在传统的有机发光二极管芯片中，通常是采用透明导电玻璃，或镀有铟-锡氧化物ito 上蒸镀一层空穴注入层hil，然后依次一层空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl、电子注入层eil，最后加一层金属，如铝金属层，作为阳极导电及密封层。(图1)当ito接正电，铝连接负电到一定电场后，空穴从ito经hil注入和htl传输至em，而电子从铝连接的eil注入后、经过etl传输至eml。电子与空穴在eml中相遇、复合成激发子(exciton)，然后部分激发子以光辐射形式释放出能量回到基态。光辐射的波长由eml层中的发光掺杂剂的能隙决定。文献或商用已开发许许多多的其它简单或更复杂oled发光器件结构，同样可以适用于本发明范畴。
27.主体材料常用的是含咔唑或芳胺结构类材料。一种常用的已知主体材料是4,4
’-
n,n
’-ꢀ
二咔唑-联苯(cbp)：对于tadf蓝色光oled,要求的电子注入及三线态能级较高，常使用如下dpepo或 mcbp材料作为主体材料：
28.为达到优良的发光器件性能，在阳极上，可任选一空穴注入层，如酞青兰(cupc)或其他含芳氨的化合物(appl.phys.lett.,69,2160(1996)，如m-tdata。
29.同样地，在空穴注入层与发射层eml之间，还可选择一空穴传输层，如使用4,4
’-
双 [n-(1-萘基)-n-苯氨基]联苯(α-npd)
[0030]
为平衡电子与空穴的注入，提高发光效率，可任选一电子传输空穴阻挡(ethb)材料，例子是1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯tpbi，其结构为：
[0031]
在etl与阴极之间，还通常使用电子注入层。电子注入层通常是功函较低的金属鋰，氟化锂或其化合物如8-羟基喹啉鋰(liq)：
[0032]
文献或商用已开发许许多多的其它空穴注入材料、空穴传输材料、主体材料、电子传输材料、电子注入材料，激子阻挡材料，同样可以适用于本发明范畴。
[0033]
oled发光器件是一复杂的多层结构，图1为一典型的构造，但不是唯一的应用结构。其中有机半导体层的总体厚度是50-250纳米，优选总厚度为80-180纳米。本发明化合物原则上可以应用在oled复杂多层发光器件，例如在发光层与电荷传输层之间使用激子阻挡层，包括电子输送空穴阻挡，空穴传输电子阻挡层，只要满足材料的单线态及三线态大于发光材料的单线态及三线态。
附图说明
[0034]
图1为本发明的有机发光器件的实例的截面图。图2为本发明的有机发光化合物1的s、t能级(高斯dft-b3lyp/6-31g*计算)，表明t4(3.05ev)与s1(3.02ev)能级差0.03ev，具备risc发光机制。图3为本发明的有机发光化合物1(bd57)紫外-荧光光谱图(pl＝421nm，460nm)。图4为瞬态荧光光谱(bd57＝化合物1)，表明有三线态参与的热激活延迟risc发光。图5为oled电致发光光谱(el＝450nm；ciex＝0.15，y＝0.10)。
具体实施方式
[0035]
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例子对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以
在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0036]
实施例1：示例化合物1的合成方法中间体(i)的合成：在2l三颈烧瓶中加入1,3,5-三溴苯(20g，63.5mmol)，9-蒽硼酸(14.1g，63.5mmol)， pd(pph3)4(1.5g，1.27mmol)，105ml甲苯，30ml乙醇和65ml碳酸钾水溶液(2m)。所得混合物在n2保护下100℃反应5h。然后将反应混合物冷却至室温，并用水(60ml
×
3)洗涤。减压浓缩有机层，并将残余物通过硅胶柱层析法纯化，用pe-dcm(3∶1)作为洗脱剂，得到中间体(i)，收率96％。
[0037]
示例化合物1的合成：在500ml烧瓶中加入9,10-二溴蒽(6.72g，20mmol)，苯酚(2.26g，24mmol)，k2co3(3.31g，24mmol)，将100mldmf加入到烧瓶中。反应在氮气下于150℃进行6小时。然后将反应混合物冷却至室温并倒入500ml水中。过滤得滤饼，将滤饼通过硅胶柱层析法纯化，使用pe作为洗脱剂，得到中间体(ii)为黄色固体，产率56％。在250ml烧瓶中加入中间体(ii)(3.49g，10mmol)，双(频哪醇)二硼(3.05g，12mmol)， pd(oac)2(112mg，0.5mmol)，koac(2.94g，30mmol)和dmf(40ml)。将所得混合物在n2下80℃搅拌16小时。然后将反应混合物冷却至室温并倒入400ml水中。将得到的混合物过滤并将滤饼通过柱色谱法纯化，使用pe-ch2cl2(4∶1)作为洗脱剂，得到中间体(iii)，为黄色固体，收率72％。
[0038]
在250ml烧瓶中加入中间体(iii)(5.885g，14.86mmol)，中间体(i)(2.551g，6.20 mmol)，pd(oac)2(70mg，0.31mmol)，sphos(383mg，0.93))，k3po4(13.144g，62mmol)和60ml1，4-二氧六环-h2o(5：1)。将烧瓶用n2换气3次，然后将反应混合物在回流条件下搅拌24小时。
然后将反应混合物冷却至室温，并减压蒸发以除去有机溶剂。然后向残余物中加入100ml水，并将所得混合物用ch2cl2(60ml
×
3)萃取。合并有机层并在减压下蒸发，并将残余物通过硅胶柱层析法纯化，使用pe-ch2cl2(4∶1)作为洗脱剂，得到粗产物，为黄色固体，收率60％。将粗品先后用pe和ch2cl2打浆纯化，然后先用甲苯再用dmf重结晶，升华得到纯度为99.8％的化合物1(bd57)。tm＝302℃，td＝491℃(5％失重)， homo＝-5.59ev，lumo＝-2.61ev；荧光发光效率plqy＝90％(在正己烷溶液，氮气)。
[0039]
图2示出本发明的有机发光化合物1的s、t能级(高斯dft-b3lyp/6-31g*计算)，表明t4(3.05ev)与s1(3.02ev)能级差0.03ev，具备risc发光机制。图3为化合物1 的紫外-荧光光谱图(pl＝421nm，460nm)，相对眼睛为蓝色。图4为化合物1在thf溶剂中的瞬态荧光光谱(bd157＝化合物1)，使用仪器型号：nats-tcspc；激光波长：377nm；检测波长：408nm。所检测到瞬态荧光t1＝2.9ns，t2＝5.9ns，表明有三线态参与的risc发光。
[0040]
实施例2：示例化合物47的生产方法根据如下合成路线与条件，获得示例化合物47：在250ml烧瓶中加入4-氯苯乙酰腈(10g，55.7mmol)，苯甲醛(2.954g，27.8mmol)，乙酸铵(42.9g，557mmol)和乙酸(70ml)。将反应混合物在回流条件下搅拌1小时。然后将反应混合物冷却至室温，过滤，用乙酸洗，然后干燥得到中间体(iv)，为浅黄色固体，收率75％。
[0041]
将装有中间体(iv)(4.0g，9.35mmol)的250ml烧瓶冷却至0℃，然后向烧瓶中逐滴加入60mlhno
3-mecn(2：1)并保持搅拌。在0℃下反应30min，然后升至室温继续反应1小时。然后将反应液用碳酸钠中和至中性，并用二氯甲烷萃取。浓缩二氯甲烷相然后干燥得到中间体(v)，为白色固体，收率93％。
[0042]
在250ml烧瓶中加入中间体(v)(3.223g，7.58mmol)，咔唑(2.536g， 15.17mmol)，醋酸钯(85mg，0.379mmol)，sphos(468mg，1.137mmol)，叔丁醇钠(2.185g， 22.74mmol)以及30ml甲苯。将反应混合物在氮气保护回流条件下反应16个小时。将反应液冷却至室温，用二氯甲烷溶解，过滤除去不溶物，浓缩二氯甲烷溶液得化合物47粗品，黄色固体，收率88％，纯度97％。将粗品用n,n-二甲基乙酰胺(50v)重结晶两次得化合物47，为亮黄色固体，纯度99.5％。mass检测m/e＝687.2，c
49
h
29
n5计算分子量687.8；dsc检测 tg＝164℃，tm＝303℃；电化学cv检测homo＝-6.10ev，lumo＝-3.28ev；uv吸收 380nm；pl(甲苯溶液)＝475nm。
[0043]
其它化合物的合成制备：类似地，根据以上合成化学原理及通用有机多步反应基本原则，在不违背本发明范畴下，合成了如下各有机半导体材料化合物，具体所列出的化合物通过质谱验证了分子量及分子所具有的碎片，具体总结见下表1：表1：化合物合成及表征
hatcn：发光掺杂剂发光掺杂剂使用不同的主体材料与发光材料oled发光器件以便做比较。蓝光oled 使用bh：bd(5％)发光材料，绿光oled使用gh：bh(1:1混合比)：ir(mppy)3。其中各有机层及电极的真空沉积速度于时间列于表3。表3：oled器件制备条件(发光层中掺杂wt浓度9％)
[0046]
实验中所使用的已知或通用材料如下表4：表4：实验中所使用的已知或通用材料
[0047]
所制成的oled器件经过检测后性能及比较结果总结如下表5.
表5：oled器件性能(@10ma/cm2)
[0048]
以上表明相对比参照器件b0使用常用电至荧光发光掺杂材料bd，本发明所述的蓝光发光化合物1，10，18所制成大案oled发光器件b1、b2、b3表现为工作电压降低、电流发光效率提升效果。图5为化合物1作为发光掺杂材料oled在300cd/m2时的el发射光谱。同样，对比参照器件g0使用常用电至磷光发光掺杂材料ir(mppy)3，本发明所述的绿光发光化合物24，46，47，50所制成大案oled发光器件g1、g2、g3、g4表现表现为工作电压降低、电流发光效率提升效果。
[0049]
实施例6.可交联发光掺杂剂在oled器件应用实例：在一导电玻璃ito表面，经过溶剂、等离子清洗后，溶液旋涂pedot导电聚合物作为空穴注入层，使用聚(三苯胺－9.9－二庚烷芴)溶液旋涂膜作为空穴传输层，然后使用的主体材料/发光掺杂剂混合dmf溶液旋涂后(5％掺杂剂浓度)，经过氮气下加热到160℃处理30 分钟；其次使用真空蒸镀一层与ei注入层制备oled 器件。表6：oled器件性能(@10ma/cm2)
[0050]
以上表明相对比参照器件b0使用常用电至荧光发光掺杂材料bd，本发明所述的蓝光发光化合物x-2所制成oled发光器件bx1表现为工作电压降低、电流发光效率提升效果。对比参照器件g0使用常用电至磷光发光掺杂材料ir(mppy)3，本发明所述的绿光发光化合物x-9所制成oled发光器件gx1表现表现为工作电压降低、电流发光效率提升效果。
[0051]
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。