包括中介层的半导体封装的制作方法

文档序号:25236346发布日期:2021-06-01 13:08阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体封装,该半导体封装包括:

封装基板;

堆叠在所述封装基板上的下部芯片、中介层和上部芯片;以及

接合引线,所述接合引线将所述下部芯片电连接到所述封装基板,

其中,所述下部芯片包括:

第一下部芯片焊盘和第二下部芯片焊盘,所述第一下部芯片焊盘和所述第二下部芯片焊盘在所述下部芯片的上表面上彼此间隔开,并且通过所述下部芯片的内部布线而彼此电连接;

引线接合焊盘,所述引线接合焊盘在所述下部芯片的上表面上接合到所述接合引线;以及

下部芯片再分配线,所述下部芯片再分配线将所述第二下部芯片焊盘电连接到所述引线接合焊盘,

其中,所述中介层包括:

上部芯片连接焊盘,所述上部芯片连接焊盘在所述中介层的上表面上电连接到所述上部芯片;

下部芯片连接焊盘,所述下部芯片连接焊盘在所述中介层的下表面上电连接到所述第一下部芯片焊盘;以及

通孔电极,所述通孔电极将所述上部芯片连接焊盘电连接到所述下部芯片连接焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述上部芯片包括:

第一上部芯片焊盘,所述第一上部芯片焊盘设置在所述上部芯片的面向所述中介层的上表面上;以及

第二上部芯片焊盘,所述第二上部芯片焊盘在所述上部芯片的所述上表面上沿横向方向与所述第一上部芯片焊盘间隔开,

其中,所述第一上部芯片焊盘连接至所述上部芯片连接焊盘,并且所述第二上部芯片焊盘不与所述中介层电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,该半导体封装还包括:

第一凸块,所述第一凸块设置在所述第一下部芯片焊盘和所述下部芯片连接焊盘之间;以及

第二凸块,所述第二凸块设置在所述第一上部芯片焊盘和所述上部芯片连接焊盘之间。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述下部芯片直接连接并且电连接到所述封装基板,并且

其中,所述上部芯片通过所述中介层和所述下部芯片而电连接到所述封装基板。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述下部芯片包括一对所述第一下部芯片焊盘、一对所述第二下部芯片焊盘和一对所述引线接合焊盘,并且

其中,所述上部芯片包括一对第一上部芯片焊盘。

6.根据权利要求5所述的半导体封装,其中,所述下部芯片包括:

第一输入/输出电路块和第二输入/输出电路块,所述第一输入/输出电路块和所述第二输入/输出电路块分别连接到一对所述第二下部芯片焊盘;

第一地址和命令块,所述第一地址和命令块连接到所述第一输入/输出电路块;

第一数据发送电路块,所述第一数据发送电路块连接到所述第二输入/输出电路块;以及

第一存储器单元核心块,所述第一存储器单元核心块连接到所述第一地址和命令块以及所述第一数据发送电路块,并且

其中,所述上部芯片包括:

第二地址和命令块以及第二数据发送电路块,所述第二地址和命令块以及所述第二数据发送电路块分别连接到一对所述上部芯片焊盘;以及

第二存储器单元核心块,所述第二存储器单元核心块连接到所述第二地址和命令块以及所述第二数据发送电路块。

7.根据权利要求6所述的半导体封装,

其中,所述第一输入/输出电路块和所述第二输入/输出电路块分别接收所述封装基板的通过所述接合引线、所述引线接合焊盘、所述下部芯片再分配线和所述第二下部芯片焊盘而被发送的电信号;

所述第一输入/输出电路块和所述第二输入/输出电路块使用所述下部芯片的内部布线而分别将接收到的所述电信号发送到所述第一地址和命令块以及所述第一数据发送电路块;

所述第一地址和命令块以及所述第一数据发送电路块分别接收被发送的所述电信号;并且

所述第一地址和命令块以及所述第一数据发送电路块分别将接收到的所述电信号发送到所述下部芯片的所述第一存储器单元核心块。

8.根据权利要求7所述的半导体封装,

其中,所述中介层通过所述第一下部芯片焊盘接收所述封装基板的所述电信号中的一部分;

所述中介层使用所述中介层的所述内部布线将接收到的所述电信号中的一部分发送到所述上部芯片的所述第一上部芯片焊盘;

所述第二地址和命令块以及所述第二数据发送电路块分别使用所述上部芯片的内部布线接收被发送到所述第一上部芯片焊盘的所述电信号;并且

所述第二地址和命令块以及所述第二数据发送电路块分别将接收到的所述电信号发送到所述上部芯片的所述第二存储器单元核心块。

9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述中介层的边缘部分设置在从所述上部芯片和所述下部芯片的边缘部分沿横向方向凹入的位置处。

10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述上部芯片连接焊盘和所述下部芯片连接焊盘均被设置成关于所述中介层的中心轴线对称的成对焊盘。

11.根据权利要求10所述的半导体封装,其中,所述中介层包括关于所述中介层的中心轴线对称的上部左焊盘和上部右焊盘,并且包括作为下部芯片连接焊盘的下部左焊盘和下部右焊盘,所述下部左焊盘被设置为与所述上部左焊盘交叠,并且所述下部右焊盘被设置为与所述上部右焊盘交叠,以及

其中,所述上部左焊盘通过第一通孔电极而电连接到所述下部右焊盘,并且所述上部右焊盘通过第二通孔电极而电连接到所述下部左焊盘。

12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述中介层包括:

第一中介层再分配线,所述第一中介层再分配线设置在所述中介层的上表面上,并且将所述上部左焊盘电连接至所述第一通孔电极;

第二中介层再分配线,所述第二中介层再分配线设置在所述中介层的上表面上,并且将所述上部右焊盘电连接至所述第二通孔电极;

第三中介层再分配线,所述第三中介层再分配线设置在所述中介层的下表面上,并且将所述下部右焊盘电连接至所述第一通孔电极;以及

第四中介层再分配线,所述第四中介层再分配线设置在所述中介层的下表面上,并且将所述下部左焊盘电连接至所述第二通孔电极。

13.一种半导体封装,该半导体封装包括:

封装基板;

下部芯片,所述下部芯片设置在所述封装基板上并通过引线接合与所述封装基板电连接;

中介层,所述中介层设置在所述下部芯片上并包括电连接到所述下部芯片的通孔电极;以及

上部芯片,所述上部芯片设置在所述中介层上并电连接到所述通孔电极,

其中,所述上部芯片通过所述中介层和所述下部芯片电连接到所述封装基板。

14.根据权利要求13所述的半导体封装,其中,所述下部芯片包括:

第一下部芯片焊盘,所述第一下部芯片焊盘设置在所述下部芯片的上表面上,并电连接到所述通孔电极;

第二下部芯片焊盘,所述第二下部芯片焊盘在所述下部芯片的上表面上设置为与所述第一下部芯片焊盘间隔开,并通过所述下部芯片的内部布线电连接到所述第一下部芯片焊盘;

引线接合焊盘,所述引线接合焊盘在所述下部芯片的上表面上设置为与所述第一下部芯片焊盘和所述第二下部芯片焊盘间隔开,并连接到执行所述引线接合的接合引线;以及

下部芯片再分配线,所述下部芯片再分配线设置在所述下部芯片的上表面上,并且将所述第二下部芯片焊盘电连接到所述引线接合焊盘。

15.根据权利要求14所述的半导体封装,其中,所述中介层包括:

下部芯片连接焊盘,所述下部芯片连接焊盘在所述中介层的下表面上电连接到所述第一下部芯片焊盘;以及

上部芯片连接焊盘,所述上部芯片连接焊盘在所述中介层的上表面上电连接到所述上部芯片;

其中,所述通孔电极将所述下部芯片连接焊盘电连接到所述上部芯片连接焊盘。

16.根据权利要求15所述的半导体封装,其中,所述上部芯片包括上部芯片焊盘,所述上部芯片焊盘在所述上部芯片的面向所述中介层的上表面上连接到所述上部芯片连接焊盘。

17.根据权利要求13所述的半导体封装,其中,所述中介层的边缘部分设置在从所述上部芯片和所述下部芯片的边缘部分沿横向方向凹入的位置处。

18.一种半导体封装,该半导体封装包括:

封装基板;

第一堆叠结构,所述第一堆叠结构设置在所述封装基板上,所述第一堆叠结构包括第一下部芯片、第一中介层和第一上部芯片;

第二堆叠结构,所述第二堆叠结构设置在所述第一堆叠结构上,所述第二堆叠结构包括第二下部芯片、第二中介层和第二上部芯片;

第一接合引线,所述第一接合引线将所述封装基板电连接到所述第一堆叠结构的所述第一下部芯片;以及

第二接合引线,所述第二接合引线将所述封装基板电连接到所述第二堆叠结构的所述第二下部芯片,

其中,所述第一中介层包括第一通孔电极,所述第一通孔电极将所述第一下部芯片电连接到所述第一上部芯片,并且所述第二中介层包括第二通孔电极,所述第二通孔电极将所述第二下部芯片电连接到所述第二上部芯片,

其中,所述第一上部芯片通过所述第一中介层和所述第一下部芯片电连接到所述封装基板,并且

其中,所述第二上部芯片通过所述第二中介层和所述第二下部芯片电连接到所述封装基板。

19.根据权利要求18所述的半导体封装,其中,所述第一中介层的边缘部分设置在从所述第一上部芯片的边缘部分和所述第一下部芯片的边缘部分沿横向方向凹入的位置处,并且

其中,所述第二中介层的边缘部分设置在从所述第二上部芯片的边缘部分和所述第二下部芯片的边缘部分沿横向方向凹入的位置处。

20.根据权利要求18所述的半导体封装,该半导体封装还包括粘接层,该粘接层设置在所述第一堆叠结构的所述第一上部芯片和所述第二堆叠结构的所述第二下部芯片之间。


技术总结
包括中介层的半导体封装。一种半导体封装包括:封装基板,堆叠在封装基板上的下部芯片、中介层和上部芯片,以及将下部芯片电连接到封装基板的接合引线。下部芯片包括:在下部芯片的上表面上彼此间隔开的第一下部芯片焊盘和第二下部芯片焊盘,在下部芯片上表面上接合到接合引线的引线接合焊盘,以及将第二下部芯片焊盘电连接到引线接合焊盘的下部芯片再分配线。中介层包括:中介层的上表面上的上部芯片连接焊盘,中介层的下表面上的下部芯片连接焊盘以及将上部芯片连接焊盘电连接到下部芯片连接焊盘的通孔电极。

技术研发人员:严柱日;李在薰
受保护的技术使用者:爱思开海力士有限公司
技术研发日:2020.07.08
技术公布日:2021.06.01
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