技术特征：
1.一种结构，包括：第一介电层，包括具有第一侧壁和第二侧壁的沟槽；以及第一波导芯，位于该沟槽的该第一侧壁和该第二侧壁之间的该沟槽内，其中，该第一波导芯具有第一宽度，且该沟槽具有位于该第一侧壁和该第二侧壁之间的大于该第一宽度的第二宽度。2.根据权利要求1所述的结构，其中，该沟槽的该第二宽度等于将由该第一波导芯引导的光波长的约1倍至约3倍。3.根据权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯对称地位于该沟槽的该第一侧壁与该第二侧壁之间。4.根据权利要求1所述的结构，还包括：第二介电层，位于该第一介电层下方；以及第二波导芯，位于该第二介电层中。5.根据权利要求4所述的结构，其中，该第二波导芯位于该第一波导芯的正下方。6.根据权利要求4所述的结构，其中，该第二波导芯从该第一波导芯横向偏移。7.根据权利要求4所述的结构，还包括：多层堆叠，设置在该第一波导芯和该第二波导芯之间，该多层堆叠包括由第一介电材料组成的第三介电层以及由第二介电材料组成的第四介电层，该第二介电材料具有与该第一介电材料不同的组成。8.根据权利要求4所述的结构，其中，该第一波导芯由氮化硅组成。9.根据权利要求8所述的结构，其中，该第二波导芯由单晶硅组成。10.根据权利要求1所述的结构，其中，该第一介电层具有约50纳米至约500纳米的厚度。11.根据权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯由氮化硅组成。12.根据权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯位于衬底的第一区域中，且还包括：场效应晶体管，位于该衬底的第二区域中，其中，该第一介电层中的该沟槽位于该衬底的该第一区域上方，且该第一介电层位于该衬底的该第二区域中的该场效应晶体管上方。13.根据权利要求12所述的结构，其中，该第一介电层具有大约50纳米至大约500纳米的厚度。14.一种方法，包括：沉积第一介电层于衬底上方；图案化包括第一侧壁与第二侧壁的该第一介电层中的沟槽；以及形成位于该沟槽的该第一侧壁与该第二侧壁之间的该沟槽内的第一波导芯；其中，该第一波导芯具有第一宽度，且该沟槽具有位于该第一侧壁和该第二侧壁之间的大于该第一宽度的第二宽度。15.根据权利要求14所述的方法，其中，第二介电层位于该第一介电层下方，且第二波导芯位于该第二介电层中。16.根据权利要求15所述的方法，其中，该第二波导芯位于该第一波导芯的正下方。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，形成位于该沟槽的该第一侧壁和该第二侧壁之间的该沟槽内的该第一波导芯包括：沉积填充该沟槽的一层；以及图案化该层以形成该第一波导芯。18.根据权利要求17所述的方法，其中，该层由氮化硅组成。19.根据权利要求17所述的方法，其中，该第一波导芯位于该衬底的第一区域中，使用蚀刻工艺图案化该层，且还包括：形成场效应晶体管于该衬底的第二区域中，其中，该第一介电层中的该沟槽位于该衬底的该第一区域上方，且该第一介电层在该蚀刻工艺期间位于该衬底的该第二区域中的该场效应晶体管上方。20.根据权利要求14所述的方法，其中，该沟槽的该第二宽度等于将由该第一波导芯引导的光波长的约1倍至约3倍，且该第一波导芯对称地位于该沟槽的该第一侧壁和该第二侧壁之间。