技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括标记区和器件区；零层对准标记，位于所述标记区的所述衬底内，且所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述零层对准标记为损伤层，所述损伤层具有第一掺杂离子。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂离子包括p离子、si离子或ar离子的其中一种或多种组合。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述零层对准标记为改性层，所述改性层具有第二掺杂离子。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂离子包括n离子或o离子的其中一种或两种组合。6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区和器件区；对部分所述标记区的所述衬底进行离子注入，在所述标记区内形成零层对准标记，所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在部分所述标记区的所述衬底内注入第一掺杂离子，形成损伤层，所述损伤层作为零层对准标记。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂离子包括p离子、si离子或ar离子的其中一种或多种组合。9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在部分所述标记区的所述衬底内注入第二掺杂离子，形成改性层，所述改性层作为零层对准标记。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂离子包括n离子或o离子的其中一种或两种组合。11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入的工艺参数包括：离子注入剂量为1e10～1e20 atoms/cm2，注入能量为10～400kev。12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述零层对准标记之前，还包括：在所述衬底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有开口，所述开口暴露出部分所述标记区的所述衬底表面。
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括标记区和器件区；对部分所述标记区的所述衬底进行离子注入，在所述标记区内形成零层对准标记，所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，可以形成顶部表面与衬底的顶部表面齐平的零层对准标记，为后续半导体器件的形成工艺提供平坦的工艺平台，有利于提高形成的半导体结构的性能。半导体结构的性能。半导体结构的性能。
技术研发人员：郑二虎 宋佳 张冬平
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.09.21
技术公布日：2022/3/29