一种双端光电人工突触器件及其制备方法和应用与流程

[0001]
本发明涉及光电人工突触器件制备技术领域，特别是一种基于有机半导体和有机铁电聚合物的两端光电人工突触器件及其制备方法和应用。


背景技术：

[0002]
铁电体的自发极化可以通过外部电场来进行调控，在过往的研究中已有利用铁电体来制作忆阻器来模拟神经的突触功能。chanthbouala和他的研究团队在铁电隧道节中，已经证实了具有10ns运行速度和大于两个数量级的电阻变化。此外，s.boyn和他的团队在铁电隧道结中成功模拟了神经突触的脉冲时间依赖可塑性，并结合原子尺度分子动力学，证实了铁电畴开关的精确控制是导致电导发生变化的主要原因。
[0003]
现有技术的有机光电器件由上、下电极的电势差或偏置电压产生的电场所驱动，尽管极化铁电畴可能会产生定向的杂散场，但很少有人利用它们在有机器件中调控光电流。聚偏氟乙烯(pvdf)是一种铁电高聚物，具有机械强度高、耐磨、耐高温、耐腐蚀以及介电常数高等优点。p(vdf-trfe)是偏氟乙烯和三氟乙烯按照不同的比例聚合的二元共聚物，拥有比pvdf更好的铁电性。但至今尚未见有利用ppc效应和高阻易失特性，实现光兴奋和电抑制突触行为，以及采用p(vdf-trfe)作为铁电功能层来调制光电流，实现突触功能模拟的相关文献和公开技术的报道。


技术实现要素：

[0004]
本发明的目的是针对现有技术的不足而设计的一种双端光电人工突触器件及其制备方法和应用，采用高真空热蒸发技术制备的al/p[(vdf-trfe)]/cupc/au光控神经突触器件，通过有机半导体薄膜的引入，利用其具有光电性和光电导性，提高带宽，降低器件能耗和串扰的影响，极化的铁电畴可以在有机半导体内部产生较大的定向净场，且对532nm的绿光具有明显的持续光电导效应(ppc效应)。通过精确控制电压和光脉冲参数(脉宽/频率/光强/数目)，可以实现突触的stp/ltp学习记忆规则和ppf规则，利用ppc效应和高阻易失特性，实现光兴奋和电抑制突触行为，具有功耗低、低串扰、制备方法简单，成本低、易于实施、安全、环保等优点，可广泛应用于人工智能硬件和人工神经网络硬件方面的应用。
[0005]
实现本发明目的的具体技术方案是：一种双端光电人工突触器件，其特点是该人工突触器件为下电极层、有机铁电聚合物层、有机半导体层和上电极层组成具有薄膜结构的光控神经突触器件，所述下电极为al薄膜层，其厚度为5～200纳米；所述有机铁电聚合物为聚偏二氟乙烯或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜层，其厚度为10纳米～100微米；所述有机半导体层为酞菁铜薄膜层，其厚度为10纳米～100微米；所述上电极为金、银、铜、铝或铟锡氧化物的薄膜层，其厚度为5～200纳米。
[0006]
一种双端光电人工突触器件的制备方法，其特点是该人工突触器件的制备包括以下步骤：
[0007]
步骤1：衬底的清洗
[0008]
将石英玻璃依次采用食人鱼溶液、无离子水和丙酮溶液清洗，干燥后为制备薄膜层器件的衬底，所述食人鱼溶液中浸泡三十分钟，去除表面的有机物后放入无离子水中超声15分钟，然后在丙酮溶液中超声15分钟，最后将石英玻璃放入烘箱中于60℃下干燥。
[0009]
步骤2：下电极的制备
[0010]
采用真空蒸镀在上述制备的衬底上沉积厚度为5～200nm的al层为下电极，所述沉积速率为真空度为5
×
10-4
pa；
[0011]
步骤3：旋涂液的制备
[0012]
将聚偏二氟乙烯或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物溶于碳酸二乙酯溶液或丁酮溶液中，配置成浓度为1～2.5wt％的旋涂液；
[0013]
步骤4：有机铁电聚合物的制备
[0014]
将上述制备的旋涂液在下电极上旋涂有机铁电聚合物层，其厚度为10纳米～100微米，所述旋转速度为500～4000r/s；
[0015]
步骤5：退火
[0016]
将上述旋涂有铁电聚合物薄膜的下电极放入真空干燥箱中，在135℃温度下退火4小时；
[0017]
步骤6：有机半导体层的制备
[0018]
在上述制备的有铁电聚合物薄膜上真空蒸镀酞菁铜薄膜，其厚度为10纳米～100微米，所述真空度低于1
×
10-5
pa；
[0019]
步骤7：人工突触器件的制备
[0020]
在上述制备的酞菁铜薄膜上真空蒸镀厚度为5～200纳米的金、银、铜、铝或铟锡氧化物的薄膜层为上电极，制得具有有机半导体和有机铁电聚合物为功能层的双端光人工突触器件。
[0021]
一种双端光电人工突触器件的制备方法制备的双端光电人工突触器件的应用，其特点是该双端光电人工突触器件应用在人工智能硬件和人工神经网络硬件上，利用有机铁电功能层来调制光电流的电压和光脉冲参数，实现突触的短时程增强、长时程增强作用学习记忆规则和双脉冲易化规则，以及光兴奋和电抑制突触行为。
[0022]
本发明与现有技术相比具有以下的有益效果：
[0023]
1)利用有机铁电聚合物薄膜的铁电极化所产生的内建电场来调制光脉冲刺激所产生的载流子，从而简化器件结构，降低器件能耗和提升器件的抗串扰能力；
[0024]
2)所制备出al/p[(vdf-trfe)]/cupc/au光控神经突触器件对532nm的绿光具有明显的ppc效应。通过精确控制电压和光脉冲参数(脉宽/频率/光强/数目)，可以实现突触的stp/ltp学习记忆规则和ppf规则；此外还利用ppc效应和高阻易失特性，实现光兴奋和电抑制突触行为；
[0025]
3)制备方法操作步骤简单，原料易得，成本低，耗能少，抗串扰能力强，易于实施，整个制备过程安全、环保。
附图说明
[0026]
图1为两端光电人工突触器件结构示意图；
[0027]
图2为实施例1制备的两端光电人工突触器件正向i-v图；
[0028]
图3为实施例1制备的两端光电人工突触器件负向i-v图；
[0029]
图4为实施例1制备的两端光电人工突触器件在光、电刺激信号协同作用下的神经形态模拟；
[0030]
图5为实施例1制备的两端光电人工突触器件的ppf图；
[0031]
图6为实施例1制备的两端光电人工突触器件模拟生物的学习-遗忘功能的时间对电流图。
具体实施方式
[0032]
参阅附图1，本发明由设置在下电极层1和上电极层4之间的有机铁电聚合物层2和有机半导体层3组成的薄膜器件结构，所述下电极1为al薄膜层，其厚度为5～200纳米；所述有机铁电聚合物2为聚偏二氟乙烯或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物p[(vdf-trfe)]薄膜层，其厚度为10纳米～100微米；所述有机半导体层3为酞菁铜(cupc)薄膜层，其厚度为10纳米～100微米；所述上电极为金、银、铜、铝或铟锡氧化物的薄膜层，其厚度5～200纳米。
[0033]
下面以制备al/ppvdf/cupc/au光控神经突触器件的具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0034]
实施例1
[0035]
本实施例以聚偏氟乙烯(pvdf)为有机铁电聚合物，以酞菁铜(cupc)为有机半导体层，分别具有下式结构：
[0036][0037]
制备基于有机半导体酞菁铜和有机铁电聚合物的人工突触器件，具体步骤如下：
[0038]
步骤1：对石英玻璃进行清洗
[0039]
将石英玻璃浸入食人鱼溶液中三十分钟，去除表面的有机物，然后放入离子水中超声15分钟，再放入丙酮溶液中超声15分钟，最后将石英玻璃放入烘箱中于60℃干燥；
[0040]
步骤2：制备人工突触器件的下电极
[0041]
将制备好的干净干燥的石英玻璃放入真空蒸发镀膜设备的镀膜腔内，在5
×
10-4
pa的的气压下以的速率沉积厚度约为50nm的al薄膜。
[0042]
步骤3：制备旋涂溶液
[0043]
将pvdf溶于碳酸二乙酯溶液中，配制成有机铁电聚合物的质量分数为1.5wt％的pvdf旋涂液。
[0044]
步骤4：有机铁电聚合物薄膜的旋涂
[0045]
用滴管取pvdf旋涂液，滴加在旋转的下电极上，旋转速度为3000r/s，制备pvdf薄膜。
[0046]
步骤5：退火
[0047]
将上述旋涂有铁电聚合物薄膜的下电极放入真空干燥箱中，在135℃温度下退火4小时。
[0048]
步骤6：蒸镀有机半导体层
[0049]
在pvdf薄膜上热蒸镀酞菁铜(cupc)，真空度低于1
×
10-5
，蒸镀的厚度为50微米，可通过真空蒸发腔体内部的频率晶振片进行实时监控。
[0050]
步骤7：制备人工突触器件
[0051]
在cupc薄膜上热蒸镀一层au作为上电极，其厚度为40纳米，制得具有薄膜结构的al/pvdf/cupc/au光控神经突触器件。
[0052]
对上述制备的人工突触器件进行了生物突触的行为模拟，其性能测试结果如下：
[0053]
参阅附图2，对人工突触器件施加连续的正向扫描电压(0
→
4v
→
0v)时，器件电流逐渐降低，即器件电导连续减小。
[0054]
参阅附图3，对人工突触器件施加连续的7次负向扫描电压(0
→-
4v
→
0v)时，器件电导也会逐渐减小。
[0055]
参阅附图4，对人工突触器件在光刺激信号和电刺激信号协同作用下进行神经形态模拟，前11次扫描，随着扫描次数的增加器件的电流逐渐降低，施加光照后器件的电流增加，模拟了“电抑制光增强”的行为。
[0056]
参阅附图5，人工突触器件随着两个光脉冲信号间隔时间的减小，第二脉冲导致的电流显著增大，双脉冲易化指数增大，这与生物突触的双脉冲易化行为一致。当对器件施加15次连续的光脉冲使器件的光电流由11.6na增加到15na，然后在一段时间衰减后降低到9.4na。
[0057]
参阅附图6，第二次连续光脉冲刺激的作用更加明显，即光电流上升的速率变快，第一次光脉冲信号刺激需要15次才能将器件的光电流从11.6na加到15na，而第二次光信号刺激仅需11次就能成功地模拟了生物的学习-遗忘行为。
[0058]
上述性能测试结果表明实施例1制备的人工突触器件能够模拟生物神经突触的功能，可应用于构建人工神经网络系统。在人工智能硬件和人工神经网络硬件上，利用有机铁电功能层来调制光电流的电压和光脉冲参数，实现突触的短时程增强、长时程增强作用学习记忆规则和双脉冲易化规则，以及光兴奋和电抑制突触行为，证明了突触器件在光电学习能力在神经形态功能开发中具有十分重要的意义。
[0059]
以上仅为本发明的最佳实例，而非对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。