1.一种存储器件，包括：
衬底；
存储堆叠体，包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层；以及
沟道结构，延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，其中，所述沟道结构包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述功能层还包括阻挡层和存储层，所述阻挡层、所述存储层和所述隧穿层从所述沟道结构的侧壁到中心径向地布置。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述氮重量百分比在约10％至约28％的范围内。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的存储器件，其中，所述隧穿层中的氧重量百分比在约32％至约46％的范围内。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的存储器件，其中，所述沟道结构还包括：
在所述隧穿层之上的半导体层；以及
在所述半导体层之上并填充所述沟道结构的电介质芯。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储器件，其中，所述隧穿层包括氮氧化硅。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的存储器件，其中，所述隧穿层包括复合结构，所述复合结构包括多个氮氧化硅层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的存储器件，还包括与所述衬底和所述沟道结构接触的半导体插塞。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的存储器件，其中，所述氮重量百分比不大于约20％。
10.一种用于形成存储器件的方法，包括：
在衬底之上的堆叠结构中形成沟道孔；
从所述沟道孔的侧壁朝向所述沟道孔的中心径向依次沉积阻挡层、存储层和隧穿层；
执行热处理以将所述隧穿层中的氮重量含量调节为不大于约28％；以及
在所述沟道孔中的所述隧穿层之上沉积半导体层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述热处理降低了所述隧穿层中的氮重量含量。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，执行所述热处理包括执行退火工艺。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，执行所述退火工艺包括提供填充有氧气的退火气氛。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，执行所述退火工艺包括提供填充有氧气和氯化氢气体的混合物的所述退火气氛。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，氧气的流率高于氯化氢气体的流率。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法，其中，提供所述退火工艺还包括提供退火时间段、退火温度或退火压力中的至少一个，并且其中，
所述退火时间段在约20分钟至约150分钟的范围内；
所述退火温度在约700摄氏度至约1000摄氏度的范围内；并且
所述退火压力约为标准大气压。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述热处理减小了所述隧穿层中的缺陷数量。
18.根据权利要求10或11所述的方法，其中，执行所述热处理包括在连续的时间段中调节所述热处理的参数值，所述参数值包括处理压力、处理温度或气体的流率中的至少一个。
19.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积所述阻挡层、所述存储层和所述隧穿层均包括原子层沉积(ald)。
20.根据权利要求10至19中任一项所述的方法，其中，所述退火工艺在所述半导体层的沉积之前执行。
21.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述半导体层之上沉积电介质芯以至少部分地填充所述沟道孔。