专利名称:提高抗静电特性的发光二极管器件的制作方法
所属技术领域：
本发明涉及一种主要由衬底、N层、P层、发光层组成的提高抗静电特性的发光二极管器件，尤其是几乎不改变现有发光器件的情况下形成电阻性漏电路径，从而改善反向驱动时二极管因其P-N结产生过电压而受损的问题。
背景技术：
由于GaN基发光器件对静电敏感，因此，对可靠性的要求相当高的应用领域中，其检查要慎之又慎。当GaN基发光器件上流过正向涌入电流时，会缓解电冲击，而反向涌入电流由于电流流通受阻而P-N结产生过电压，所以，其结构对反向涌入电流很敏感。如果在户外恶劣的环境下使用GaN基发光器件时，受到外界的各种影响，其寿命会骤然降低。现有技术为了解决这些问题，将齐纳二极管等器件插入到封装工程中用于安置发光二极管芯片的衬底上，从而形成可对涌入电流进行分流的路径以保护器件。可是，这种方法存在需要增加其他工序且因此费用增加的缺点。
另一种方法是，在芯片内部分成若干个小部分后，与器件进行反向连接。其缺点是芯片工程变得非常复杂，不但增加了器件制作工序，还会降低生产效率，以至费用增加。事实上，另贴上的器件面积小，效果并不明显。
其他方法有在现有的发光器件结构上，改变电流扩散结构设计，或者改善P层和N层的掺杂浓度，以此提高抗静电特性。尽管人们为此付出了很大努力，但是并没有带来明显的改善效果。
发明内容本发明就是要解决上述这些问题，提供一种提高抗静电特性的发光二极管器件，其不需要增加芯片制作工序，也不需要在封装工程中因附加工序而增加费用，同时几乎不改变原有设计和无需改变现有的制作工序，即可提高抗静电特性。
本发明中增加对反向涌入电流的电阻性，提高抗静电特性，以提高其可靠性。现有技术的反向静电放电值为500～1000V左右，而根据本发明测得的反向静电放电值能够达到4000V以上。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
图1为发光器件的一般I-V特性曲线图图2为现有发光器件的基本结构图图3为本发明技术概略图图4为发光层的变形及接触电阻的变形图具体实施方式
图1是一般性二极管的电流与电压曲线图。理想的二极管是，即使反向电压增加，反向电流的增量极少，而实际上，如图所示，产生反向电压达到某一临界点以上时，结就会出现击穿而反向电流剧增，以至破坏二极管。
根据本发明，形成漏电路径，避免反向驱动时产生过电压，同时提高发光器件对反向涌入电流的抵抗能力。
图2是现有发光二极管芯片的一般结构。一般芯片的N层电极和P型层并未接合。
图3是本发明提供的结构图和等效电路图。
如图所示，N层的部分电极接触P型GaN层的部分台面，离P层电极有一定距离。此时N层和P层的两个电极不能直接连接。从这一结构来看，P层和N层接合不会发光，但是P型GaN层的方块电阻非常高，所以流过P型GaN的电流极少，N层的部分电极和P型GaN层的部分台面接触的部分如同发生高阻抗一样。也就是说，这种结构如同二极管两端连接电阻一样。
当然，在这种结构中正向正常工作时，由于漏电路径上的驱动电压低而电流量不高，所以几乎不会影响二极管的光输出。
图4中显示的图案，可使N层的部分电极和P型GaN层的部分台面的接触工序简化，同时易于调节接触面积。这种方式不仅可以使制作工序简化，还可以增加发光层的有效面积，有效地改善发光层面积的缩小。
权利要求
1.一种由衬底、N层、活性层、P层、发光层组成的GaN基发光器件，其特征在于部分N层和部分P层利用导体实现电连接的发光器件。
2.根据权利要求
1所述的发光器件，其特征在于上述导体由导电性氧化膜组成。
3.根据权利要求
1所述的发光器件，其特征在于上述导体的N电极向P型GaN台面扩展。
4.根据权利要求
1所述的发光器件，其特征在于为了增加发光层的有效面积，如图4所示，使发光层的图案发生变形。
5.根据权利要求
1所述的发光器件，其特征在于N层的部分电极和P型GaN层的部分台面接触时，为了易于调节接触面积，如图4所示，使N层电极图案发生变形。
专利摘要
本发明公开了一种大幅提高抗静电特性的发光二极管器件，由于GaN基发光器件对静电敏感，所以使用时存在诸多问题。本发明在不影响GaN基发光器件的发光特点的同时，保护器件免受静电放电的伤害。
文档编号H01L33/00GK1996628SQ200610167499
公开日2007年7月11日 申请日期2006年12月28日
发明者金英镐, 金学峰, 崔珉镐 申请人:廊坊清华科技园光电有限公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan