真空灭弧室及使用该真空灭弧室的真空断路器的制造方法

文档序号:8224752阅读:310来源:国知局
真空灭弧室及使用该真空灭弧室的真空断路器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及高压开关领域,特别是涉及到了一种真空灭弧室及使用该真空灭弧室的真空断路器。
【背景技术】
[0002]现有的大电流真空灭弧室广泛采用杯状纵磁触头结构,其主要包括动导电杆、静导电杆、触头片、波纹管、波纹管屏蔽罩、主屏蔽罩、端屏蔽罩、静盖板、动盖板、瓷壳、动触头、静触头、导向套和支撑等组成。触头片的材料为铜铬合金,触头和导电杆的材料均为无氧铜,而支撑盘的材料为导电率很低的不锈钢,屏蔽罩用无氧铜或不锈钢。触头片和触头通过焊料焊接在一起。在电路中导电杆、触头和触头片按顺序串联,电路接通后,电流流经导电杆、触头和触头片。电流流经两触头的指环时,在两触头间隙产生纵磁场。其中公告号为CN2482208Y的中国专利中就涉及到了上述结构。
[0003]采用上述结构的真空灭弧室的住屏蔽罩与静端屏蔽罩是分别设置,因此不利于真空灭弧室的体积的缩小,另外,为了保证波纹管有足够的有效长度,要求瓷壳、波纹管屏蔽罩等也必须达到设定的长度才可以,这也从另一方面限制了真空灭弧室的体积的缩小,此夕卜,导向套与真空灭弧室的动盖板之间是通过法兰连接,用于连接的法兰结构也在一定程度上增大了真空灭弧室的体积。鉴于上述原因,现有的真空灭弧室存在以下几个缺点:灭弧室体积比较大,安装尺寸和整体高度较大、灭弧室成本比较高。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于提供一种真空灭弧室,以解决现有真空灭弧室存在的体积大、安装尺寸大的问题。
[0005]同时,本发明的目的还在于提供使用上述真空灭弧室的真空断路器。
[0006]为了解决上述问题,本发明的真空灭弧室采用以下技术方案:真空灭弧室,包括瓷壳、主屏蔽罩和静盖板,所述瓷壳为金属化瓷壳,主屏蔽罩的靠近静盖板的一端设有向外翻折的翻边,所述翻边的端部与瓷壳焊接固定在一起,翻边的相对于主屏蔽罩的其它部分的弯折处与静盖板焊接固定在一起。
[0007]还包括波纹管和与波纹管固定焊接的动触头棒,波纹管的靠近动触头棒的一端弯折并形成向动触头棒靠近的焊接缘,波纹管通过所述焊接缘与动触头棒焊接在一起。
[0008]所述焊接缘包括与动触头棒的端面平行的焊接部以及连接在焊接部与波纹管其它部分间的倾斜过渡部。
[0009]还包括导向套和与导向套固定在一起的动盖板,所述导向套为金属导向套并且与动盖板焊接固定在一起。
[0010]真空断路器采用以下技术方案:真空断路器,包括真空灭弧室,真空灭弧室包括瓷壳、主屏蔽罩和静盖板,所述瓷壳为金属化瓷壳,主屏蔽罩的靠近静盖板的一端设有向外翻折的翻边,所述翻边的端部与瓷壳焊接固定在一起,翻边的相对于主屏蔽罩的其它部分的弯折处与静盖板焊接固定在一起。
[0011]真空灭弧室还包括波纹管和与波纹管固定焊接的动触头棒,波纹管的靠近动触头棒的一端弯折并形成向动触头棒靠近的焊接缘,波纹管通过所述焊接缘与动触头棒焊接在一起。
[0012]所述焊接缘包括与动触头棒的端面平行的焊接部以及连接在焊接部与波纹管其它部分间的倾斜过渡部。
[0013]真空灭弧室还包括导向套和与导向套固定在一起的动盖板,所述导向套为金属导向套并且与动盖板焊接固定在一起。
[0014]由于本发明的真空灭弧室的主屏蔽罩的靠近静盖板的一端设有向外翻折的翻边,并且翻边的端部与瓷壳焊接固定在一起,翻边的相对于主屏蔽罩的其它部分的弯折处与静盖板焊接固定在一起,即主屏蔽罩同时与瓷壳和静盖板焊接,从而可省掉现有真空灭弧室中的静端屏蔽罩,进而可大大减小真空灭弧室在相应方向上尺寸,减小真空灭弧室的体积,解决了现有真空灭弧室存在的体积大、安装尺寸大的问题,同时,静端屏蔽罩的省略还可降低真空灭弧室的生产成本。
[0015]更进一步的,由于是弯折而成,焊接缘的设置可最大化的利用波纹管,使波纹管达到最大有效长度,从而可减小波纹管整体的长度,达到减小真空灭弧室体积的目的;由于与动触头棒的端面(用于与波纹管焊接的焊接面)平行,焊接部保证了波纹管与动触头棒焊接的强度,倾斜过渡部则方便了焊接部与动触头棒之间的焊接;导向套与动盖板焊接进而省略掉相应的法兰连接结构,从而也可有助于真空灭弧室体积的缩小。
【附图说明】
[0016]图1是真空灭弧室的结构示意图;
图2是波纹管与动触头棒的配合示意图。
【具体实施方式】
[0017]真空灭弧室的实施例,如图1-2所示,该真空灭弧室包括瓷壳11、主屏蔽罩12、动端屏蔽罩13、静盖板14、波纹管15、动触头棒16、动盖板17和导向套18。
[0018]瓷壳11为金属化瓷壳,在本实施例中,瓷壳11呈圆筒状,其一端与动端屏蔽罩13焊接固定在一起,另一端同时与主屏蔽罩12和静盖板14焊接,采用主屏蔽罩12同时与瓷壳11和静盖板14焊接的结构以后,便可省掉现有技术中的静端屏蔽罩,从而达到减小真空灭弧室的体积的目的。针对瓷壳11与主屏蔽罩12和静盖板14的焊接结构,下文将会左详细介绍。
[0019]主屏蔽罩12的靠近静盖板14的一端设有向外翻折的翻边,另一端插入至瓷壳11中,其中主屏蔽罩12通过其翻边的端部与瓷壳11焊接,通过其翻边的相对于主屏蔽罩12的其它部分的弯折处与静盖板14焊接固定在一起,静盖板14上于面向所述弯折处的一侧设有与其形状适配的凹形结构。
[0020]波纹管15连接在动盖板17与动触头棒16之间的位置处,其一端与动盖板17焊接,另一端与动触头棒16焊接,在本实施例中,波纹管15与动触头棒16之间的焊接结构与现有技术中的波纹管与动触头棒之间的焊接结构是不同的,具体表现在波纹管15的靠近动触头棒16的一端弯折并形成向动触头棒16靠近的焊接缘,焊接缘包括与动触头棒16的端面平行的焊接部以及连接在焊接部与波纹管其它部分间的倾斜过渡部,波纹管15通过所述焊接缘与动触头棒16焊接在一起。在另一端,波纹管15与动盖板17之间的焊接结构和波纹管15与动触头棒16之间的焊接结构相同。采用上述的焊接结构可以最大化的利用波纹管15的有效长度,从而达到减小波纹管15整体所需长度,缩小真空灭弧室体积的效果O
[0021]导向套18为金属导向套,其通过焊接的方式与动盖板17焊接固定在一起,通过所述焊接结构连接的导向套18与动盖板17省掉了现有技术中导向套18与动盖板17之间的法兰连接结构,可以起到缩小真空灭弧室体积的作用。
[0022]在该真空灭弧室中,首先采用了将主屏蔽罩与静端屏蔽罩合二为一的结构,使主屏蔽罩一个部件便可完成现有技术中主屏蔽罩与静端屏蔽罩两部件的功能;另外,波纹管与动触头棒和动端屏蔽罩的特殊焊接结构有效地利用了波纹管,使波纹管的作用发挥到了最大化;导向套的装配结构则省掉了现有技术中的连接法兰等部件。上述各部分结构均从不同的角度起到了缩小真空灭弧室整体体积及安装尺寸的作用,从而解决了现有真空灭弧室存在的体积大、安装尺寸大的问题。
[0023]真空断路器的实施例,包括真空灭弧室,真空灭弧室的结构与上述真空灭弧室的实施例的结构相同此处不予赘述。
【主权项】
1.真空灭弧室,包括瓷壳、主屏蔽罩和静盖板,其特征在于,所述瓷壳为金属化瓷壳,主屏蔽罩的靠近静盖板的一端设有向外翻折的翻边,所述翻边的端部与瓷壳焊接固定在一起,翻边的相对于主屏蔽罩的其它部分的弯折处与静盖板焊接固定在一起。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,还包括波纹管和与波纹管固定焊接的动触头棒,波纹管的靠近动触头棒的一端弯折并形成向动触头棒靠近的焊接缘,波纹管通过所述焊接缘与动触头棒焊接在一起。
3.根据权利要求2所述的真空灭弧室,其特征在于,所述焊接缘包括与动触头棒的端面平行的焊接部以及连接在焊接部与波纹管其它部分间的倾斜过渡部。
4.根据权利要求1-3任一项所述的真空灭弧室,其特征在于,还包括导向套和与导向套固定在一起的动盖板,所述导向套为金属导向套并且与动盖板焊接固定在一起。
5.真空断路器,包括真空灭弧室,真空灭弧室包括瓷壳、主屏蔽罩和静盖板,其特征在于,所述瓷壳为金属化瓷壳,主屏蔽罩的靠近静盖板的一端设有向外翻折的翻边,所述翻边的端部与瓷壳焊接固定在一起,翻边的相对于主屏蔽罩的其它部分的弯折处与静盖板焊接固定在一起。
6.根据权利要求5所述的真空断路器,其特征在于,真空灭弧室还包括波纹管和与波纹管固定焊接的动触头棒,波纹管的靠近动触头棒的一端弯折并形成向动触头棒靠近的焊接缘,波纹管通过所述焊接缘与动触头棒焊接在一起。
7.根据权利要求6所述的真空断路器,其特征在于,所述焊接缘包括与动触头棒的端面平行的焊接部以及连接在焊接部与波纹管其它部分间的倾斜过渡部。
8.根据权利要求5-7任一项所述的真空断路器,其特征在于,真空灭弧室还包括导向套和与导向套固定在一起的动盖板,所述导向套为金属导向套并且与动盖板焊接固定在一起。
【专利摘要】本发明涉及高压开关领域,特别是涉及到了一种真空灭弧室及使用该真空灭弧室的真空断路器。真空灭弧室包括瓷壳、主屏蔽罩和静盖板,所述瓷壳为金属化瓷壳,主屏蔽罩的靠近静盖板的一端设有向外翻折的翻边,所述翻边的端部与瓷壳焊接固定在一起,翻边的相对于主屏蔽罩的其它部分的弯折处与静盖板焊接固定在一起。由于主屏蔽罩同时与瓷壳和静盖板焊接,从而可省掉现有真空灭弧室中的静端屏蔽罩,进而可大大减小真空灭弧室在相应方向上尺寸,减小真空灭弧室的体积,解决了现有真空灭弧室存在的体积大、安装尺寸大的问题,同时,静端屏蔽罩的省略还可降低真空灭弧室的生产成本。
【IPC分类】H01H33-664
【公开号】CN104538246
【申请号】CN201410761060
【发明人】舒小平, 王晓琴, 李敏, 李文艺, 杨兰索, 孙淑萍
【申请人】天津平高智能电气有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月12日
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