施例中，所述阵列为等间距的方格状排列，并且蚀刻后的绝缘层004为圆形，其直径为80微米，间距为100微米；
沉积正电极002及负电极003，其中，负电极003形成于绝缘层004之上，其图形为圆形，直径为50微米，其中心点与上述被蚀刻成圆形的绝缘层004的中心点重合；正电极002与电池芯片光电转换层001下表面形成欧姆接触，其形成于绝缘层004以外的区域，且其边缘距离绝缘层边缘5微米。本实施例中，正负电极厚度为3微米；
如图2所示，采用ICP干法蚀刻技术在绝缘层004对应区域形成通孔，即所述通孔中轴线垂直通过上述被蚀刻后的圆形绝缘层004中心点，且通孔贯穿光电转换层001及绝缘层004，通孔直径为10微米，中心间距为100微米；
如图3所示，在通孔侧壁形成绝缘层008，其材料为氮化硅，厚度为I微米，并与绝缘层004相连，绝缘层008还延伸至太阳能电池光电转换层001上表面，形成圆环形的绝缘层008a，圆环外径为16微米；
如图4所示，在通孔内沉积透明金属层005，其材料为Ni/Au，厚度为5/5纳米，所述透明金属层005延伸至光电转换层001上表面，形成圆环形的透明金属层005a，圆环外径为30微米，透明金属层005a超出绝缘层008a以外的部分与光电转换层001上表面形成欧姆接触；
如图5所示，在通孔内沉积透明导电层006，其材料为ITO，厚度为I微米，所述透明导电层006延伸至光电转换层001上表面，形成圆环形的透明导电层006a，圆环外径为30微米;
如图6所示，在电池芯片表面涂覆透明填料007，通孔内将填充透明填料007，固化后在通孔顶部形成凹面，本实施例中，透明填料为硅胶；
如图7所示，蚀刻去除通孔以外的透明填料007，如此制得多结太阳能电池芯片；
如图8所示，在本发明的多结太阳能电池芯片中，入射在透明导电层006区域的太阳光将直射入光电转换层001，入射进通孔内的太阳光将在透明填料007顶部的凹面发生折射，入射进通孔侧壁，从而进入光电转换层001，实现电池芯片对太阳光的最大限度利用。
[0019]以上表示了本发明的优选实施例，应该理解的是，本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，以上描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:包含一垂直通孔阵列，每个通孔侧壁自内向外包含:绝缘层、透明金属层、透明导电层，所述的通孔内填充有透明填料；所述的绝缘层自通孔侧壁延伸至电池芯片上下表面，覆盖上下表面通孔边缘区域，所述的透明金属层、透明导电层延伸至电池芯片上表面，覆盖上表面通孔边缘区域，所述的通孔内透明填料的上表面向通孔内凹陷，形成凹透镜；所述的多结太阳电池芯片包括设置于背面的正负电极，其中正电极与电池芯片直接接触，负电极形成于背面的所述绝缘层之上，并与所述透明金属层、透明导电层接触。
2.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的垂直通孔贯穿电池芯片，其通孔直径为10-50微米，中心间距为50-150微米。
3.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的绝缘层自通孔侧壁延伸至电池芯片上下表面，覆盖上下表面沿通孔边缘的部分区域。
4.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的绝缘层为二氧化娃、氮化娃、三氧化二铝的一种或其组合。
5.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的透明金属层为镲金合金或金锗合金材料。
6.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的透明金属层延伸至电池芯片上表面，并且其覆盖区域超出所述绝缘层覆盖上表面区域，使得部分透明金属层与电池芯片上表面接触，并形成欧姆接触。
7.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的透明导电层为ITO或氧化锌或碳化硅材料，其是用来加厚所述透明金属层来增加导电性。
8.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的透明导电层自通孔侧壁延伸至电池芯片上表面，其覆盖上表面区域等于或大于所述透明金属层覆盖区域。
9.根据权利要求1所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述的透明填料填充在通孔内，并在通孔顶部位置形成向通孔内凹陷的凹面，形成凹透镜。
10.根据权利要求9所述的一种多结太阳能电池芯片，其特征在于:所述凹透镜的形成方式为:采用旋涂、喷涂或浸涂方法在电池芯片表面覆盖一层液态透明填料，利用液体在通孔口由于表面张力形成凹面；固化；化学蚀刻去除通孔以外区域的透明填料。
【专利摘要】本发明公开一种多结太阳能电池芯片，包含一垂直通孔阵列，每个通孔侧壁自内向外包含：绝缘层、透明金属层、透明导电层，所述的通孔内填充有透明填料；所述的绝缘层自通孔侧壁延伸至电池芯片上下表面，覆盖上下表面通孔边缘区域，所述的透明金属层、透明导电层延伸至电池芯片上表面，覆盖上表面通孔边缘区域，所述的通孔内透明填料的上表面向通孔内凹陷，形成凹透镜。本发明通过通孔阵列使得电池芯片上表面负电极被引入背面，节约了正面电极面积，且通孔内延伸至上表面的绝缘层、透明金属层、透明导电层均为透光，实现了电池芯片上表面无电极遮光。
【IPC分类】H01L31-054, H01L31-0224
【公开号】CN104600135
【申请号】CN201510010881
【发明人】熊伟平, 林桂江, 刘冠洲, 李明阳, 杨美佳, 陈文浚, 吴超瑜, 王笃祥
【申请人】天津三安光电有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月9日