光电子半导体设备和载体复合件的制作方法

文档序号:8324031阅读:573来源:国知局
光电子半导体设备和载体复合件的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本申请涉及一种光电子半导体设备以及一种载体复合件。
【背景技术】
[0002]光电子半导体设备通常具有两个或更多个共同地运行的器件。然而多个器件的这种集成能够使器件在制造期间的测试变难。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是,简化器件在制造期间的测试。
[0004]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,半导体设备具有光电子器件。光电子器件能够设置用于接收和/或产生电磁辐射、尤其是红外光谱范围、可见光谱范围或紫外光谱范围中的辐射。
[0005]特别地,光电子器件能够包括具有半导体层序列的半导体本体,其中半导体层序列具有设置用于接收和/或产生辐射的有源区域。
[0006]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,半导体设备具有另外的器件。另外的器件能够是电子器件或另外的光电子器件。电子器件例如能够构成为ESD(静电放电)保护二极管,所述ESD保护二极管设置用于保护光电子器件免受静电放电。
[0007]另外的光电子器件和光电子器件能够相同类型地构成。光电子器件和另外的光电子器件例如能够分别具有半导体本体,其中半导体本体在制造时由相同的半导体层序列产生。也就是说,光电子器件的半导体层和另外的光电子器件的半导体层除制造公差之外是相同的。
[0008]替选地,光电子器件和另外的光电子器件也能够彼此不同。光电子器件和另外的光电子器件例如能够设置用于发射具有不同峰值波长或具有不同光谱分布的辐射。
[0009]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,光电子器件和另外的器件在设备运行时彼此并联连接。术语“彼此并联连接”不仅包含光电子器件和另外的器件的导通方向彼此平行地定向的连接还包括导通方向反平行地定向的连接。
[0010]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,光电子器件与第一接触部和第二接触部连接。第一接触部和第二接触部设置用于外部地电接触半导体设备。载流子在光电子半导体设备运行时例如能够经由第一接触部和第二接触部从不同的侧注入到光电子器件的有源区域中并且在那里在发射辐射的情况下重组。
[0011]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,另外的器件与半导体设备的至少一个另外的接触部连接。所述另外的接触部与第一接触部和第二接触部电分离。也就是说,在第一接触部和另外的接触部之间并且在第二接触部和另外的接触部之间不存在直接的电流路径。
[0012]借助于另外的接触部,可以至少在制造光电子半导体设备期间、尤其是与光电子器件不相关地电接触另外的器件。
[0013]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,半导体设备具有光电子器件和另外的器件,所述光电子器件和所述另外的器件在设备运行时彼此并联。光电子器件与用于外部地接触半导体设备的第一接触部和第二接触部连接并且另外的器件与半导体设备的至少一个另外的接触部连接。
[0014]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,第一接触部和另外的接触部在安装在连接载体上时设置用于固定在连接载体的共同的电连接载体面上。也就是说,在安装时,第一接触部和另外的接触部经由共同的电连接载体面彼此导电连接。也就是说,在固定在连接载体上时,将第一接触部和另外的接触部电短路。也就是说,与常见的使单独的接触部也彼此单独地电接触的处理方式不同,故意将两个接触部电短路,以便因此实现器件的电并联连接。也就是说,用于接触光电子半导体设备的电连接载体面的数量小于光电子半导体设备的接触部的数量。特别地,光电子半导体设备刚好能够具有三个接触部并且连接载体刚好能够具有两个用于半导体设备的电连接载体面。
[0015]也就是说,这种半导体装置包括至少一个光电子半导体设备和连接载体,其中半导体设备的第一接触部和另外的接触部设置在连接载体的共同的电连接载体面上。
[0016]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,光电子器件在安装在连接载体上之前可借助于第一接触部和第二接触部与另外的器件无关地运行。也就是说,光电子器件例如能够为了测试目的被接触,而另外的器件不会也同时运行。
[0017]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,另外的器件与第二接触部导电连接。光电子器件和另外的器件的并行的运行能够通过建立在第一接触部和另外的接触部之间的电连接来进行。
[0018]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,半导体设备具有带有主面的载体,在所述主面上设置有光电子器件。在竖直方向上,载体在主面和背离光电子器件的背侧之间延伸。在载体的主面上能够设有用于光电子器件的和/或用于另外的器件的一个或多个连接面。在载体的背侧上,能够设置有一个或多个背侧的接触面。优选地,所有的对于运行半导体设备所需要的接触部是从背侧起可触及的。
[0019]载体优选包含半导体材料、例如硅。但是也能够应用其他的半导体材料,例如锗或者砷化镓。替选地,载体能够包含陶瓷,例如氮化销、氧化销或者氮化硼。
[0020]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,载体在主面上具有第一连接面。第一连接面与光电子器件导电连接。经由穿过载体的通孔,第一连接面与第一接触部的设置在载体的背侧上的背侧的第一接触面导电连接。也就是说,光电子器件是从载体背侧起可电接触的。
[0021]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,载体在主面上具有前侧的第一接触面。前侧的第一接触面经由另外的通孔与背侧的第一接触面连接。此外,前侧的第一接触面与第一连接面隔开。也就是说,光电子器件除了背侧的第一接触面之外也可以经由前侧的第一接触面电接触。从前侧起测试半导体设备因此被简化。
[0022]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,半导体设备在第一连接面和前侧的第一接触面之间不具有直接的前侧的电流路径。第一连接面和第一接触面之间的电流路径在垂直于主面伸展的竖直的方向上两次横穿载体。也就是说,在借助于前侧的第一接触面电接触来测试半导体设备的情况下,也能够测试和考虑通孔。此外,第一连接面能够构成为,使得其为了测试目的在前侧是可电接触的。第一连接面在半导体设备的俯视图中例如能够伸出光电子器件。也就是说,第一连接面的至少一个区域在前侧可自由触及。
[0023]前侧的第一接触面和光电子器件在半导体设备的俯视图中能够无重叠地并排设置。
[0024]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,另外的器件集成在载体中。另外的器件例如能够是集成到载体中的ESD保护二极管。ESD保护二极管例如能够借助于载体的至少一个掺杂区域形成。特别地,载体能够具有P型区域和η型区域。
[0025]根据光电子半导体设备的至少一个实施方式,第一接触部和另外的接触部之间的间距小于第一接触部和第二接触部之间的间距。第一接触部和另外的接触部之间的间距例如能够在I μπι和100 μm之间,包括边界值。
[0026]为了制造多个半导体设备,载体优选在载体复合件中构成。在载体复合件装配光电子器件和必要时的电子器件之后,能够通过分割载体复合件来得出半导体设备,其中载体复合件的一部分分别形成载体。
[0027]载体复合件优选具有多个器件区域,所述器件区域还优选在横向方向上并排设置,例如阵列形地设置。载体复合件的至少一个器件区域、优选每个器件区域优选具有一个或多个结合载体所描述的特征。
[0028]根据载体复合件的至少一个实施方式,载体复合件具有多个器件区域,所述器件区域在横向方向上并排设置。每个器件区域在主面上具有第一连接面和第二连接面,所述第一连接面和第二连接面分别设置用于电接触光电子半导体器件。每个器件区域在与主面相对置的背侧上具有背侧的第一接触面和背侧的第二接触面。背侧的第一接触面和背侧的第二接触面分别经由通孔与第一连接面或第二连接面导电连接。每个器件区域在主面上具有前侧的第一接触面,所述前侧的第一接触面经由另外的通孔与背侧的第一接触面导电连接。
[0029]载体复合件尤其适合于制造上述半导体设备。结合半导体设备描述的特征因此也能够用于载体复合件并且反之亦然。
【附图说明】
[0030]其他的特征、设计方案和适宜方案从下述结合附图对实施例的描述中得出。
[0031]附图示出:
[0032]图1A和IB在示意的剖视图中示出半导体设备的一个实施例以及图1C在示意的剖视图中示出具有这种半导体设备的半导体装置的一个实施例;
[0033]图2A在示意图与相应的等效电路图中示出在电接触半导体设备之前(图2B)和在接触之后(图2C)的半导体设备的第二实施例;
[0034]图3A和3B在示意俯视图(图3A)和图3B中的相应的剖面图中示出根据第一实施例的载体复合件的一部分;
[0035]图4A和4B在示意图俯视图(图4A)和图4B中的相应的剖面图中示出根据第二实施例的载体复合件的一部分。<
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