批处理式基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种批处理式基板处理装置，更详细地说，涉及一种通过配置在主体正面的门单元分别开闭各插槽，从而使腔室内部的热损失最小化，以提高基板处理工序效率的批处理式基板处理装置。
【背景技术】
[0002]基板处理装置用在平板显示器、半导体、太阳能电池等的制造中，可大致分为蒸镀(Vapor Deposit1n)装置和退火(Annealing)装置。
[0003]蒸镀装置是用来形成平板显示器的核心结构即透明导电层、绝缘层、金属层或者娃层的装置，有如低压化学蒸镀(LPCVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposit1n)或者等离子体增强化学蒸锻(PECVD, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposit1n)等的化学气相蒸镀装置，以及派射(Sputtering)等的物理气相蒸镀装置。
[0004]此外，退火装置作为在基板上蒸镀薄膜之后提高所蒸镀的薄膜特性的装置，是对所蒸镀的薄膜进行结晶化或者相变化的热处理装置。
[0005]通常，基板处理装置有对一个基板进行处理的单片式(Single Substrate Type)和对多个基板进行处理的批处理式(Batch Type)。虽然单片式基板处理装置具有结构简单的优点，但是存在生产率低的缺点。因此，大量生产中多使用批处理式基板处理装置。
[0006]图1是表示现有的批处理式基板处理装置10'结构的立体图。
[0007]如图1所示，现有的批处理式基板处理装置10'包括:主体100'，其包括作为基板处理空间的腔室105';多个基板(未图示)，装载到腔室105'中；门单元110'，配置在主体10(V的正面。门单元11(V可上下滑动以开闭形成在主体10(V正面的出入口 1P。
[0008]在现有的批处理式基板处理装置W中一个门单元IKV只开闭一个出入口1lr，因此打开出入口 10。时腔室105'的大部分空间向外部暴露，导致当卸载处理完毕的基板50'时腔室105'内部的热量全都损失到外部。特别是，即使在基板处理过程中只卸载少量基板的情况，也需要滑动门单元110'以打开整个出入口 101'，因此为了重新将腔室105'内部降低了的温度提升到工序所需的温度而存在浪费电力的问题。
【发明内容】
[0009]因此，本发明是为了解决上述现有技术的所有问题而提出的，其目的在于提供一种批处理式基板处理装置，通过单独开闭插槽使得腔室的热损失最小化。
[0010]此外，本发明的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，缩短加热腔室内部所需的时间，从而提高基板处理工序的效率。
[0011]为了达到所述目的，本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置，对多个基板进行处理，其特征在于，包括:主体，其包括装载或卸载所述多个基板的多个插槽和作为基板处理空间的腔室；以及门单元，配置在所述主体的正面，用于开闭至少一个所述插槽。
[0012]根据具有如上所述结构的本发明，可通过单独开闭插槽使得腔室的热损失最小化。
[0013]此外，根据本发明，可缩短加热腔室内部所需的时间，从而提高基板处理工序的效率。
【附图说明】
[0014]图1是表示现有的批处理式基板处理装置结构的立体图。
[0015]图2是表示本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置结构的分解立体图。
[0016]图3是表示本发明的一实施例涉及的基板层叠结构的立体图。
[0017]图4是表示本发明的一实施例涉及的加热单元结构的立体图。
[0018]图5及图6是表示本发明的一实施例涉及的门单元结构的主视图。
[0019]图7是表示本发明的另一实施例涉及的门单元结构的立体图及侧剖视图。
[0020]图8是表示本发明的另一实施例涉及的门单元动作的侧剖视图。
[0021]图9是测定现有的批处理式基板处理装置的腔室内部温度变化的数据。
[0022]图10是测定采用本发明的一实施例涉及的门单元后的腔室内部温度变化的数据。
[0023]附图标记
[0024]10:批处理式基板处理装置
[0025]50:基板
[0026]100:主体
[0027]101:主体出入口
[0028]105:腔室
[0029]110、120:门单元
[0030]111:槽式出入口
[0031]112:摆门
[0032]113:轴
[0033]114:汽缸
[0034]121:主门
[0035]125:辅助门
[0036]200:加热单元
[0037]201:单位加热器
[0038]220:辅助加热单元
[0039]300:晶舟
[0040]400:支架
[0041]s:插槽
【具体实施方式】
[0042]下述的对于本发明的详细描述，参照了例示出能够实施本发明的特定实施例的附图。这些实施例的描述详细到足够使本领域的技术人员实施本发明。本发明的各种实施例虽互不相同，但并非互相排斥。例如，在此所记载的与一个实施例相关的特定形状、结构及特性在不脱离本发明的思想及范围的情况下能以其它实施例实现。此外，应理解为，各公开的实施例内的个别构成要素的位置或配置在不脱离本发明的思想及范围的情况下可进行变更。因此，下述的详细描述不是取限定的意思，而本发明的范围，如果明确地说，只由所附的权利要求书而确定，同时包含与权利要求所要求保护的范围均等的所有范围。附图中类似的附图标记在多个方面中表示相同或类似的功能，并且为了方便，长度和面积、厚度等以及其形态也可夸张表示。
[0043]在本说明书中，基板的含义可理解为，包括用在LED、IXD等显示装置中的基板、半导体基板、太阳能电池基板等。
[0044]并且，在本说明书中，基板处理工序的含义可理解为，包括蒸镀工序、热处理工序等。只是，下面采用热处理工序来进行说明。
[0045]下面，参照附图详细说明本发明的实施例涉及的批处理式基板处理装置。
[0046]图2是表示本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置10结构的分解立体图，图3是表示本发明的一实施例涉及的基板50层叠结构的立体图，图4是表示本发明的一实施例涉及的加热单元200结构的立体图。
[0047]首先，装载到批处理式基板处理装置10中的基板50的材质不受特别限定，可以加载玻璃、塑料、聚合物、硅晶圆等各种材质的基板50。下面，采用平板显示器中最常用的矩形形状的玻璃基板来进行说明。在批处理式基板处理装置10中处理的基板50的数量可以根据主体100的大小、基板50的大小等而适当选择。
[0048]批处理式基板处理装置10可包括大致形成为长方体形状并构成外观的主体100，在主体100的内部可形成有处理多个基板50的空间、即腔室105。主体100并不限定于长方体形状，可以根据基板50的形状而形成为各种形状，腔室105可以是密闭的空间。腔室105中可配置有加热单元200、辅助加热单元220、晶舟300、支架400、基板50、气体供给管(未图示)、气体排出管(未图示)等，但图2中省略对其的详细图示。
[0049]在主体100的正面可形成有能够装载或卸载基板50的出入口 101。在主体100的正面可设置有能够开闭出入口 101的第一实施例中的门单元110或者第二实施例中的门单元120 (参照图7) O
[0050]本发明的批处理式基板处理装置10，其特征在于，包括配置在主体100的正面并开闭至少一个插槽s的门单元110、120。其中，插槽s可定义为可通过门单元110、120分别开闭的出入口 101或者腔室105的部分区域。更具体地说，插槽s可理解为，作为配置基板50以及安放基板50的基板支架400所形成的一套的区域，表示后