导电孔阵列图形的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种导电孔阵列图形的形成方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为OPE (Optical Proximity Effect,光学邻近效应)。
[0003]为了修正OPE 现象,便产生了 OPC (Optical Proximity Correct1n,光学邻近效应修正)。OPC的核心思想就是基于抵消OPE现象的考虑建立OPC模型，根据OPC模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了 OPC现象，但是由于在根据OPC模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0004]然而，采用现有技术形成导电孔阵列图形时，其实际形成的导电孔的质量有待进一步提闻。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种导电孔阵列图形的形成方法，可进一步提高后续实际形成的导电孔的质量。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种导电孔阵列图形的形成方法，包括:提供原始导电孔阵列图形，所述原始导电孔阵列图形中具有多个原始导电孔图形；以所述原始导电孔阵列图形为基础，形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形，在所述新导电孔阵列图形中，每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布；以所述新导电孔阵列图形为基础，制作第一掩模板和第二掩模板，其中，所述第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形，所述第二掩模板用于曝光形成第二掩模层；以所述第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层，所述第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域，并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域；形成第二掩模层后，以所述第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层；以所述第一掩模层和第二掩模层为掩模，刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。
[0007]可选的，所述新导电孔阵列图形中的多个辅助导电孔图形至少将所述原始导电孔阵列图形包围一圈。
[0008]可选的，所述辅助导电孔图形的大小与原始导电孔图形的大小相同，各辅助导电孔图形到与其相邻的原始导电孔图形之间的距离和相邻原始导电孔图形之间的距离相等。
[0009]可选的，所述第一掩模板内具有多个第一子掩模图形，所述第一子掩模图形根据通过光学邻近校准设计得到。
[0010]可选的，所述第二掩模层的材料为正胶或负胶。
[0011]可选的，所述第一掩模层的材料为正胶或负胶。
[0012]可选的，所述实际的导电孔图形为圆形或椭圆形。
[0013]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0014]在获取到原始导电孔阵列图形后，首先以原始导电孔阵列图形为基础，形成新导电孔阵列图形，使每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布；然后制作第一掩模板和第二掩模板，先使用第二掩模板，以形成覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域的第二掩模层，再使用第一掩模板形成与原始导电孔阵列图形相对应的实际的导电孔阵列图形。有效解决了原始导电孔阵列图形中各导电孔图形的光强分布信息不一致的问题，实际形成的导电孔的质量较好。
【附图说明】
[0015]图1是现有技术对导电孔阵列图形进行校准的方法示意图；
[0016]图2是本发明实施例的导电孔阵列图形的形成方法的流程示意图；
[0017]图3-图11是本发明实施例的导电孔阵列图形的形成过程的示意图。
【具体实施方式】
[0018]正如【背景技术】所述，采用现有技术的光学邻近校准方法在对导电孔阵列进行校准时，后续实际形成的导电孔的质量有待进一步提高。
[0019]经过研究发现，现有技术在对导电孔阵列进行校准时，实际是对导电孔阵列中的每一个导电孔分别进行光学邻近校准，具体的，即获取每一个导电孔周围的光强信息分布，根据所述光强信息分布得到与该导电孔相对应的掩模板图形。而在获取导电孔周围的光强信息分布，需要考虑该导电孔相邻的其余导电孔的分布情况。
[0020]请参考图1，图1示出了用户提供的导电孔阵列图形。例如，在获取第一导电孔图形101周围的光强信息分布时，至少需要考虑第一虚线框102内的除第一导电孔图形101外的其余8个导电孔图形对其的影响；而在获取第二导电孔图形103周围的光强信息分布时，则只需考虑第二虚线框104内的除第二导电孔图形103外的其余5个导电孔图形对其的影响；然而，在获取第三导电孔图形105周围的光强信息分布时，则只需考虑第三虚线框106内的除导电孔图形105外的其余3个导电孔图形对其的影响。可见，导电孔阵列图形中导电孔图形所处的位置不同，其光强分布信息也不尽相同。具体地，经过进一步分析发现，位于第四虚线框100内的所有导电孔图形具有相同的光强分布信息，而位于第四虚线框100外的各导电孔图形的光强分布信息则较为复杂。因此，在根据所述导电孔阵列图形经OPC模型形成掩模板图形时，与所述第四虚线框100内的所有导电孔图形相对应的子掩模图形较为简单，而与所述第四虚线框100外的各导电孔图形相对应的子掩模图形则复杂多变，通常会加很多辅助图形，影响后续制作的掩模板的质量，甚至会影响到后续实际形成的导电孔的质量。
[0021]经过进一步研究发现，如果在用户提供的原始导电孔阵列图形周围增加一圈辅助导电孔图形，那么原始导电孔阵列图形中的所有导电孔图形则处于新导电孔阵列图形的中间部位，那么其光强分布信息则变得一致，后续实际形成的导电孔的质量则能得到有效改盡口 O
[0022]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0023]请参考图2，本发明实施例的导电孔阵列图形的形成方法，包括:
[0024]步骤S201，提供原始导电孔阵列图形，所述原始导电孔阵列图形中具有多个原始导电孔图形；
[0025]步骤S202，以所述原始导电孔阵列图形为基础，形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形，在所述新导电孔阵列图形中，每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布；
[0026]步骤S203，以所述新导电孔阵列图形为基础，制作第一掩模板和第二掩模板，其中，所述第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形，所述第二掩模板用于曝光形成第二掩模层；
[0027]步骤S204，以所述第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层，所述第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域，并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域；
[0028]步骤S205，形成第二掩模层后，以所述第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层；
[0029]步骤S206，以所述第一掩模层和第二掩模层为掩模，刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。
[0030]具体地，请参考图3，提供原始导电孔阵列图形300，所述原始导电孔阵列图形中具有多个原始导电孔图形301。
[0031]所述原始导电孔阵列图形300为用户提供的，其作为目标图形，即代表着用户希望在晶圆上形成的图形。在本发明的实施例中，用户提供一文件，该文件为能够被OPC模型或者其他图形软件所识别的格式，例如gds格式，且该文件中包含了用户希望在晶圆上形成的图形信息，即包含原始导电孔阵列图形300的相关信息。
[0032]由于通常用户提供的原始导电孔阵列图形300中包含若干个原始导电孔图形，为便于理解本发明，本发明的实施例中以5X6的矩阵阵列为例进行示范性说明。
[0033]请继续参考图3，本发明的实施例中，对于原始导电孔阵列图形300中的原始导电孔图形301，其光强分布信息随原始导电孔图形301在矩阵阵列中的位置不同而有所区别，更多更详细的分析，请参考前文所述。
[0034]请参考图4，以所述原始导电孔阵列图形300为基础，形成具有多个辅助导电孔图形311的新导电孔阵列图形310，在所述新导电孔阵列图形310中，每一原始导电孔图形301均具有相同的光强信息分布。
[0035]所述新导电孔阵列图形310用于使原始导电孔阵列图形300内的每一导电孔图形301均具有相同的光强信息分布。如前文所述，采用现有技术的方法形成导电孔阵列图形时，通过获取原始导电孔阵列图形300中各导电孔图形的光强分布信息，对其进行光学邻近效应修正，形成一块掩模板，然后采用该掩模板进行曝光显影。由于原始导电孔阵列图形300中各导电孔图形的光强分布信息不一致，尤其是位于原始导电孔阵列图形300内外圈的原始导电孔图形301的光强分布信息复杂多变，掩模板中与该外圈的原始导电孔图形301相对应处的子掩模图形复杂多变，所述复杂多变的子掩模图形容易导致的实际形成的导电孔的质量受到影响。
[0036]经过进一步分析发现，如果能够使所述原始导电孔阵列图形300内所有的导电孔图形301均具有相同的光强信息分布，则可以通过适当的方式提高实际形成的导电孔的质量。
[0037]本发明的实施例中，为使原始导电孔阵列图形300内所有的导电孔图形301均具有相同的