方法评价亮度，结果是亮度高，为1.547cd/cm2,良好。此 夕F，利用上述方法评价耐光性的结果是，亮度保持率（I)为95%，得到非常良好的结果。进 而，利用上述方法评价耐热性的结果是，亮度保持率（II)为83%，得到良好的结果。
[0221] (实施例44~47)-聚硅氧烷微粒添加。聚硅氧烷微粒添加量的效果-
[0222] 将聚硅氧烷微粒的浓度如表6所示进行变更，除此之外，进行与实施例43同样的 操作，进行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。聚硅氧烷微粒的浓度越 低，弹性模量越高，拉伸断裂伸长率有变小的趋势，进而亮度有稍稍下降的趋势，但结果是 各实施例均在实用上没有问题的水平W上。特别是相对于100质量份的有机娃树脂、聚娃 氧烧微粒的含量在10~50质量份范围内的实施例43~46为良好的结果，所述含量在 30~50质量份范围内的实施例43~44为特别优选的结果。切断加工性和耐热性均为良 好，耐光性均为非常良好。
[0223](实施例48~52)-聚硅氧烷微粒添加。聚硅氧烷微粒的粒径导致的影响-
[0224] 将聚硅氧烷微粒的种类如表7所示进行变更，除此之外，进行与实施例45同样的 操作，进行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。对于切断加工性和耐热性 而言，各实施例均为良好，色温偏差和耐光性均为非常良好。聚硅氧烷微粒的粒径越大，弹 性模量越高，拉伸断裂伸长率有变小的趋势，与之相伴，色温偏差有上升的趋势，但结果是 均在实用上没有问题的水平W上。此外，根据聚硅氧烷微粒的粒径不同，亮度有稍稍下降的 趋势，但均可取得本发明的效果，由此为在没有问题的水平W上的结果。特别是聚硅氧烷微 粒的平均粒径为0. 1ymW上且2. 0ymW下的实施例48~51呈现出优选的结果，所述平 均粒径为0. 5ymW上且1. 5ymW下的实施例49和50呈现出特别优选的结果。
[02巧](实施例53~56)-聚硅氧烷微粒添加。金属氧化物粒子（I)添加量的效果-
[0226] 将金属氧化物粒子（I)的浓度如表8所示进行变更，除此之外，进行与实施例45 同样的操作，进行切断加工性、亮度、色温偏差、耐光性和耐热性的评价。对于切断加工性和 耐热性而言，各实施例均为良好，色温偏差和耐光性均为非常良好。金属氧化物粒子（I)的 浓度越低，弹性模量越高，拉伸断裂伸长率有变小的趋势，进而亮度有稍稍下降的趋势，但 结果是均在实用上没有问题的水平W上。特别地，相对于100质量份的有机娃树脂、金属氧 化物粒子（I)的含量在3质量份W上且30质量份W下范围内的实施例53~55呈现出优 选的结果。
[0227](实施例57-60)-聚硅氧烷微粒添加。巧光体含量的影响-
[022引将巧光体的浓度如表9所示进行变更，除此之外，进行与实施例45同样的操作，进 行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。色温偏差在各实施例中均为非常 良好，切断加工性和亮度均为良好，得到了耐光性和耐热性均在实用上没有问题的水平W 上的结果。巧光体的浓度越高，弹性模量越高，拉伸断裂伸长率有变小的趋势，此外，相反 地，巧光体的浓度越低，耐光性越有稍稍降低的趋势，但均可取得本发明的效果，由此为在 没有问题的水平W上的结果。
[0229] (实施例61-64)-聚硅氧烷微粒添加。膜厚的影响-
[0230] 将膜厚如表10所示进行变更，除此之外，进行与实施例45同样的操作，进行切断 加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。切断加工性和亮度在各实施例中均为良 好，色温偏差和耐光性均为非常良好。膜厚越大，亮度保持率（II)越有变小的趋势，但结果 是作为耐热性均在实用上没有问题的水平W上，特别是膜厚在20ymW上且100ymW下范 围内的实施例61~63的耐热性为良好。
[0231](实施例65~69)-聚硅氧烷微粒添加。金属氧化物粒子（I)的粒径的影响-
[0232]将金属氧化物粒子（I)的种类如表11所示进行变更，除此之外，进行与实施例45 同样的操作，并进行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。对于切断加工性 和亮度而言，各实施例均为良好，色温偏差和耐光性均为非常良好。得到了耐热性也在实用 上没有问题的水平W上的结果，特别是金属氧化物粒子（I)为氧化侣时，耐热性良好。金属 氧化物粒子（I)的平均粒径越大，弹性模量越高，拉伸断裂伸长率有变小的趋势，与之相伴 的色温偏差有上升的趋势，但结果是均在实用上没有问题的水平W上。
[023引（比较例10)
[0234] 除了不加入金属氧化物粒子（I)W外，进行与实施例45同样的操作，进行切断加 工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。与实施例45同样地操作，将含巧光体树脂 片材进行单片化，但能够正常单片化的为62个，剩余的含巧光体树脂片材发生断裂。将已 单片化的含巧光体树脂片材贴合于藍色L邸上时也发生断裂，色温偏差非常大，为245K。亮 度测定、耐光性和耐热性是使用能够正常单片化和能够贴合的片材进行评价的，其中亮度 下降，为 1.507cd/cm2。
[023引（比较例11)
[0236] 将巧光体的浓度如表14所示进行变更，除此之外，进行与实施例45同样的操作， 进行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。与实施例45同样地操作，将含 巧光体树脂片材进行单片化，但亮度保持率（I)为68%，耐光性大幅度下降。
[0237](比较例 12)
[023引将巧光体含量如表14所示进行变更，除此之外，进行与实施例45同样的操作，制 作含巧光体树脂片材，但是，由于糊剂凝胶化，所W不能制作片材。
[0239](比较例 13)
[0240] 将金属氧化物粒子（I)的种类如表14所示进行变更，除此之外，进行与实施例45 同样的操作，进行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。与实施例43同样 地操作，将含巧光体树脂片材进行单片化，但能够正常单片化的为54个，剩余的含巧光体 树脂片材发生断裂。将已单片化的含巧光体树脂片材贴合于藍色L邸上时也发生断裂，色 温偏差非常大，为268K。需要说明的是，亮度、耐光性和耐热性是使用能够正常单片化和能 够贴合的试样进行评价的。
[0241](比较例 14)
[0242] 将金属氧化物粒子（I)的种类如表14所示进行变更，除此之外，进行与实施例45 同样的操作，进行切断加工性、色温偏差、亮度、耐光性和耐热性的评价。与实施例43同样 地操作，将含巧光体树脂片材进行单片化，但能够正常单片化的为71个，剩余的含巧光体 树脂片材发生断裂。将已单片化的含巧光体树脂片材贴合于藍色L邸上时也发生断裂，色 温偏差非常大，为205K。需要说明的是，亮度、耐光性和耐热性是使用能够正常单片化和能 够贴合的试样进行评价的。
[0243]
[0244]
[0245]
[0246]
[0247]
【主权项】
1. 一种含荧光体树脂片材，包含荧光体、树脂和平均粒径为10~200nm的金属氧化物 粒子（I)，相对于100质量份的所述树脂，所述荧光体的含量为250~1000质量份。
2. 如权利要求1所述的含荧光体树脂片材，其中，相对于100质量份的所述树脂，所述 金属氧化物粒子（I)的含量为1~30质量份。
3. 如权利要求1所述的含荧光体树脂片材，其中，进一步包含平均粒径为300~ 1000 nm的金属氧化物粒子（II)。
4. 如权利要求3所述的含荧光体树脂片材，其中，相对于100质量份的所述树脂，所述 金属氧化物粒子（I)的含量为1~30质量份；相对于100质量份的所述树脂，所述金属氧 化物粒子（II)的含量为0. 01~20质量份。
5. 如权利要求3或4所述的含荧光体树脂片材，其特征在于，所述金属氧化物粒子 (II)与所述树脂的折射率之差为〇. 06以上。
6. 如权利要求1~5中任一项所述的含焚光体树脂片材，其中，进一步包含聚硅氧烷微 粒。
7. 如权利要求6所述的含荧光体树脂片材，其中，所述聚硅氧烷微粒的平均粒径为 0? 1 ~2 u m〇
8. 如权利要求6或7所述的含荧光体树脂片材，其中，相对于100质量份的所述树脂， 所述聚硅氧烷微粒的含量为5~50质量份。
9. 如权利要求1~8中任一项所述的含荧光体树脂片材，其中，金属氧化物粒子⑴包 含氧化铝。
10. 如权利要求1~9中任一项所述的含荧光体树脂片材，其中，所述含荧光体树脂片 材的膜厚为20~150 ym。
11. 如权利要求1~10中任一项所述的含荧光体树脂片材，其中，所述含荧光体树脂片 材的拉伸弹性模量为300~lOOOMPa。
12. 如权利要求1~11中任一项所述的含荧光体树脂片材，其中，所述含荧光体树脂片 材的拉伸断裂伸长率为5~30%。
13. 如权利要求1~12中任一项所述的含荧光体树脂片材，其中，所述树脂包含有机硅 树脂。
14. 一种发光装置，在所述发光装置中，权利要求1~13中任一项所述的含荧光体树脂 片材贴合于LED发光元件上。
15. -种发光装置的制造方法，具有将权利要求1~14中任一项所述的含荧光体树脂 片材贴合于LED发光元件上的工序。
16. 如权利要求15所述的发光装置的制造方法，其中，在向LED发光元件贴合所述含荧 光体树脂片材的工序之前，具有将所述含荧光体树脂片材切断成单片的工序。
17. 如权利要求16所述的发光装置的制造方法，其中，在将所述含荧光体树脂片材切 断成单片的同时，在基材上形成槽，该槽形成到规定的厚度为止。
18. 如权利要求15~17中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，所述LED发光元 件为晶片级的LED发光元件。
19. 如权利要求18所述的发光装置的制造方法，其中，在将所述含荧光体树脂片材贴 合于晶片级的LED发光元件的工序之后，具有在切割晶片的同时一并切断所述含荧光体树 脂片材的工序。
20. -种荧光体分散树脂组合物的制造方法，所述荧光体分散树脂组合物用于制作荧 光体层，所述制造方法具有将荧光体、树脂和金属氧化物粒子进行混合的工序，其中，所述 被混合的金属氧化物粒子至少包含平均粒径为10~200nm的金属氧化物粒子（I)，相对于 100质量份的所述树脂，所述荧光体的含量为250~1000质量份。
21. 如权利要求20所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，相对于100质量份 的所述树脂，所述金属氧化物粒子（I)的含量为1~30质量份。
22. 如权利要求20所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，被混合的金属氧 化物粒子还包含平均粒径为300~1000 nm的金属氧化物粒子（II)。
23. 如权利要求22所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，相对于100质量份 的所述树脂，所述金属氧化物粒子（I)的含量为1~30质量份；相对于100质量份的所述 树脂，所述金属氧化物粒子（II)的含量为〇. 01~20质量份。
24. 如权利要求22或23所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其特征在于，所述 金属氧化物粒子（II)与所述树脂的折射率之差为0.06以上。
25. 如权利要求20~24中任一项所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，在 所述混合工序中，进一步混合聚硅氧烷微粒。
26. 如权利要求25所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，所述聚硅氧烷微 粒的平均粒径为0. 1~2 ym。
27. 如权利要求25或26所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，相对于100 质量份的所述树脂，所述聚硅氧烷微粒的混合量为5~50质量份。
28. 如权利要求20~27中任一项所述的荧光体分散树脂组合物的制造方法，其中，金 属氧化物粒子（I)包含氧化铝。
29. -种含荧光体树脂片材的制造方法，其特征在于，利用上述权利要求20~28中任 一项所述的方法制造荧光体分散树脂组合物，然后将荧光体分散树脂组合物涂布于基材上 并进行干燥。
30. -种发光装置的制造方法，具有如下工序：利用权利要求29的方法制造含荧光体 树脂片材，然后，将所述含荧光体树脂片材贴合于LED发光元件上。
【专利摘要】本发明涉及一种用于发光元件的含荧光体树脂片材。本发明的课题在于获得一种具有优异的加工性、良好的耐光性、良好的耐热性以及用作发光元件时的芯片间的发光偏差小、亮度高的含荧光体树脂片材。其解决方法如下：一种含荧光体树脂片材，包含荧光体、树脂和平均粒径为10～200nm的金属氧化物粒子(I)，相对于100质量份的所述树脂，所述荧光体的含量为250～1000质量份，优选地，进一步包含平均粒径为300～1000nm的金属氧化物粒子(II)，此外，作为其他方式，优选包含聚硅氧烷微粒。
【IPC分类】C09K11-00, H01L33-50
【公开号】CN104756265
【申请号】CN201380055458
【发明人】定国广宣, 井上武治郎, 山本哲也
【申请人】东丽株式会社
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年10月24日
【公告号】EP2913855A1, US20150240155, WO2014065358A1