半导体发光装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种通过使用荧光体片而保持维持小型、容易制作且发光颜色容易管理的结构的、能够得到较大的总光通量的LED装置。一种半导体发光装置，具有：透明绝缘基板；半导体发光元件，所述半导体发光元件具有在透明绝缘基板的下表面形成的半导体层；荧光树脂，所述荧光树脂覆盖透明绝缘基板的侧面，并对半导体发光元件的发光的一部分进行波长变换；以及荧光体片，所述荧光体片覆盖荧光树脂的上表面，并且贴附于所述透明绝缘基板。荧光体片的平面形状与所述荧光树脂的周围形状相同，荧光体片的平面形状确定整个装置的平面外形。
【专利说明】半导体发光装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种对芯片尺寸封装有效的半导体发光装置。
【背景技术】
[0002]随着半导体发光元件的高亮度化，半导体发光元件(以下除非另有说明，将其称为“LED管芯”)也变得大型化，能得到ImmX (0.5?l)mm左右的尺寸。由于该大小与电阻等其他芯片部件的大小程度相同，因此期望用树脂等将LED管芯封装化制成的半导体发光装置(以下除非另有说明，将其称为“LED装置”)能够具有与LED管芯相同程度的平面尺寸。由于该封装直接反映LED管芯的尺寸，因此有时被称为芯片尺寸封装(以下称为“CSP”)。对于CSP，安装面积可以很小，封装用部件也可以很少。并且，对于CSP，其具有如下特征，即按照需要的亮度，能够简单地更改装载于主基板的个数，由此增加了照明装置等的设计的自由度。
[0003]图10是作为第一现有例而示出的CSP化的发光装置100 (LED装置)的剖面图。
[0004]图10中记载的发光装置100是CSP的最终品，是LED管芯的芯片尺寸与封装的外形一致的LED装置，在日本特开2010-141176号公报中被揭示。
[0005]在LED装置100中，层叠体112c (半导体层)的上表面层叠有荧光体层130和透镜132。层叠体112的下部有电解电镀时共同电极未被蚀刻而残留的种金属122a和122b、铜布线层124a和124b、用电解电镀形成的柱状的铜柱126a和126b。
[0006]层叠体112c具有P型包覆层112b、发光层112e和η型包覆层112a。层叠体112c的下表面被一部分开口的绝缘层120覆盖。铜柱126a和126b的下部附着有焊锡球136a和136b。并且，在铜柱126a和126b之间填充有加固树脂128。
[0007]图10中示出的LED装置100的平面尺寸与层叠体112c的平面尺寸一致。由于LED装置100是通过将LED装置100排列连结的晶片单片化而得到，在由CSP分类的产品组中最为小型化，因此也被称为WLP (晶片级封装)。LED装置100由于去除了层叠体112c上原来有的透明绝缘基板(参照日本特开2010-141176号公报的第0026段和图2)，因此来自发光层112e的光就仅向上方(箭头C)射出。因此仅在LED装置100的上部设置荧光体层130即可。
[0008]在图10示出的LED装置100中，为了去除透明绝缘基板而使用了激光，但是在该情况下，制造装置会变得大规模，或者制造工序会变长。并且，由于LED装置100以晶片级形成荧光体层130，因此无法应对晶片上的单个LED管芯所具有的发光特性的偏差。其结果是，产生难以进行发光颜色的管理这一问题。
实用新型内容
[0009]因此，作为小型的、容易制作且发光颜色容易管理的LED装置，本申请的实用新型者对按如下方式形成的倒装安装用的LED装置进行试制:留下透明绝缘基板，用白色反射构件将透明绝缘基板的侧面连同在其下表面形成的半导体层的侧面一起覆盖，用荧光体片覆盖透明绝缘基板的上表面(参照日本特开2012-227470号公报)。
[0010]图11是作为第二例而示出的LED装置200的剖面图。并且，LED装置200是日本特开2012-227470号公报中示出的LED装置。
[0011]LED装置200将具有蓝宝石基板214b (透明绝缘基板)和在其下表面形成的半导体层215b的LED管芯216b作为中心，在LED管芯216b的上表面配备对出射光进行波长变换的荧光体片211b，在侧面具有白色反射部件217b。在荧光体片211b和蓝宝石基板214b之间有粘结层213b，将荧光体片211b和蓝宝石基板214b相粘合。并且，LED管芯216b的与半导体层215b连接的凸起电极218b和21%分别是阳极和阴极，作为用于与主基板连接的外部连接电极。另外，主基板是指安装电阻、电容等其他电子部件以及LED装置200的基板。
[0012]对于LED装置200，由于能够按照单个LED管芯216b的发光特性来更改荧光体片211b，因此发光颜色的管理就很容易，由于白色反射构件217b的厚度在100 μ m以下也是足够的，因此是小型的。进一步地，由于能够应用集合施工方法，在排列了多个LED管芯216b的状态下进行加工，最后通过单片化得到单个LED装置200，因此很容易制造。
[0013]在图11示出的LED装置200中，将LED管芯216b倒装安装于评价用电路基板，相对于仅用荧光树脂覆盖LED管芯216b的比较用LED装置，总光通量为70%左右。S卩，在CSP化中，必须尽可能减小发光损失。
[0014]本实用新型的目的在于，提供一种保持维持小型、易制作且发光颜色容易管理的结构的、能够得到较大的总光通量的半导体发光装置以及其制造方法。
[0015]一种半导体发光装置，具有:透明绝缘基板；半导体发光元件，所述半导体发光元件具有在透明绝缘基板的下表面形成的半导体层；荧光树脂，所述荧光树脂覆盖透明绝缘基板的侧面，并对半导体发光元件的发光的一部分进行波长变换；以及荧光体片，所述荧光体片覆盖荧光树脂的上表面，并且贴附于所述透明绝缘基板。荧光体片的平面形状与所述荧光树脂的周围形状相同，荧光体片的平面形状确定整个装置的平面外形。
[0016]半导体发光装置构成为用荧光树脂覆盖包含于半导体发光元件的透明绝缘基板的侧面，进一步地将荧光体片贴附于透明绝缘基板的上表面。由于能够将侧面的荧光树脂的厚度设定为100 μ m左右，因此半导体发光装置的平面尺寸能够与半导体发光元件的平面尺寸大致相等，不妨碍小型化。在用荧光树脂将半导体发光元件框状地包围的状态下，荧光体片覆盖荧光树脂的上表面，且贴附于透明绝缘基板。此时荧光体片的平面外形以及荧光树脂的周围的形状就是半导体发光装置的平面外形。其结果是，半导体发光装置成了能够应用集合施工方法并且容易制作的结构。如果将荧光体片贴附于透明绝缘基板的上部，用荧光树脂覆盖透明绝缘基板的周围的话，则相比于将荧光体片贴附于透明绝缘基板的上部并用白色反射树脂覆盖透明绝缘基板的周围时，总光通量较多。
[0017]在半导体发光装置中，也可以在半导体发光元件的下表面配备用于与主基板的电极连接的连接电极。
[0018]在半导体发光装置中，也可以将半导体发光元件倒装安装在子安装基板或者引脚上。
[0019]在半导体发光装置中，半导体发光元件的下表面的、去除连接电极所占区域的区域也可以被所述荧光树脂覆盖。[0020]在半导体发光装置中，半导体发光元件的下表面的、去除连接电极所占区域的区域也可以被白色反射构件覆盖。
[0021]在半导体发光装置中，去除连接电极所占区域的半导体发光元件的下表面以及引脚的侧面也可以被所述荧光树脂覆盖。
[0022]一种半导体发光装置的制造方法，该半导体发光装置对具有透明绝缘基板和在其下表面形成的半导体层的半导体发光元件的发光的一部分进行波长变换并进行使用，所述方法包括:准备工序，准备将含有荧光体的树脂片状地加工而成的大张荧光体片和多个所述半导体发光元件；元件排列工序，将半导体发光元件排列在大张荧光体片上，使大张荧光体片与透明绝缘基板相接触，并将大张荧光体片与半导体发光元件粘合；荧光树脂填充工序，将含有荧光体微粒的荧光树脂填充于半导体发光元件的侧部；以及单片化工序，切断大张荧光体片以及荧光树脂，并单片化成半导体发光装置。
[0023]在上述半导体发光装置的制造方法中，首先在若进行单片化可得到多个荧光体片的大张荧光体片上排列半导体发光元件并使其粘合。此时先使半导体发光元件的透明绝缘基板接触于大张荧光体片。接着，在排列整齐了的半导体发光装置之间填充荧光树脂，最后进行单片化得到所希望的半导体发光装置。这样一来，由于上述半导体发光装置的制造方法能够应用所谓的集合施工方法，因此能够通过一系列的工序同时大量地得到多个半导体发光装置，所以制造简单。并且，对于用该方法制造的半导体发光装置，由于能够将覆盖半导体发光元件的周围的荧光树脂的厚度设定为100 μ m左右，因此半导体发光装置的平面尺寸就与半导体发光元件的平面尺寸大致相等，不妨碍小型化。并且用本制造方法制造的半导体发光装置的总光通量相比于用白色反射树脂覆盖透明绝缘基板的周围的半导体发光装置要多。
[0024]一种半导体发 光装置的制造方法，该半导体发光装置对具有透明绝缘基板和在其下表面形成的半导体层的半导体发光元件的发光的一部分进行波长变换并进行使用，所述方法具有:准备工序，准备若进行单片化则成为子安装基板或者引脚的大张子安装基板或者引线框、和多个所述半导体发光元件；元件排列工序，将半导体发光元件排列在大张子安装基板或者引线框上，使大张子安装基板或者引线框与半导体发光元件的半导体层侧相接触，并且将大张子安装基板或者引线框与半导体发光元件连接；荧光树脂填充工序，将含有荧光体微粒的荧光树脂填充于半导体发光元件的侧部；大张荧光体片贴附工序，将对含有荧光体微粒的树脂片状地加工而成的大张荧光体片贴附于透明绝缘基板；以及单片化工序，切断大张子安装基板或者引线框、大张荧光体片以及荧光树脂，并单片化成半导体发光
>J-U ρ?α装直。
[0025]在上述半导体发光装置的另一制造方法中，首先，准备半导体发光元件以及大张子安装基板或者引线框，若将该大张子安装基板或者引线框单片化则可以得到多个子安装基板或者引脚。接着使半导体发光元件排列并连接于该大张子安装基板或者引线框上。此时使形成于半导体发光元件的半导体层的连接电极与大张子安装基板或者引线框相接触。接着，在排列整齐了的半导体发光装置之间填充荧光树脂，最后进行单片化得到所希望的的半导体发光装置。这样一来，由于上述半导体发光装置的另一制造方法能够应用所谓的集合施工方法，因此能够通过一系列的工序同时大量地得到多个半导体发光装置，所以制造简单。并且，对于用该方法制造的半导体发光装置，由于能够将覆盖半导体发光元件的周围的荧光树脂的厚度设定为100 μ m左右，因此半导体发光装置的平面尺寸就与半导体发光元件的平面尺寸大致相等，所以不妨碍小型化。并且，在将半导体发光元件排列在大张子安装基板或者引线框上时，由于对统一了发光特性的半导体发光元件进行选择并排列，进而结合该发光特性来选择荧光体片，因此半导体发光装置的发光颜色的管理就变得很容易。进一步地，用本制造方法制造的半导体发光装置的总光通量相比于用白色反射树脂覆盖透明绝缘基板的周围的半导体发光装置要多。
[0026]对于半导体发光装置，由于荧光树脂能够做到100 μ m左右的厚度，因此不妨碍小型化，除此之外，由于是用荧光体片覆盖透明绝缘基板和荧光树脂的上表面的结构，因此能够应用集合施工方法，是容易制作的结构。进一步地，半导体发光装置的总光通量相比于用白色反射树脂覆盖了透明绝缘基板周围的半导体发光装置的总光通量要大。如上所述，上述半导体发光装置保持维持小型且容易制作的结构，并能够得到大的总光通量。
[0027]半导体发光装置的制造方法能够应用所谓的集合施工方法，所以能够通过一系列的工序同时大量地得到多个半导体发光装置，进一步地，由于能够将荧光树脂的厚度做到100 μ m左右，因此不妨碍小型化。并且，由于应用集合施工方法时能够选择统一了特性的半导体发光元件，因此半导体发光装置的发光颜色的管理就变得容易。进一步地，该半导体发光装置的总光通量也相比于用白色反射树脂覆盖了透明绝缘基板周围的半导体发光装置的总光通量要大。如上所述，采用上述半导体发光装置的制造方法，能够制造保持维持小型、容易制作且发光颜色容易管理的结构的、并且能够得到较大的总光通量的半导体发光元件。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1的(a)?图1的(C)是LED装置10的外观图。
[0029]图2是图1的(a)的AA’剖面图。
[0030]图3的(a)?图3的(e)是LED装置10的制造方法的说明图。
[0031]图4是另一个LED装置40的剖面图。
[0032]图5是更另一个LED装置50的剖面图。
[0033]图6的(a)?图6的(C)是更另一个LED装置60的外观图。
[0034]图7是图6的(a)的BB，剖面图。
[0035]图8的(a)?图8的(f)是LED装置60的制造工序的说明图。
[0036]图9是更另一个LED装置90的剖面图。
[0037]图10是第一现有例中的LED装置的剖面图。
[0038]图11是第二例中的LED装置的剖面图。
【具体实施方式】
[0039]以下，参照附图关于半导体发光装置以及其制造方法进行说明。但是，本实用新型的技术范围不仅限于这些实施形态，需要留意权利要求书中记载的实用新型及其等同实用新型所涉及的点。另外，在附图的说明中，对相同或者相当的要素付上相同的符号，省略重复说明。
[0040]图1示出LED装置10的外观，图1的(a)是俯视图，图1的(b)是主视图，图1的(C)是底视图。
[0041]如图1的(a)所示，从上部注视LED装置10的话，可以观察到长方形的荧光体片11。如图1的(b)所示，从正面注视LED装置10的话，可以观察到荧光体片11下面有荧光树脂12，进一步地能观察到其下面的两个连接电极15。如图1的(c)所示，从下方注视LED装置10的话，可以观察到包围半导体层14的荧光树脂12和位于半导体层14的内侧区域的两个连接电极15。这样一来，对于LED装置10，荧光体片11的平面形状就与荧光树脂12的周围形状相同，荧光体片11的平面形状确定了 LED装置10的整体平面外形。
[0042]图2是图1的(a)的AA’剖面图。
[0043]如图2所示，在LED装置10中，LED管芯16 (半导体发光元件)的侧部被荧光树脂12覆盖，LED管芯16以及荧光树脂12的上部被荧光体片11覆盖。LED管芯16由蓝宝石基板13 (透明绝缘基板)、半导体层14以及两个连接电极15构成，连接电极15上层叠有半导体层14以及蓝宝石基板13。并且，在蓝宝石基板13和荧光体片11之间存在有粘结材料17。
[0044]荧光体片11是将荧光体微粒混揉到苯基系硅树脂中加工成的片状的物品，荧光体片11的厚度为100?300 μ m左右。在希望减轻由浓度消光导致的损失的情况下，将荧光体片11设定得稍厚。荧光树脂12也是将荧光体微粒混揉到硅树脂中使其热固化形成的，宽度大致为100 μ m。粘结材料17也是热固化型硅酮粘结材料，厚度也大致在100 μ m以下。其结果是，在底面尺寸为0.8mmX0.3mm的LED管芯16情况下，LED装置10的平面尺寸就是1.0mmX0.5mm,是容易用表面贴片机(表面安装机)操作的大小。
[0045]荧光体片11以及荧光树脂12对LED管芯16的蓝色发光进行波长变换并进行白色化。由于荧光树脂12大多比荧光体片11薄，因而此时最好将荧光树脂12的荧光体浓度设为比荧光体片11的荧光体浓度大。
[0046]包含于LED管芯16的蓝宝石基板13的厚度为80?120 μ m左右。在蓝宝石基板13的下表面形成的半导体层14的厚度为10 μ m左右，包含P型半导体层以及η型半导体层，其边界面为发光层。半导体层14的下部存在层间绝缘膜或保护膜，保护膜上形成有连接电极15。两个连接电极15为阳极以及阴极，分别通过层间绝缘膜上的布线与P型半导体层以及η型半导体层连接。连接电极15是用于与安装有电阻、电容等其他电子部件的主基板连接的外部连接电极，为了焊接而在表面具有金层。
[0047]图3是LED装置10的制造工序的说明图。
[0048]首先，在图3的(a)示出的准备工序中，准备大张荧光体片Ila和LED管芯16。此时，选择好具有与荧光体片11的波长变换特性相符合的发光特性的LED管芯16，以得到所希望的发光颜色。通过对大张荧光体片Ila单片化得到多个荧光体片11 (参照图1、图2)。将100至1000个LED管芯16贴附到大张荧光体片Ila上，但是在图3的(a)中仅示出两个LED管芯16 (以下相同)。由于大张荧光体片Ila很薄，因此没有图示将其放置于支撑台上(以下相同)。图3的(a)?图3的(e)的各工序限定于仅对大张荧光体片Ila的单面的处理，进一步地，由于利用了重力，因此相对于图1将上下方向倒置地进行图示。
[0049]接着，在图3的(b)示出的元件排列工序(I)中，将粘结材料17涂布于大张荧光体片11a。涂布可以用印刷法，使涂布粘结材料17的区域与LED管芯16的平面的大小相同。另外，也可以将粘结材料17涂布在LED管芯16的蓝宝石基板13上(参照图2)。在该情况下，也可以用拣选器(或者分类器)拿起LED管芯16，暂时将粘结材料附在LED管芯16上，这之后再贴附在大张荧光体片Ila上。
[0050]接着，在图3的(C)示出的元件排列工序(2)中，将LED管芯16的蓝宝石基板13(参照图2)贴附于大张荧光体片11a。也可以用拣选器等将LED管芯16 —个一个地配置在大张荧光体片Ila上。并且，也能够暂时先将多个LED管芯16排列在其他的粘着片上，将该多个LED管芯16 —起地贴附到大张荧光体片11a。当完成将LED管芯16配置在大张荧光体片Ila上之后，加热使粘结材料17固化。另外，该固化也可以是交联不完全的临时固化。
[0051]接着，在图3的(d)示出的荧光树脂填充工序中，将荧光树脂12填充于LED管芯16的侧部，这之后加热使荧光树脂12固化。填充时预先用未图示的阻塞材料包围好大张荧光体片Ila的外周部，用分配器滴下准确计量了的固化前的荧光树脂12。另外，若先将连接电极15设定得稍厚的话，也允许荧光树脂12多多少少覆盖半导体层14 (参照图1)。由于半导体层14被保护膜覆盖着，因此允许填充量稍微少一点。
[0052]最后，在图3的(e)不出的单片化工序中，将大张灭光体片Ila以及灭光树脂12切断，单片化成LED装置。使用切片机进行切断。在切断之前，先将大张荧光体片Ila从上述支撑台移到切割胶带上。由于能够在切断工序中将不良发生率的增加抑制到较低，因此也可以在单片化前的大张状态下完成对各LED装置10的电气以及光学检查。
[0053]使用积分球，将如上所述得到的LED装置10和用白色反射构件217b (参照图11)覆盖LED管芯216b (参照图11)的侧面并在上表面贴附了荧光体片211b (参照图11)的LED装置200 (参照图11)的总光通量进行了比较。此时，当使65mA的电流流过LED装置200和LED装置10并使其发光后，相对于LED装置200的总光通量为23.01m, LED装置10的总光通量为26.51m。另外，在LEDlO和LED200中，荧光体片11和211b以及LED管芯16和216b使用相同的。
[0054]图4是另一个LED装置40的剖面图。
[0055]如图1?图3所示，在LED装置10的底面，露出有半导体层14。但是也可以不露出半导体层14。因此在图4示出的LED装置40中，具有不在底面露出半导体层14的结构。图4示出的LED装置40和图2示出的LED装置10的差异仅在于，在LED装置40中，荧光树脂12在底部对半导体层14的去除连接电极15的部分进行覆盖。
[0056]LED40能够通过在图3的(d)的荧光树脂填充工序中多填充一些荧光树脂12，在荧光树脂12固化后对荧光树脂12的上表面侧进行研磨并使连接电极15露出，来进行制造。如果LED装置40的底部存在荧光树脂12的话，就能够保护半导体层14不受底部的污染影响，进一步地由于能够对从半导体层14的底部周边漏出的蓝色光进行波长变换，因此能够提高发光效率。除此之外，如果将LED装置40安装在透明的主基板上，就能够提供主基板两面都发光的发光模块。
[0057]图5是更另一个LED装置50的剖面图。
[0058]图5示出的LED装置50也同样具有不使半导体层14露出的结构。图5示出的LED装置50和图2示出的LED装置10的差异仅在于，在LED装置50中，白色反射构件18在底部对半导体层14的去除连接电极15的部分进行覆盖。
[0059]LED装置50能够通过在图3的(d)的荧光树脂填充工序中对荧光树脂12进行填充并使其固化后，进一步地追加白色反射构件18，使白色反射构件18固化之后对白色反射构件18的上表面侧进行研磨并使连接电极15露出，来进行制造。如果LED装置50的底部存在白色反射构件18的话，就能够与LED装置一样地保护半导体层14不受底部的污染影响，进一步地能够对从半导体层14的底部周边漏出的蓝色光进行反射，提高发光效率。白色反射构件18是硅树脂、有机聚硅氧烷等在粘合剂中混揉了氧化钛、氧化铝等反射性微粒形成的部件，通过加热进行固化。
[0060]图6是示出更另一个LED装置60的外观，图6的(a)是俯视图，图6的(b)是主视图，图6的(c)是底视图。
[0061]在LED装置10、40以及50中，在LED管芯16的底面形成的连接电极15是外部连接电极(参照图2、图4以及图5)。但是，LED装置不仅限于设置外部连接电极于LED管芯16的底面的情况，如在半导体装置的封装中众所周知的那样，也可以将LED管芯16安装于子安装基板或引线框。因此，在LED装置60中，将LED管芯16安装于子安装基板64。
[0062]如图6的(a)所示，从上部注视LED装置60的话，可以观察到长方形的荧光体片
11。如图6的(b)所示，从正面注视LED装置60的话，可以观察到荧光体片11下的粘结材料65、荧光树脂12和子安装基板64。子安装基板64在基体材料62的下方具有两个连接电极63。如图6的(c)所示，从下方注视LED装置60的话，可以观察到被基体材料62包围的两个连接电极63。这样一来，LED装置60就与LED装置10 —样，荧光体片11的平面形状与荧光树脂12的周围的形状相同，荧光体片11的平面形状确定LED装置60的整体的平面外形。
[0063]图7是图6的(a)的BB’剖面图。
[0064]在LED装置60中，LED管芯16的侧部以及底部被荧光树脂12覆盖，LED管芯16以及荧光树脂12的上部通过粘结材料65与荧光体片11粘合。LED管芯16被倒装安装在子安装基板64上。子安装基板64在基体材料62的上表面和下表面具有连接电极61和63，连接电极61与LED管芯16的连接电极15连接，连接电极63是外部连接电极。另外，考虑到成本和热传导性等，基体材料62例如从能够利用配备于表面的绝缘层来维持与连接电极61、63等布线要素绝缘的状态的金属板、陶瓷板或者树脂板等中选择。为了在将LED装置60安装于主基板时不使连接部熔化，用高熔点的焊锡对连接电极61和连接电极15进行连接。
[0065]图8是LED装置60的制造工序的说明图。
[0066]首先，在图8的(a)示出的准备工序中，准备大张子安装基板64a和LED管芯16。此时，统一好LED管芯16的发光特性。并且，如果对大张子安装基板64a单片化的话，就得到多个子安装基板64 (参照图6和图7)。将100至1000个LED管芯16与大张子安装基板64a连接，但是在图8的(a)中仅示出两个LED管芯16 (以下相同)。没有图示将大张子安装基板64a放置于支撑台上(以下相同)。
[0067]接着，在图8的(b)示出的元件排列工序中，排列LED管芯16，使得LED管芯16的连接电极15接触到大张子安装基板64a的连接电极61，这之后进行加热并对连接电极61和连接电极15进行连接。也可以用拣选器等将LED管芯16 —个一个地配置到大张子安装基板64a上。并且，也能够暂时先使多个LED管芯16排列在其他的粘着片上，将该多个LED管芯16 —起地配置到大张子安装基板64a上。[0068]接着，在图8的(c)示出的荧光树脂填充工序中，将荧光树脂12填充于LED管芯16的侧部，这之后加热使荧光树脂12固化。填充时预先用未图示的阻塞材料包围大张子安装基板64a的外周部，用分配器滴下准确计量了的固化前的荧光树脂12。另外，在稍多地滴下荧光树脂12或者采用刮刀法的情况下，也可以填充荧光树脂12使其固化之后，研磨荧光树脂12的上部使蓝宝石基板13的上表面露出。
[0069]接着，在图8的(d)不出的大张灭光体片贴附工序(I)中，将粘结材料65涂布于监宝石基板13以及荧光树脂12的整个上表面。
[0070]接着，在图8的(e)示出的大张荧光体片贴附工序(2)中，对大张荧光体片Ila进行贴附。此时为了得到所希望的发光颜色，选择具有与LED管芯16的发光特性符合的大张荧光体片11a。
[0071]最后，在图8的(f)不出的单片化工序中，切断大张灭光体片11a、灭光树脂12以及大张子安装64a，得到单片化的LED装置60。使用切片机进行切断。在切断之前，先将大张子安装基板64a从上述支撑台移到切割胶带上。由于能够在切断工序中将不良发生率的增加抑制到较低，因此也可以在单片化前的大张的状态下完成对各LED装置60的电气以及光学检查。
[0072]图9是更另一个LED装置90的剖面图。
[0073]图6?图8示出的LED装置60将LED管芯16倒装安装在子安装基板64上。但是，在LED装置中，不仅限于将LED管芯16安装在子安装基板64上的情况，例如也可以安装在引线框或者引脚上。因此，在LED装置90中，将LED管芯16倒装安装在引脚91上。
[0074]在LED装置90中，LED管芯16的侧部、底部以及引脚91的侧部被荧光树脂12覆盖，LED管芯16以及荧光树脂12的上部通过粘结材料65与荧光体片11粘合。LED管芯16被倒装安装在引脚91上。引脚91是将大张的引线框单片化得到的，上表面与LED管芯16的连接电极15连接，下表面是外部连接电极。和LED装置60 —样，在将LED装置90安装于主基板时，为了不使连接部熔化，用高熔点的焊锡连接引脚91与连接电极15。
[0075]对于LED装置90，也可以对图8示出的LED装置60的制造工序，将大张子安装基板64a置换为大张的引线框。由于大张的引线框有间隙，因此既可以将大张的引线框配置在片上并填充荧光树脂12，也可以使用模具来填充荧光树脂12。在蓝宝石基板13的上表面或者引脚91的下表面附着荧光树脂12时，只要通过研磨去除不需要的荧光树脂12即可。
[0076]对于LED装置90，由于存在覆盖LED管芯16的底部和引脚91的侧部的荧光树脂12，因此能够保护半导体层14不受LED装置90的底部的污染影响，进一步地能够缓和从主基板向LED管芯16进入LED装置90的应力。并且，由于能够对从半导体层14的底部周边漏出的蓝色光进行波长变换，因此能够提高发光效率。并且，与LED40 —样，LED装置90也能够利用在底面侧射出的光。
[0077]符号说明
[0078]10、40、50、60、90 =LED装置(半导体发光装置)，
[0079]11:荧光体片，
[0080]Ila:大张荧光体片，
[0081]12:荧光树脂，
[0082]13:蓝宝石基板(透明绝缘基板)，[0083]14:半导体层，
[0084]15、61、63:连接电极，
[0085]16 =LED管芯(半导体发光元件)，
[0086]17,65:粘结材料，
[0087]18:白色反射构件，
[0088]62:基体材料，
[0089]64:子安装基板，
[0090]64a:大张子安装基板，
[0091]91:引脚。
【权利要求】
1.一种半导体发光装置，其特征在于，具有: 透明绝缘基板； 半导体发光元件，所述半导体发光元件具有在所述透明绝缘基板的下表面形成的半导体层； 荧光树脂，所述荧光树脂覆盖所述透明绝缘基板的侧面，并对所述半导体发光元件的发光的一部分进行波长变换；以及 荧光体片，所述荧光体片覆盖所述荧光树脂的上表面，且贴附于所述透明绝缘基板， 所述荧光体片的平面形状与所述荧光树脂的周围形状相同， 所述荧光体片的所述平面形状确定整个装置的平面外形。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 在所述半导体发光元件的下表面还具有用于与主基板的电极连接的连接电极。
3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述半导体发光元件被倒装安装在子安装基板上。
4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述半导体发光元件被倒装安装在引脚上。
5.如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述半导体发光元件的下表面的、去除所述连接电极所占区域的区域被所述荧光树脂覆盖。
6.如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述半导体发光元件的下表面的、去除所述连接电极所占区域的区域被白色反射构件覆盖。
7.如权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于， 在所述半导体发光元件的下表面还具有用于与所述引脚连接的连接电极， 去除所述连接电极所占区域的所述半导体发光元件的下表面以及所述引脚的侧面被所述荧光树脂覆盖。
【文档编号】H01L33/48GK203774363SQ201320712525
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2013年11月12日 优先权日:2012年11月12日
【发明者】小山田和 申请人:西铁城控股株式会社, 西铁城电子株式会社