[0051] 此外，本发明的一些优选实施方案中，OSC材料为包含一种或多种选自噻吩-2， 5-二基，3-取代噻吩-2, 5-二基，任选取代的噻吩并[2, 3-b]噻吩-2, 5-二基，任选取代的 噻吩并[3, 2-b]噻吩-2, 5-二基，硒吩-2, 5-二基，或3-取代的硒吩-2, 5-二基的重复单 元的聚合物或共聚物。
[0052] 进一步优选的p型OSC是包含电子受体和电子供体单元的共聚物。优选实施方案 的优选共聚物是例如包含优选被一个或多个如上定义的基团R所4,8_二取代的苯并[1， 2-b :4, 5-b']二噻吩-2, 5-二基单元，且进一步包含一种或多种选自组A及组B的芳基或 杂芳基单元，优选包含至少一种组A的单元和至少一种组B的单元的共聚物，其中组A由具 有电子供体性质的芳基或杂芳基组成而组B由具有电子受体性质的芳基或杂芳基组成，且 优选地，
[0053] 组A由以下组成：硒吩-2, 5-二基，噻吩-2, 5-二基，噻吩并[3, 2-b]噻吩-2, 5-二 基，噻吩并[2, 3-b]噻吩-2, 5-二基，硒吩并[3, 2-b]硒吩-2, 5-二基，硒吩并[2, 3-b] 硒吩-2, 5-二基，硒吩并[3, 2-b]噻吩-2, 5-二基，硒吩并[2, 3-b]噻吩-2, 5-二基，苯 并[1，2-b :4, 5-b']二噻吩-2, 6-二基，2, 2-二噻吩，2, 2-二硒吩，二噻吩并[3, 2-b : 2'，3'-(1]噻咯-5,5-二基，4!1-环戊[2，1-13:3,4-13，]二噻吩-2,6-二基，2,7-二-噻 吩-2_基-咔唑，2,7-二-噻吩-2-基-芴，引达省（丨11(1 &。611〇)并[1，2-13:5,6-1^]二噻 吩-2,7-二基，苯并[1"，2" :4,5;4"，5":4'，5']双（噻咯（811〇16)并[3,2-13 : 3'，2'-13，]噻吩）-2,7-二基，和2,7-二-噻吩-2-基-引达省并[1，2-13:5,6-13，]二 噻吩，2,7_ 二-噻吩-2-基-苯并[1〃，2":4,5;4"，5":4' ,5']双（噻咯并[3,2-b: 3'，2< ]噻吩）-2,7-二基和 2,7-二-噻吩-2-基-菲并[1，10,9,8-。，(1，6，尺8] 咔唑，它们全部任选地被一个或多个、优选一个或两个如上定义的基团R所取代，和
[0054] 组B由以下组成：苯并[2, 1，3]噻二唑-4, 7-二基，5, 6-二烷基-苯并[2,1，3] 噻二唑-4, 7-二基，5, 6-二烷氧基苯并[2, 1，3]噻二唑-4, 7-二基，苯并[2, 1，3]硒二 唑-4, 7-二基，5, 6-二烷氧基-苯并[2, 1，3]硒二唑-4, 7-二基，苯并[1，2, 5]噻二 唑-4, 7-二基，苯并[1，2, 5]硒二唑-4, 7-二基，苯并[2, 1，3]噁二唑-4, 7-二基，5, 6-二 烷氧基苯并[2, 1，3]噁二唑-4, 7-二基，2H-苯并三唑-4, 7-二基，2, 3-二氰基-1，4-亚苯 基，2, 5-二氛基，1，4-亚苯基，2, 3-二氣_1，4-亚苯基，2, 5-二氣_1，4-亚苯基，2, 3, 5, 6-四 氣-1，4_亚苯基，3, 4_二氣噻吩_2, 5_二基，噻吩并[3, 4_b]啦嘆_2, 5_二基，卩奎喔 啉-5, 8-二基，噻吩并[3, 4-b]噻吩-4, 6-二基，噻吩并[3, 4-b]噻吩-6, 4-二基，和3, 6-吡 咯并[3, 4-c]吡咯-1，4-二酮，它们都任选地被一个或多个、优选一个或两个如上定义的R 基团取代。
[0055] 在本发明的其它优选实施方案中，OSC材料是取代的寡并苯诸如并五苯、并四苯或 蒽，或其杂环衍生物。例如在US6690029或W02005/055248A1或US7385221中公开的双（三 烷基甲硅烷基乙炔基）寡并苯或双（三烷基甲硅烷基乙炔基）杂并苯也适用。
[0056] 如W02005/055248A1中所述，在适宜且需要调整流变特性的情况下，本发明的一 些实施方案采用了包含一种或多种有机粘结剂的OSC组合物。
[0057] 该粘结剂通常为聚合物，可包含绝缘粘结剂或半导体粘结剂或其混合物，它们在 本文中称为有机粘结剂，聚合物粘结剂或简单称为粘结剂。
[0058] 根据本发明的优选粘结剂为低介电常数的材料，即具有介电常数ε为3. 3或更低 的那些。该有机粘结剂优选具有3.0或更低、更优选2. 9或更低的介电常数ε。优选有机 粘结剂介电常数ε为1.7或更高。特别优选粘结剂的介电常数范围为2. 0-2. 9。尽管不 希望受任何特定理论约束，据信使用介电常数ε大于3. 3的粘结剂可导致电子器件（例如 0FET)中OSC层迀移率减小。此外，高介电常数粘结剂可导致器件电流滞后增加，这是不希 望的。
[0059] 合适的有机粘结剂的例子包括聚苯乙烯，或苯乙烯与α-甲基苯乙烯的聚 合物或共聚物，或可适宜使用包括苯乙烯、α-甲基苯乙烯和丁二烯的共聚物。例如 US2007/0102696A1中公开了其它适合粘结剂的例子。
[0060] 在一类优选实施方案中，有机粘结剂是至少95 %的原子、优选至少98 %的原子和 最优选所有原子由H、F和C原子组成的那些。
[0061] 粘结剂优选能形成膜，更优选柔性膜。
[0062] 粘结剂也可选自可交联粘结剂，如丙烯酸酯、环氧化物、乙烯基醚、及硫醇烯 (thiolene)，优选具有足够低得介电常数，更优选为3. 3或更低。粘结剂也可为介晶或液 晶。
[0063] 在另一个优选实施方案中，粘结剂是半导体粘结剂，其包含共轭键，尤其是共轭双 键和/或芳环。合适和优选的粘结剂为例如在US6630566中公开的聚三芳基胺。
[0064] 粘结剂与OSC之比通常为以重量计20 : 1至1 : 20,优选10 : 1至1 : 10,更 优选5 : 1至1 : 5,又更优选3 : 1至1 : 3,进一步优选2 : 1至1 : 2,尤其为1 : 1。 已发现将式I化合物在粘结剂中稀释对电荷迀移率几乎无或无不利影响，这与现有技术预 期的相反。
[0065] 平坦化层、介电层和栅绝缘层
[0066] 本发明电子器件的平坦化层、介电层和栅绝缘层可以是任何合适的介电材料。优 选的介电材料是以下所定义的多环稀径。
[0067] 本发明的场效应晶体管优选采用由介电常数ε最多3.0的介电材料组成的介电 层。更优选地，所述介电常数ε是1.3-3. 0的范围，更优选1.7-3. 0,仍然更优选2. 0-3.0 或2. 5-3.0。或者在一些场效应晶体管中，所述介电常数ε可以是2. 0-2. 6。
[0068] 如本文中定义，术语"多环烯烃"，"多环状烯烃"和"降冰片烯型"可以互换使用且 指可加成聚合的单体，或所得的重复单元，包括至少一种降冰片烯部分，诸如以下所示结构 Al或A2的降冰片烯部分。最简单的降冰片烯型或多环状烯烃单体双环[2. 2. 1]庚-2-烯 (Al)通常被称为降冰片烯。
[0069]
【主权项】
1. 制造电子器件的方法，其中使用溶胀溶剂选择性地溶胀层，从而形成界定井的堤结 构。
2. 根据权利要求1的方法，所述方法包括以下步骤： a) 将包含多环烯烃聚合物的材料沉积在基板上以形成层；和 b) 使用溶胀溶剂选择性地溶胀所述层从而形成界定井的堤结构。
3. 根据前述权利要求任一项或多项的方法，所述方法包括以下步骤： a'）将包含多环烯烃聚合物的材料沉积在基板上以形成层； b'）使所述层的表面的一部分曝光于光化辐射；和 c'）使用溶胀溶剂选择性地溶胀所述层从而形成界定井的堤结构。<