br>4. 根据权利要求1-3的一项或多项的方法，所述方法包括以下步骤： I_a)提供基板（1); I_b)在所述基板⑴上形成栅电极（2); I-c)将包含多环烯烃聚合物的介电材料沉积在所述栅电极（2)和所述基板（1)上以形 成介电层（3); I-d)在所述介电层（3)上形成源电极和漏电极（5)，使得所述源电极和漏电极（5)用 位于所述源电极和漏电极（5)之间的沟道区域（6)间隔开来； I_e)将所述介电层（3)的表面的一部分曝光于光化辐射使得曝光部分延伸至少超过 沟道区域（6); I-f)随后用溶胀溶剂溶胀所述介电层（3)，从而形成界定井的堤结构（8a，8b)，所述井 延伸至少超过沟道区域；和 I_g)将半导体材料（7)的层沉积在由所述堤结构（8a，8b)界定的所述井中。
5. 根据权利要求1-3的一项或多项的方法，所述方法包括以下步骤： II_a)提供基板（1); II-b)在所述基板（1)上形成栅电极（2); II-c)将包含多环烯烃聚合物的介电材料沉积在所述栅电极（2)和所述基板（1)上以 形成介电层（3); II-d)将所述介电层（3)的表面的一部分曝光于光化福射； II-e)随后用溶胀溶剂溶胀所述介电层（3)，从而形成界定井的堤结构（8a，8b); II-f)在所述介电层（3)上的井中形成源电极和漏电极（5)，使得源电极和漏电极（5) 用位于所述源电极和漏电极（5)之间的沟道区域（6)间隔开来； II-g)将半导体材料（7)的层沉积在由所述堤结构（8a，8b)界定的所述井中。
6. 根据权利要求1-3的一项或多项的方法，所述方法包括以下步骤： III-a)提供基板（1'）； III-b)将包含多环烯烃聚合物的介电材料沉积在所述基板（1'）上以形成平坦化层 (4,）； III-c)在所述平坦化层（4'）上形成源电极和漏电极（5'）使得所述源电极和漏电极 (5'）用位于所述源电极和漏电极（5'）之间的沟道区域（6'）间隔开来； III-d)将所述平坦化层（4'）的表面的一部分曝光于光化辐射使得曝光部分延伸至少 超过沟道区域（6'）； III-e)随后在溶胀溶剂中溶胀所述平坦化层（4'），从而形成界定井的堤结构 (8a'，8b'），所述井延伸至少超过沟道区域（6'）； III-f)将半导体材料（7'）的层沉积在由所述堤结构（8a'，8b'）界定的井中； III-g)随后将另外的介电材料沉积以形成栅绝缘层（10'）；和 III-h)在所述栅绝缘层（10'）上形成栅电极（2'）。
7. 根据权利要求1-3的一项或多项的方法，所述方法包括以下步骤： IV-a)提供基板（1'）； IV-b)将包含多环烯烃聚合物的介电材料沉积在所述基板（1'）上以形成平坦化层 (4,）； IV-c)将所述平坦化层（4'）的表面的一部分曝光于光化辐射； IV-d)随后在溶胀溶剂中溶胀所述平坦化层（4'），从而形成界定井的堤结构 (8a，，8b'）； IV-e)在所述平坦化层（4'）上形成源电极和漏电极（5'），使得所述源电极和漏电极 用位于所述源电极和漏电极（5'）之间的沟道区域（6'）间隔开来； IV-f)将半导体材料（7'）的层沉积在由所述堤结构（8a'，8b'）界定的井中； IV-g)随后将另外的介电材料沉积以形成栅绝缘层（10'）；和 IV-h)在所述栅绝缘层（10'）上形成栅电极（2'）。
8. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中曝光部分和井延伸至少超过沟道区域 和源电极或漏电极之一或源电极和漏电极二者的至少一部分。
9. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中多环烯烃聚合物是降冰片烯型聚合 物。
10. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述多环烯烃聚合物包含两种或更 多种不同类型的重复单元。
11. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述多环烯烃聚合物包含含有侧链 可交联基团的重复单元。
12. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述多环烯烃聚合物包含重复单元， 其包含取代的或未取代的马来酰亚胺部分、环氧部分、乙烯基部分、乙炔部分、茚基部分、肉 桂酸酯部分或香豆素部分。
13. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述多环烯烃聚合物包含衍生自以 下的重复单元
14. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述溶胀溶剂是包含化学基团的有 机化合物，所述化学基团选自-〇_、-OH、-C( = 0)-、-C( = 0) 0-和-COOH。
15. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述溶胀溶剂是包含-0H和C(= 〇)〇-的化学基团的有机化合物。
16. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述溶胀溶剂是式H〇-(CRxRy_) sC00Rz，其中Rx和Ry彼此独立地选自氢和具有1-10个碳原子的烷基，和s为1、2或3。
17. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述溶胀溶剂是乳酸乙酯 (H5C2-〇-C( = 0)-c(OH) -CH3) 〇
18. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述有机电子器件选自有机场效应 晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光二极管和有机光伏器件。
19. 根据前述权利要求的一项或多项的方法，其中所述有机电子器件是顶栅有机场效 应晶体管或底栅有机场效应晶体管。
20. 通过权利要求1-19的一项或多项的方法获得的堤结构。
21. 有机电子器件中的堤结构，其中所述堤结构包含多环烯烃聚合物或如在权利要求 9-13的任一项进一步限定的多环烯烃聚合物，和所述堤结构进一步包含溶胀溶剂或如在权 利要求14-17的一项或多项进一步限定的溶胀溶剂。
22. 有机电子器件，包含基板、栅电极、至少一个介电层、源电极和漏电极、与位于源电 极和漏电极之间的沟道区域、界定井的堤结构，所述井延伸至少超过沟道区域、半导体层， 其中所述堤结构包含多环烯烃聚合物和溶胀溶剂。
23. 根据权利要求22的有机电子器件，其中所述堤结构由介电层的一部分形成，所述 介电层包含多环烯烃聚合物或如在权利要求9-13的任一项进一步限定的多环烯烃聚合 物。
24. 根据权利要求22或权利要求23的有机电子器件，其中包含多环烯烃聚合物或如在 权利要求9-13的任一项进一步限定的多环烯烃聚合物的介电层或平坦化层的沟道区域的 厚度与堤结构的厚度的比例为至少1. 2。
25. 通过权利要求1-19的一项或多项的方法获得的有机电子器件。
26. 包含根据权利要求22-24的一项或多项的有机电子器件的产品或组件，所述产品 或组件选自集成电路、射频识别标签，包含射频识别标签的安全标记或安全器件、平板显 示器、FH)的背板、平板显示器的背光、电子照相器件、电子照相记录器件、有机存储器件、传 感器、生物传感器或生物芯片。
【专利摘要】本发明涉及制造有机电子器件的方法，其中用溶胀溶剂选择性地溶胀层以形成堤结构(8a,8b)，从而允许半导体材料(7)沉积在特定的并且明确界定的区域。本发明进一步涉及通过所述方法制造的堤结构，有机电子器件以及产品或组件。
【IPC分类】H01L51-40, H01L27-32, H01L51-05
【公开号】CN104781945
【申请号】CN201380057679
【发明人】R·宾塔德, 陈莉惠, T·巴克隆德
【申请人】默克专利股份有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2013年10月16日
【公告号】EP2917948A1, US20150270318, WO2014072016A1