拍摄装置的制造方法及拍摄装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及拍摄装置的制造方法及拍摄装置，尤其能够在具有图像传感器用的光电二极管的拍摄装置的制造方法中合适地利用。
【背景技术】
[0002]在数码相机等中，采用了例如具有CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor;互补金属氧化物半导体）图像传感器的拍摄装置。在这样的拍摄装置中，形成有：配置有将所入射的光转换成电荷的光电二极管的像素区域；和配置有将由光电二极管转换成的电荷作为电信号进行处理等的外围电路的外围电路区域。在像素区域中，在光电二极管中产生的电荷通过传输用晶体管而被向浮置扩散（Floating Diffusion)区域传输。传输来的电荷在外围电路区域中通过放大用晶体管而被转换成电信号，并作为图像信号输出。作为公开了拍摄装置的文献，有日本特开2010-56515号公报（专利文献I)及日本特开2006-319158号公报（专利文献2)。
[0003]在拍摄装置中，一直为了高感光度化和低耗电化而推进微细化。若伴随着微细化，处理电信号的场效应型晶体管的栅极电极的栅极长度为IOOnm以下，则会采用用于确保实际起作用的栅极长度以改善晶体管特性的手段。即，在形成侧壁绝缘膜之前，在已在栅极电极的侧壁面上形成了偏移隔离（offset spacer)膜的状态下进行外延注入（LDD(LightlyDoped Drain;轻掺杂漏）注入）。由此，能够确保场效应型晶体管的实际起作用的栅极长度。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献I:日本特开2010-56515号公报
[0007]专利文献2:日本特开2006-319158号公报
【发明内容】
[0008]然而，在以往的拍摄装置中，存在下面这样的问题。偏移隔离膜通过对以覆盖栅极电极等的方式形成于半导体衬底的表面上的、作为侧壁隔离膜的绝缘膜的整个面实施各向异性蚀刻处理（回蚀刻处理）而形成。因此，在光电二极管中，由于将覆盖光电二极管的绝缘膜除去时的干蚀刻处理，所以会发生损伤（等离子体损伤）。一旦光电二极管中发生损伤，暗电流就会增加，导致光电二极管中即使没有光入射也会有电流流过的情况。
[0009]关于其他技术问题及新的特征，根据本说明书的记载以及附图能够得以明确。
[0010]在一实施方式的拍摄装置的制造方法中，以覆盖元件形成区域及栅极电极的方式形成作为偏移隔离膜的第一绝缘膜。使第一绝缘膜中覆盖光电转换部的部分残留，并对第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极的侧壁面形成偏移隔离膜。通过实施湿蚀刻处理而将覆盖光电转换部的第一绝缘膜的部分除去。
[0011]在另一实施方式的拍摄装置的制造方法中，以覆盖元件形成区域及栅极电极的方式形成作为偏移隔离膜的第一绝缘膜。使第一绝缘膜中覆盖光电转换部的部分残留，并对第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极部的侧壁面形成偏移隔离膜。
[0012]在另外再一实施方式的拍摄装置中，在隔着传输栅极电极而位于一侧的像素区域的部分形成有光电转换部。以除配置有光电转换部的区域以外的状态，在栅极电极的侧壁面形成有偏移隔离膜。
[0013]发明的效果
[0014]根据一实施方式的拍摄装置的制造方法，能够制造出抑制暗电流的拍摄装置。
[0015]根据另一实施方式的拍摄装置的制造方法，能够制造出抑制暗电流的拍摄装置。
[0016]根据另外再一实施方式的拍摄装置，能够抑制暗电流。
【附图说明】
[0017]图I是示出各实施方式的拍摄装置中的像素区域的电路的框图。
[0018]图2是示出各实施方式的拍摄装置的像素区域的等价电路的图。
[0019]图3是示出各实施方式的拍摄装置的一个像素区域的等价电路的图。
[0020]图4是示出各实施方式的拍摄装置的像素区域下部的平面布局的一例的局部平面图。
[0021]图5是示出各实施方式的拍摄装置的像素区域上部的平面布局的一例的局部平面图。
[0022]图6是示出各实施方式的拍摄装置的制造方法中的主要部分的部分流程图。
[0023]图7A是示出实施方式I的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
[0024]图7B是示出实施方式I的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
[0025]图8A是示出在该实施方式中在图7A及图7B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0026]图8B是示出在该实施方式中在图7A及图7B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0027]图9A是示出在该实施方式中在图8A及图8B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0028]图9B是示出在该实施方式中在图8A及图8B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0029]图IOA是示出在该实施方式中在图9A及图9B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0030]图IOB是示出在该实施方式中在图9A及图9B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0031]图IlA是示出在该实施方式中在图IOA及图IOB所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0032]图IlB是示出在该实施方式中在图IOA及图IOB所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0033]图12A是示出在该实施方式中在图IlA及图IlB所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0034]图12B是示出在该实施方式中在图IlA及图IlB所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0035]图13A是示出在该实施方式中在图12A及图12B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0036]图13B是示出在该实施方式中在图12A及图12B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0037]图14A是示出在该实施方式中在图13A及图13B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0038]图14B是示出在该实施方式中在图13A及图13B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0039]图15A是示出在该实施方式中在图14A及图14B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0040]图15B是示出在该实施方式中在图14A及图14B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0041]图16A是示出在该实施方式中在图15A及图15B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0042]图16B是示出在该实施方式中在图15A及图15B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0043]图17A是示出在该实施方式中在图16A及图16B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0044]图17B是示出在该实施方式中在图16A及图16B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0045]图18A是示出在该实施方式中在图17A及图17B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0046]图18B是示出在该实施方式中在图17A及图17B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0047]图19A是示出在该实施方式中在图18A及图18B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0048]图19B是示出在该实施方式中在图18A及图18B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0049]图20A是示出在该实施方式中在图19A及图19B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0050]图20B是示出在该实施方式中在图19A及图19B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0051]图21A是示出在该实施方式中在图20A及图20B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0052]图21B是示出在该实施方式中在图20A及图20B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0053]图21C是示出在该实施方式中在图20A及图20B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0054]图22是示出在该实施方式中在图21A?图21C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0055]图23A是示出在该实施方式中在图22所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0056]图23B是示出在该实施方式中在图22所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0057]图23C是示出在该实施方式中在图22所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0058]图24A是示出在该实施方式中在图23A?图23C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0059]图24B是示出在该实施方式中在图23A?图23C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0060]图24C是示出在该实施方式中在图23A?图23C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0061]图25A是示出在该实施方式中在图24A?图24C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0062]图25B是示出在该实施方式中在图24A?图24C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0063]图25C是示出在该实施方式中在图24A?图24C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0064]图26A是示出在该实施方式中在图25A?图25C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0065]图26B是示出在该实施方式中在图25A?图25C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0066]图26C是示出在该实施方式中在图25A?图25C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0067]图27A是示出比较例的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
[0068]图27B是示出比较例的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
[0069]图28A是示出图27A及图27B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0070]图28B是示出图27A及图27B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0071]图29A是示出图28A及图28B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0072]图29B是示出图28A及图28B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0073]图30A是示出图29A及图29B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0074]图30B是示出图29A及图29B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0075]图31A是示出图30A及图30B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0076]图31B是示出图30A及图30B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0077]图32A是示出图31A及图31B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0078]图32B是示出图31A及图31B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0079]图33A是示出图32A及图32B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0080]图33B是示出图32A及图32B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0081]图34A是示出图33A及图33B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0082]图34B是示出图33A及图33B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0083]图35A是示出图34A及图34B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0084]图35B是示出图34A及图34B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0085]图36A是示出图35A及图35B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0086]图36B是示出图35A及图35B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0087]图37A是示出图36A及图36B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0088]图37B是示出图36A及图36B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0089]图38A是示出图37A及图37B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0090]图38B是示出图37A及图37B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0091]图39A是示出实施方式2的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
[0092]图39B是示出实施方式2的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
[0093]图40A是示出在该实施方式中在图39A及图39B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0094]图40B是示出在该实施方式中在图39A及图39B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0095]图40C是示出在该实施方式中在图39A及图39B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0096]图41是示出在该实施方式中在图40A?图40C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0097]图42A是示出在该实施方式中在图41所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0098]图42B是示出在该实施方式中在图41所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0099]图43A是示出在该实施方式中在图42A及图42B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0100]图43B是示出在该实施方式中在图42A及图42B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0101]图43C是示出在该实施方式中在图42A及图42B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0102]图44A是示出在该实施方式中在图43A?图43C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0103]图44B是示出在该实施方式中在图43A?图43C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0104]图44C是示出在该实施方式中在图43A?图43C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0105]图45是示出在该实施方式中在图44A?图44C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0106]图46A是示出在该实施方式中在图45所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0107]图46B是示出在该实施方式中在图45所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0108]图46C是示出在该实施方式中在图45所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0109]图47A是示出在该实施方式中在图46A?图46C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0110]图47B是示出在该实施方式中在图46A?图46C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0111]图47C是示出在该实施方式中在图46A?图46C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0112]图48A是示出在该实施方式中在图47A?图47C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0113]图48B是示出在该实施方式中在图47A?图47C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
[0114]图48C是示出在该实施方式中在图47A?图47C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0115]图49是用于说明在实施方式I或实施方式2中拍摄装置的像素区域中的硅化物保护膜等的作用效果的图。
[0116]图50A是示出实施方式3的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
[0117]图50B是示出实施方式3的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
[0118]图5IA是示出在该实施方式中在图50A及图50B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0119]图51B是示出在该实施方式中在图50A及图50B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0120]图52A是示出在该实施方式中在图51A及图51B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0121]图52B是示出在该实施方式中在图51A及图51B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0122]图53A是示出在该实施方式中在图52A及图52B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0123]图53B是示出在该实施方式中在图52A及图52B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0124]图54A是示出在该实施方式中在图53A及图53B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0125]图54B是示出在该实施方式中在图53A及图53B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0126]图55A是示出在该实施方式中在图54A及图54B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0127]图55B是示出在该实施方式中在图54A及图54B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0128]图56A是示出在该实施方式中在图55A及图55B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0129]图56B是示出在该实施方式中在图55A及图55B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0130]图57A是示出在该实施方式中在图56A及图56B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0131]图57B是示出在该实施方式中在图56A及图56B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0132]图58A是示出在该实施方式中在图57A及图57B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
[0133]图58B是示出在该实施方式中在图57A及图57B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
[0134]图59A是示出在该实施方式中在图58A及图58B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。