[0068]所述离子束流透过单元与基板之间的距离，没有特别限定，优选大于I米，由此，能够进一步避免离子束流发散带来的干扰，更加准确地判断离子束流是否平行且垂直于基板入射。
[0069]所述测量电流的步骤，只要能够测出基板上的电流即可，并没有特别限制，例如，可以使用电流收集装置沿着与细缝的长度方向垂直的方向从基板的一个边缘向另一个边缘扫描。所述电流收集装置，并没有特别限定，例如可以使用霍尔电流传感器等本领域公知的电流收集装置。
[0070]下面，通过实施例对本发明进行更详细的说明。
[0071]实施例1
[0072]如图3所示，使待测定的离子束流I (离子束流注入机型号Magic-170、生产厂家MES-Afty公司，离子源BF3，电压80KeV)通过离子束流透过单元31射向在基板放置单元上放置的玻璃基板11，并通过电流收集单元(离子束流注入机中自带)33测量玻璃基板11上的电流，并且，所述基板放置单元上放置的玻璃基板11与所述离子束流透过单元31平行。
[0073]所述离子束流透过单元31是石墨治具，所述细缝的宽度是8_，所述细缝之间的间距是100mm。
[0074]所述玻璃基板11的尺寸是730mm*920mm。
[0075]并且，所述离子束流透过单元31与玻璃基板11之间的距离1.5米。
[0076]所测定的结果如图4所示，在图4中，横轴表示离子束流位置(_)，并且将玻璃基板11上的与离子束流透过单元的中间细缝对应的标准位置线的位置表示0mm，并且相应地将两侧的与各细缝对应的标准位置线的位置表示-300mm、-200mm, -100mm、100mm、200mm、300mm ;纵轴表示离子束流电流强度(mA/cm)。并且，在图4中，在对应于细缝的宽度8mm的位置上均检测到了电流，将该电流的中心位置表示为离子束流的位置。
[0077]由图4中可见，电流收集单元测量的离子束流通过细缝入射在基板上的位置与玻璃基板上的相应的标准位置线分别重合，并且基板上的电流的位置间距和离子束流透过单元的细缝间距相等，能够判断离子束流平行且垂直于基板入射。
[0078]实施例2
[0079]如图5所示，使待测定的离子束流2 (离子束流注入机型号Magic-170、生产厂家MES-Afty公司，离子源BF3，电压80KeV)通过离子束流透过单元31，，射向在基板放置单元上放置的玻璃基板11，并通过电流收集单元(离子束流注入机中自带)33测量玻璃基板11上的电流，并且，所述基板放置单元上放置的玻璃基板11与所述离子束流透过单元31，平行。
[0080]所述离子束流透过单元31，是石墨治具，所述细缝的宽度是8_，所述细缝之间的间距是200mm。
[0081]并且，所述玻璃基板11的尺寸是730mm*920mm
[0082]并且，所述离子束流透过单元31，与玻璃基板11之间的距离1.5米。
[0083]所测定的结果如图6所示，在图6中，横轴表示离子束流位置(mm)，并且将玻璃基板11上的与离子束流透过单元的中间细缝对应的标准位置线的位置表示0mm，并且相应地将两侧的与各细缝对应的标准位置线的位置表示-200mm、200_ ;纵轴表示离子束流电流强度(mA/cm)。并且，在图6中，在对应于细缝的宽度8mm的位置上均检测到了电流，将该电流的中心位置表示为离子束流的位置。
[0084]由图6中可见，电流收集单元测量的离子束流通过细缝入射在基板上的位置与玻璃基板上的相应的标准位置线并不重合(均偏移了 6mm)，但是基板上的电流的位置间距和离子束流透过单元的细缝间距相等，能够判断离子束流虽然平行但并非垂直于基板入射(即发生了整体偏移)。
[0085]尽管结合示例性实施例对本发明进行了描述，然而，应当理解，本发明不应局限于所公开的示例性实施例，相反，凡在本发明所附权利要求的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种测定离子束流平行度的装置，其特征在于，其包括: 一基板放置单元，以放置基板于其上； 一离子束流透过单元，具有允许离子束流通过的多条细缝，并和所述基板放置单元上放置的基板平行； 一电流收集单元，测量基板上的电流；以及， 一位置对照单元，以与测量的基板上的电流的位置进行对照。
2.根据权利要求1所述的测定离子束流平行度的装置，其中，所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线和/或在基板上设置的标准位置点。
3.根据权利要求2所述的测定离子束流平行度的装置，其中，所述标准位置线设置有3条以上且10条以下，所述标准位置点设置有3个以上且10个以下。
4.根据权利要求2所述的测定离子束流平行度的装置，其中，所述细缝设置有3条以上且10条以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述细缝之间的间距相等。
6.一种测定离子束流平行度的方法，其特征在于，其包括: 一照射离子束流的步骤，该步骤使离子束流通过具有多条细缝的离子束流透过单元，并照射与所述离子束流透过单元平行放置的基板； 一测量电流的步骤，该步骤测量上述基板上的电流； 一离子束流平行度判断步骤，该步骤判断离子束流是否平行，当所测量的电流的位置与能够与所测量的电流的位置进行对照的位置对照单元一致，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。
7.根据权利要求6所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述位置对照单元是在基板上设置的多条标准位置线和/或在基板上设置的多个标准位置点。
8.根据权利要求6所述的测定离子束流平行度的方法，其中，当所测量的电流位置与位置对照单元一致，并且所测量的电流间的位置间距和所述细缝间的间距相等，则判断离子束流是相互平行地垂直于基板入射。
9.根据权利要求8所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述位置对照单元是在基板上设置的标准位置线和/或在基板上设置的标准位置点。
10.根据权利要求7或9所述的测定离子束流平行度的方法，其中，所述标准位置线设置有3条以上且10条以下，所述标准位置点设置有3个以上且10个以下。
【专利摘要】本发明提供了一种测定离子束流平行度的装置和方法，该装置包括：一基板放置单元，以放置基板于其上；一离子束流透过单元，具有允许离子束流通过的多条细缝，并和所述基板放置单元上放置的基板平行；一电流收集单元，测量基板上的电流；以及，一位置对照单元，以与测量的基板上的电流的位置进行对照。通过测定离子束流平行度的装置或方法，能够直接简单的获得离子束流平行度，避免了传统方法中判断电阻值均匀性时受到离子在硅晶片中的通道效应、离子激活设备温度均匀性以及电阻值测量设备准确度影响，且离子束流透过单元可以重复使用，能够节省购买硅晶片的成本。
【IPC分类】H01J37-244
【公开号】CN104851770
【申请号】CN201410050522
【发明人】严晓龙, 吴建宏, 彭思君, 钟尚骅
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2014年2月13日