充分地上升。结果，在步骤S31的SPM液膜形成工序中，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下从晶片W的表面高效地剥离抗蚀剂。
[0112]当从开始供给SPM液起经过预先决定的SPM液供给时间时，CPU55A控制旋转驱动机构6，使晶片W的旋转从第一转速减至第二转速。第二转速例如为能够在晶片W的表面上保持比SPM液的液膜70厚的SPM液的液膜80的速度(在Irpm?30rpm的范围，例如15rpm)。作为SPM液的液膜80的厚度，例如能够举例示出1.0mm。
[0113]当从开始供给SPM液起经过预先决定的SPM液供给时间时，如图8以及图9B所示，CPU55A关闭硫酸阀18、过氧化氢阀20以及剥离液阀23，停止从剥离液嘴4供给SPM液。另外，CPU55A控制第一液臂摆动机构12，使停止了供给SPM液的剥离液嘴4返回起始位置。SPM液供给时间，应该比形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SPM液的液膜70、80所需的时间更长，而且随着来自剥离液嘴4的SPM液的喷出流量和晶片W的转速(第一转速)不同而不同，但是在3秒?30秒的范围内，例如为15秒。
[0114]另外，CPU55A继续使加热器54照射红外线(步骤S32 =SPM液膜加热工序)。
[0115]在该步骤S32的SPM液膜加热工序中，也基于晶片W的转速决定加热器54功率的大小。具体地说，与步骤S31的SPM液膜形成工序的情况同样地，在加热器54处于接通期间(在图10的步骤S21中为“是”)时，CPU55A基于存储在工艺条件55B中的晶片W的转速和SPM液用的转速-加热器功率对应表55C，决定应该向加热器54供给的电力(图10的步骤S22)，将所决定的电力供给至加热器54。如上所述，在SPM液用的转速-加热器功率对应表55C(参照图6)中，规定了随着晶片W的转速上升而使加热器54的功率降低这样的对应关系，因此加热器54的功率被控制为大于第一功率的第二功率(例如，最大功率的95%左右的功率)。
[0116]第二功率为不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜80的功率。因此，不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SPM液的液膜80的温度充分地上升。结果，在步骤S32的SPM液膜加热工序中，也能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下，从晶片W的表面高效地剥离抗蚀剂。
[0117]在刚刚开始进行步骤S32的SPM液膜加热工序之后，在本实施方式中，加热器54大概配置在中间接近位置(图5中实线所示的位置)。并且，CPU55A继续控制摆动驱动机构36，使加热器54以规定的移动速度从中间接近位置朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
[0118]在加热器54到达中央接近位置之后，在该中央接近位置上继续对晶片W加热规定的时间。在步骤S32的SPM液膜加热工序中，通过由加热器54照射红外线，对晶片W的与加热器头35的底板部52相向的部分进行加热,并且对位于该部分的SPM液的液膜80进行加热。执行步骤S32的SPM液膜加热工序预先决定的加热时间(在2秒?90秒的范围，例如大约40秒)那么多。
[0119]当从加热器54开始照射红外线起经过预先决定的时间时，CPU55A控制加热器54，从而停止照射红外线。另外，CPU55A控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54返回起始位置。
[0120]然后，CPU55A控制旋转驱动机构6，使晶片W加速至规定的第三转速(在300rpm?1500rpm的范围，例如100rpm)，并且打开DIW阀27，从DIW嘴24的喷出口朝向晶片W的旋转中心附近供给DIW(步骤S4:中间冲洗处理工序)。
[0121]供给至晶片W的表面的DIW，借助晶片W旋转的离心力，在晶片W的表面上朝向晶片W的周缘流动。由此，附着于晶片W的表面的SPM液被DIW冲掉。当继续供给DIW并供给预先决定的时间时，关闭DIW阀27，从而停止向晶片W的表面供给DIW。
[0122]接着，如图11所示，CPU55A—边将晶片W的转速维持为第三转速，一边打开SCl阀31，从而从SCl嘴25向晶片W的表面供给SCl (步骤S5 =SCl供给和加热器加热工序)。另夕卜，CPU55A控制第二液臂摆动机构29，使第二液臂28在规定角度范围内摆动，从而使SCl嘴25在晶片W的旋转中心上和周缘部上之间往复移动。这样，晶片W的表面上的来自SCl嘴25的SCl被引导的供给位置，在从晶片W的旋转中心到晶片W的周缘部的范围内，一边描画与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状轨迹一边进行往复移动。由此，SCl遍及晶片W的表面的整个区域，从而形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SCl的薄液膜。
[0123]另外，与向晶片W供给SCl的动作并行地，通过加热器54对晶片W的表面以及SCl的液膜进行加热。具体地说，CPU55A控制加热器54来开始照射红外线，并且控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54从设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置移动至边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)的上方，然后，使加热器54下降至边缘接近位置之后以恒定的速度朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
[0124]在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中，也基于晶片W的转速决定加热器54的功率的大小。具体地说，与步骤S3的SPM供给和加热器加热工序的情况同样地，在加热器54处于接通期间时，CPU55A基于存储在工艺条件55B中的晶片W的转速和SCl用的转速-加热器功率对应表55F，决定应该供给至加热器54的电力(参照图10的步骤S22)，将所决定的电力供给至加热器54。在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中，晶片W的转速为比较大的第三转速，因此加热器54的功率被控制为与第三转速对应的比较小的第三功率。第三功率为在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SCl的液膜的功率。
[0125]另外，在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中，以不使SCl嘴25和加热器54彼此发生干涉的方式，设定SCl嘴25以及加热器54的扫描方式。
[0126]在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中，向晶片W的表面的整个区域均匀地供给SC1，从而能够高效地清洗除去附着于晶片W的表面的颗粒。另外，由于通过加热器54加热SC1，因此SCl具有高活性。结果，能够使清洗效率显著地提高。
[0127]而且，在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中，加热器54的功率被控制为第三功率，因此不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SCl的液膜的温度充分地上升。结果，在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下清洗晶片W的表面。
[0128]此外，在本实施方式中，在步骤S5的SCl供给和加热器加热工序中不变更晶片W的转速，因此，在SCl供给和加热器加热工序中不会变更加热器54的功率。但是，在SCl供给和加热器加热工序中变更晶片W的转速的情况下，也根据该变更的转速来变更加热器54的功率。
[0129]在继续通过加热器54进行加热并进行预先决定的时间时，CPU55A控制加热器54来停止照射红外线，并且控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54返回起始位置。
[0130]在持续供给了 SCl预先决定的时间时，CPU55A关闭SCl阀31，并且控制第二液臂摆动机构29，使SCl嘴25返回起始位置。另外，在将晶片W的转速维持为第三转速的状态下，CPU55A打开DIW阀27，从DIW嘴24的喷出口朝向晶片W的旋转中心附近供给DIW(步骤S6:最终冲洗工序)。
[0131]供给至晶片W的表面的DIW，借助晶片W旋转的离心力，在晶片W的表面上朝向晶片W的周缘流动。由此，附着于晶片W的表面的SCl被DIW冲掉。
[0132]当从开始进行最终冲洗工序起经过预先决定的时间时，CPU55A关闭DIW阀27，停止向晶片W的表面供给DIW。然后，CPU55A驱动旋转驱动机构6，使晶片W的转速上升至规定的高转速(例如1500rpm?2500rpm)，进行甩出附着于晶片W的DIW来使该晶片W干燥的旋转干燥处理(步骤S7)。
[0133]通过步骤S7的旋转干燥处理，除去附着于晶片W的DIW。此外，在步骤S4的中间冲洗工序以及步骤S6的最终冲洗工序中，作为冲洗液，并不限定于DIW，还能够采用苏打水、电解离子水、臭氧水、还原水(含氢水)、磁水等。
[0134]当进行旋转干燥处理并进行预先决定的时间时，CPU55A驱动旋转驱动机构6，使晶片保持机构3停止旋转。由此，一个晶片W的抗蚀剂除去处理结束，通过中央机械手CR从处理室2搬出已处理的晶片W(步骤S8)。
[0135]如上所述，根据本实施方式，在步骤S31的SPM液膜形成工序、步骤S32的SPM液膜加热工序以及步骤S5的SCl供给和加热器加热工序这样的各工序中，根据晶片W的转速来调整加热器54的功率。因此，能够使加热器54的功率为与晶片W的表面上的处理液(SPM液或SCl)的液膜厚度对应的功率。由此，即使随着晶片W的转速变化而使处理液(SPM液或SCl)的液膜厚度发生变化，也不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使处理液(SPM液或SCl)的温度充分地上升。结果，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下对晶片W的表面进行良好的处理。
[0136]图12是示出本发明的第一实施方式的抗蚀剂除去处理的第二处理例的时序图。第二处理例与第一处理例的不同点在于，执行图12所示的步骤S33的SPM供给和加热器加热工序，来代替图8所示的步骤S3的SPM供给和加热器加热工序。其它工序与上述第一处理例相同，因此仅对第二处理例的步骤S33的SPM供给和加热器加热工序进行说明。
[0137]在步骤S33的SPM供给和加热器加热工序中，与第一处理例的步骤S3的SPM供给和加热器加热工序同样地，为了用SPM液的液膜覆盖晶片W的表面，从剥离液嘴4向晶片W的表面供给SPM液，且通过加热器54照射红外线，但是在照射红外线的整个期间内，持续从剥离液嘴4供给SPM液。这一点为步骤S33的SPM供给和加热器加热工序与图8所示的步骤S3的SPM供给和加热器加热工序不同的一点。
[0138]步骤S33的SPM供给和加热器加热工序与步骤S3的SPM供给和加热器加热工序同样地，使晶片W以比较大的速度(第四转速)旋转规定的时间(例如相当于第一处理例的SPM液供给时间)，然后，使晶片W以小于该速度的第五转速旋转规定的时间(例如相当于第一处理例的加热时间)。此外，第四转速为能够用SPM液覆盖晶片W的整个表面区域的速度，例如能够举例示出与上述第一转速同样的150rpm。
[0139]在第二处理例中，在晶片W的转速为比较大的第四转速时，加热器54的功率被控制为比较小的第四功率。当晶片W的转速为比较大的第四转速时，在晶片W的表面上形成比较薄的SPM液的液膜，但是第四功率为加热器54的如下功率，即，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜。
[0140]当晶片W的转速为比较小的第五转速(例如，15rpm以上)时，加热器54的功率被控制为大于第四功率的第五功率。当晶片W的转速变更为比较小的第五转速时，SPM液的液膜变得比原来厚。第五功率为加热器54的如下功率，即，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达保持在晶片W的表面上的SPM液的液膜中的边界附近的部分。
[0141]第五转速小于第四转速且大于上述第一处理例的第二转速。由此，在晶片W的表面上形成比第四转速时的SPM液的液膜厚的SPM液的液膜。例如需要第五转速是能够在晶片W的表面上保持SPM液的液膜的速度。
[0142]这样，即使在采用步骤S33的SPM供给和加热器加热工序的第二处理例中，也能够取得与在上述第一处理例中叙述的效果同样的效果。
[0143]图13是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置101的电气结构的框图。第二实施方式的计算机155与上述第一实施方式的计算机55的不同点在于，具有SPM液用的转速-加热器移动速度对应表55E来代替SPM液用的转速-加热器功率对应表55C，以及具有SCl用的转速-加热器移动速度对应表55G来代替SCl用的转速-加热器功率对应表55F。其它结构与上述