硼的硅；
[0090]所述多个栅极区包括重掺杂硼的多晶硅；
[0091]所述多个场板区包括重掺杂磷或砷的多晶硅；以及
[0092]所述多个场环区包括重掺杂磷或砷的外延硅。
[0093]概念5、根据前述概念的任一项所述的装置，其中，所述场板堆叠的深度大于所述栅极结构的深度。
[0094]概念6、根据前述概念的任一项所述的装置，其中，选择所述场板绝缘体区的厚度和所述场板区与所述场环区之间的接触面积，以便当漏极电压比夹断电压大时每个场板区浮置到不同的电位。
[0095]概念7、根据前述概念的任一项所述的装置，其中，所述多个场板区与所述漂移区肖特基接触，相比于欧姆接触提高了所述装置的击穿电压。
[0096]概念8、一种方法，包括:
[0097]形成中度掺杂第一类型掺杂剂的半导体层于重掺杂所述第一类型掺杂剂的半导体层上；
[0098]形成多个场板堆叠沟槽于轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中；
[0099]在中度掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、沿所述场板堆叠沟槽的侧壁形成重掺杂第二类型掺杂剂的半导体区；
[0100]在所述场板堆叠沟槽中形成第一介电层；
[0101]在所述场板堆叠沟槽中的所述第一介电层上形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的一部分接触重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区的第一部分；
[0102]在所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层上形成第二介电层；
[0103]在所述场板堆叠沟槽中的所述第二介电层上形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的一部分接触重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体层的第二部分；
[0104]在轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中形成多个栅极沟槽；
[0105]在所述栅极沟槽中形成介电层；
[0106]在所述栅极沟槽中的所述介电层上形成重掺杂所述第一类型掺杂剂的半导体层；
[0107]在中度掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、重掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层的对面、以及所述栅极沟槽中的所述介电层与沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区之间形成中度掺杂所述第二类型掺杂剂的半导体区；以及
[0108]在中度掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区中、轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层的对面、邻近所述栅极沟槽中的所述介电层形成重掺杂所述第一类型掺杂剂的半导体区，然而通过中度掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区，将其和沿着所述场板堆叠沟槽的所述侧壁的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区分开。
[0109]概念9、如概念8所述的方法，进一步包括:
[0110]在所述场板堆叠沟槽中、重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体层上形成第三介电层；以及
[0111]在所述场板堆叠沟槽中的所述第三介电层上形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第三半导体层，其中，所述第三半导体层的一部分接触重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区的第三部分。
[0112]概念10、根据概念9所述的方法，进一步包括:
[0113]在所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第三半导体层上形成第四介电层；以及
[0114]在所述场板堆叠沟槽中的所述第四介电层上形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第四半导体层。
[0115]概念11、根据概念8所述的方法，其中，在所述场板堆叠沟槽中形成所述第一介电层和所述第一半导体层包括:
[0116]在所述场板堆叠沟槽中生长第一介电层；
[0117]在所述场板堆叠沟槽中沉积重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层的部分；
[0118]回蚀刻所述场板堆叠沟槽中重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层的所述部分至第一预定厚度；
[0119]回蚀刻所述场板堆叠沟槽中的所述第一介电层，到所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层的所述部分的第一预定厚度；
[0120]在所述场板堆叠沟槽中沉积重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第二半导体的另外部分；以及
[0121]回蚀刻所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层的所述另外部分，到第二预定厚度，其中，所述第二厚度的、重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层的所述另外部分接触重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区的所述第一部分。
[0122]概念12、根据概念8所述的方法，其中，在轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区，包括沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁，倾斜注入所述第二类型掺杂剂到轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中。
[0123]概念13、根据概念8所述的方法，其中，在轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区，进一步包括:
[0124]在轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁、邻近所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层的部分形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第一半导体区；以及
[0125]在中度掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区中、沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁、邻近所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第二半导体层的所述部分形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第二半导体区。
[0126]概念14、根据概念13所述的方法，其中，在轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁形成重掺杂所述第一类型掺杂剂的第一半导体区，以及在中度掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区中、沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第二半导体区，包括:
[0127]从所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层中和所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第二半导体层中向外扩散所述第二类型掺杂剂。
[0128]概念15、一种装置，包括:
[0129]漏极区；
[0130]漂移区，设置在所述漏极区之上；
[0131]多个体，区设置在所述漂移区之上、与所述漏极区相对；
[0132]多个源极区，设置在所述多个体区之上、与所述漂移区相对，其中，所述多个源极区、所述多个体区以及所述漂移区邻近多个栅极结构；
[0133]所述多个栅极结构，其中每个栅极结构包括:
[0134]多个基本平行细长的栅极区，延伸穿过所述多个源极区和所述多个体区并部分地延伸到所述漂移区中；以及
[0135]多个栅极绝缘体区均设置在所述多个栅极区中的相应一个和所述多个源极区之间、所述多个体区和所述漂移区之间；
[0136]多个场板结构，其中，每个场板结构设置为穿过所述体区并延伸进所述漂移区中，其中每个栅极结构被设置在场板结构组之间，并且其中每个场板结构包括:
[0137]多个场板绝缘体区；
[0138]多个场板区，其中所述多个场板区被穿插在所述多个场板绝缘体区之间；以及
[0139]设置在所述多个场板区与所述邻近的漂移区之间的场环区，并且其中场板组被耦接到所述场环区。
[0140]概念16、根据概念15所述的装置，其中:
[0141]所述漏极区包括重η型掺杂的半导体；
[0142]所述漂移区包括中度η型掺杂的半导体；
[0143]所述多个体区包括中度ρ型掺杂的半导体；
[0144]所述多个源极区包括重η型掺杂的半导体；
[0145]所述多个场板区包括重P型掺杂的半导体；以及
[0146]所述多个场环区包括重ρ型掺杂的半导体。
[0147]概念17、根据概念15所述的装置，其中:
[0148]所述漏极区包括重ρ型掺杂的半导体；
[0149]所述漂移区包括中度ρ型掺杂的半导体；
[0150]所述多个体区包括中度η型掺杂的半导体；
[0151]所述多个源极区包括重P型掺杂的半导体；
[0152]所述多个场板区包括重η型掺杂的半导体；以及
[0153]所述多个场环区包括重η型掺杂的半导体。
[0154]概念18、根据概念15-17中任一项所述的装置，其中，所述多个场环区中的每一个均包括多个部分，其中所述场环区的两个或多个部分被耦接到相应的场板区。
[0155]概念19、根据概念15-18中任一项所述的装置，进一步包括:源极/体/场板接触设置在所述源极区、所述体区和所述多个场板区中的一个之上。
[0156]概念20、根据概念16中所述的装置，其中，所述多个场板区与所述漂移区肖特基接触，相比于欧姆接触提高了所述装置的击穿电压。。
[0157]概念21、一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括:
[0158]场板堆叠，包括:
[0159]多个场板绝缘体区；
[0160]多个场板区，其中所述多个场板区被穿插在所述多个场板绝缘体区之间；以及
[0161]场环区，其中每两个或更多个场板被耦接到所述场环区；
[0162]栅极结构，包括被栅极绝缘体区包围的栅极区；
[0163]源极区；
[0164]漂移区；
[0165]体区设置在所述栅极结构、所述源极区、所述漂移区和所述场环区之间。
[0166]概念22、根据概念21所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述场环区包括多个部分，其中所述场环区的两个或多个部分均耦接相应的场板区到所述体区的邻近部分。
[0167]概念23、根据概念21或22所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中:
[0168]所述漂移区包括中度掺杂磷或砷的外延硅；
[0169]所述多个体区包括中度掺杂硼的硅；
[0170]所述多个源极区包括重掺杂磷或砷的硅；
[0171]所述多个栅极区包括重掺杂磷或砷的多晶硅；
[0172]所述多个场板区包括重掺杂硼的多晶硅；以及
[0173]所述多个场环区包括重掺杂硼的外延硅。
[0174]概念24、根据概念21或22所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中:
[0175]所述漂移区包括中度掺杂硼的外延硅；
[0176]所述多个体区包括中度掺杂磷或砷的硅；
[0177]所述多个源极区包括重掺杂硼的硅；
[0178]所述多个栅极区包括重掺杂硼的多晶硅；
[0179]所述多个场板区包括重掺杂磷或砷的多晶硅；以及
[0180]所述多个场环区包括重掺杂磷或砷的外延晶硅。
[0181]概念25、根据概念21-24中任一项所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述场板堆叠的深度大于所述栅极结构的深度。
[0182]概念26、根据概念2