通过切换电流感应出的磁场来得以增强的stt-mram设计的制作方法_4

文档序号:9355424阅读:来源:国知局
软件实现,则功能可作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上。示例包括编码有数据结构的计算机可读介质和编码有计算机程序的计算机可读介质。计算机可读介质包括物理计算机存储介质。存储介质可以是能被计算机访问的可用介质。作为示例而非限定,此类计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或者能被用来存储指令或数据结构形式的合意程序代码且能被计算机访问的其他介质;如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘、以及蓝光碟,其中盘常常磁性地再现数据,而碟用激光光学地再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
[0071]除了存储在计算机可读介质上,指令和/或数据还可作为包括在通信装置中的传输介质上的信号来提供。例如,通信装置可包括具有指示指令和数据的信号的收发机。这些指令和数据被配置成使一个或多个处理器实现权利要求中叙述的功能。
[0072]尽管已详细描述了本公开及其优势,但是应当理解,可在本文中作出各种改变、替代和变更而不会脱离如由所附权利要求所定义的本公开的技术。例如,诸如“顶部”和“底部”之类的关系术语是关于基板或电子器件使用的。当然,如果该基板或电子器件被颠倒,则顶部变成底部,反之亦然。此外,如果侧向定向,则顶和底可以指侧面。而且,本申请的范围并非旨在被限定于说明书中所描述的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法和步骤的特定配置。如本领域的普通技术人员将容易从本公开领会到的,根据本公开,可以利用现存或今后开发的与本文所描述的相应配置执行基本相同的功能或实现基本相同结果的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此,所附权利要求旨在将这样的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤包括在其范围内。
【主权项】
1.一种存储器单元,包括: 多个磁性隧道结(MTJ)层,所述多个MTJ层包括固定层、自由层和位于所述固定层与所述自由层之间的壁皇层; 耦合到所述多个MTJ层中的第一 MTJ层的第一电极,所述第一电极包括从所述多个MTJ层横向延伸出的第一延长部分,所述第一延长部分被配置成将由MTJ切换电流所感应出的磁场的第一部分定向成穿过所述多个MTJ层;以及 耦合于所述多个MTJ层中的第二 MTJ层的第二电极,所述第二电极包括从所述多个MTJ层横向延伸出的第二延长部分,所述第二延长部分被配置成将由所述MTJ切换电流所感应出的磁场的第二部分定向成穿过所述多个MTJ层,所述磁场的所述第二部分与所述磁场的所述第一部分相加以增强穿过所述多个MTJ层的磁场。2.如权利要求1所述的存储器单元,其特征在于,包括: 耦合到从所述多个MTJ层偏移的所述第一延长部分的第一导电路径;以及耦合到从所述多个MTJ层偏移的所述第二延长部分的第二导电路径,所述第二导电路径与所述第一导电路径对齐。3.如权利要求1所述的存储器单元,其特征在于,所述多个MTJ层定义易轴,并且其中所述第一延长部分和所述第二延长部分被配置成感应出与所述多个MTJ层的所述易轴平行的磁场。4.如权利要求1所述的存储器单元,其特征在于,所述多个MTJ层定义易轴,并且其中所述第一延长部分和所述第二延长部分被配置成感应出与所述多个MTJ层的所述易轴垂直的磁场。5.如权利要求1所述的存储器单元,其特征在于,所述多个MTJ层定义易轴,并且其中所述第一延长部分和所述第二延长部分被配置成感应出与所述多个MTJ层的所述易轴成角度的磁场。6.如权利要求1所述的存储器单元,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极具有基本相同的图案。7.如权利要求1所述的存储器单元,其特征在于,所述存储器单元被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。8.一种构造磁性存储器单元的方法,包括: 图案化第一电极; 在所述第一电极上制造磁性隧道结(MTJ)以使得所述第一电极具有从所述MTJ横向延伸出的第一延长部分; 在所述MTJ上图案化第二电极以使得所述第二电极具有从所述MTJ横向延伸出的第二延长部分;以及 将所述第一延长部分和所述第二延长部分配置成将切换电流感应出的磁场的互为加性的部分定向成穿过所述MTJ。9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包括: 沉积耦合到所述第一电极的第一导电层;以及 沉积耦合到所述第二电极的第二导电层。10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,进一步包括: 将第一通孔耦合于所述第一导电层与所述第一电极之间;以及 将第二通孔耦合于所述第二导电层与所述第二电极之间。11.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包括: 定义关于所述MTJ的易轴;以及 配置所述第一延长部分和所述第二延长部分以感应出与所述MTJ的所述易轴平行的所述切换电流感应出的磁场。12.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包括: 定义关于所述MTJ的易轴;以及 配置所述第一延长部分和所述第二延长部分以感应出与所述MTJ的所述易轴垂直的所述切换电流感应出的磁场。13.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包括: 定义关于所述MTJ的易轴;以及 配置所述第一延长部分和所述第二延长部分以感应出与所述MTJ的所述易轴成角度的所述切换电流感应出的磁场。14.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极具有基本相同的图案。15.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包括:将所述磁性存储器单元集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。16.—种设备,包括: 具有多个层的用于磁性地存储电荷的装置,所述多个层包括固定层、自由层和位于所述固定层与所述自由层之间的壁皇层; 耦合到所述用于磁性地存储电荷的装置的所述多个层中的第一层的第一导电装置,所述第一导电装置包括从所述用于磁性地存储电荷的装置横向延伸出的用于定向磁场的第一装置,所述用于定向磁场的第一装置被配置成将由切换电流感应出的磁场的第一部分定向成穿过所述用于磁性地存储电荷的装置;以及 耦合到所述用于磁性地存储电荷的装置的所述多个层中的第二层的第二导电装置,所述第二导电装置包括从所述用于磁性地存储电荷的装置横向延伸出的用于定向磁场的第二装置,所述用于定向磁场的第二装置被配置成将由所述切换电流感应出的所述磁场的第二部分定向成穿过所述用于磁性地存储电荷的装置,所述磁场的所述第二部分与所述磁场的所述第一部分相加以增强穿过所述用于磁性地存储电荷的装置的磁场。17.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述第一导电装置和所述第二导电装置具有基本相同的图案。18.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述磁性存储器单元被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。19.一种构造磁性存储器单元的方法,包括以下步骤: 图案化第一电极; 在所述第一电极上制造磁性隧道结(MTJ)以使得所述第一电极具有从所述MTJ横向延伸出的第一延长部分; 在所述MTJ上图案化第二电极以使得所述第二电极具有从所述MTJ横向延伸出的第二延长部分;以及 将所述第一延长部分和所述第二延长部分配置成将切换电流感应出的磁场的互为加性的部分定向成穿过所述MTJ。20.如权利要求19所述的方法,其特征在于,进一步包括:将所述磁性存储器单元集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。
【专利摘要】一种存储器单元(200)包括耦合于磁性隧道结(MTJ)结构(210)的延长的第一电极(206)和耦合于该MTJ结构的与该延长的第一电极对齐的延长的第二电极(212)。这些延长的电极被配置成将切换电流感应出的磁场的互为加性的部分定向成穿过所述MTJ。所述互为加性的部分增强该MTJ响应于该切换电流的施加所作的切换。
【IPC分类】H01L43/08, H01L43/02, H01L43/12
【公开号】CN105074946
【申请号】CN201480009178
【发明人】W·H·夏, W·吴, K·H·袁, A·巴纳基, X·李, S·H·康, J·P·金
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2014年2月11日
【公告号】EP2959518A1, US20140231940, WO2014130301A1
当前第4页1 2 3 4 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1