等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。
【背景技术】
[0002]在半导体器件、平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。
[0003]在这样的等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。在利用等离子体处理装置进行等离子体处理时，在将基板载置于在被保持为真空的处理室内设置的载置台上的状态下，在处理室内生成规定的气体的等离子体而对基板实施等离子体处理。
[0004]在等离子体处理装置中，为了防止处理室内的处理区域中的等离子体进入到排气区域中而使排气路径、设置在排气路径上的构件产生放电，公知有如下一种技术:在处理室的内壁与载置台之间设置挡板并使挡板接地，在挡板的整个面上形成有冲孔、狭缝等开口部而确保通路(例如专利文献I)。
[0005]专利文献1:日本特开2010 - 238980号公报
【发明内容】
_6] 发明要解决的问题
[0007]另外，在这样的等离子体处理装置中，为了有效地吸引等离子体中的离子，有时对载置台施加高频偏压。在大型基板的等离子体处理中，需要使这样的高频偏压为高功率的，但是，若在对载置台施加高功率的高频电力的基础上使挡板接地，则有时会在形成于挡板的冲孔处产生辉光放电或使辉光放电四处转移(日文:動?回3 )这样的现象而使等离子体变得不稳定。
[0008]本发明是鉴于该情况而做出的，其课题在于，提供即使在像处理大型基板的情况那样对载置台施加高功率的高频电力的情况下也能够有效地防止在处理室内的不期望部分处产生放电、等离子体进入到排气区域的等离子体处理装置和应用于这样的等离子体处理装置的排气构造。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]为了解决所述问题，本发明的第I技术方案提供一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括:处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及多个分隔构件，其由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口(日文:間口)的方式分开地配置。
[0011]另外，本发明的第2技术方案提供一种排气构造，其是用于在等离子体处理装置中将供给到处理室的处理气体导向排气系统的排气构造，该等离子体处理装置包括:所述处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；所述排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；以及高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力，其特征在于，该排气构造具有多个分隔构件，该分隔构件由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置。
[0012]在所述第I技术方案和第2技术方案中，优选的是，该等离子体处理装置还在与所述分隔构件的高度位置不同的高度位置包括遮蔽构件，该遮蔽构件以在俯视时将所述豁口的至少一部分遮蔽的方式设置，该遮蔽构件由导电性材料构成且不具有开口部，并与接地电位相连接。优选的是，所述遮蔽构件设于所述分隔构件的下方位置，另外，优选的是，所述遮蔽构件以在俯视时将所述豁口全部遮蔽的方式设置。
[0013]能够将所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间。在该情况下，能够进行如下设置:所述处理室具有俯视形状为矩形形状的空间，使所述载置台的俯视形状呈矩形形状，将所述分隔构件以与所述载置台的各侧壁相对应的方式设置，使所述豁口形成于所述矩形形状的空间的角部。
[0014]另外，优选的是，所述等离子体生成机构具有高频天线，以便在所述处理区域中生成感应耦合等离子体。在该情况下，所述高频天线既可以隔着电介质窗设置在所述处理室的上部，也可以隔着金属窗设置在所述处理室的上部。
_5] 发明的效果
[0016]采用本发明，在载置面的下方位置设置多个分隔构件，该多个分隔构件由导电性材料构成且不具有开口部，用于将处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，将多个分隔构件与接地电位相连接，将相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。由此，使分隔构件作为偏压用高频电力的相对电极发挥功能，从而能够抑制等离子体进入到排气区域而在位于排气系统的排气路径上的构件处发生放电，并且，由于分隔构件不具有开口部，因此不易在处理室内产生不期望的放电。因此，能够使在处理区域中生成的等离子体在整体上稳定。
【附图说明】
[0017]图1是表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的剖视图。
[0018]图2是表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图。
[0019]图3是表示等离子体处理装置中的排气口的配置的另一例的水平剖视图。
[0020]图4是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置的剖视图。
[0021]图5是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图。
[0022]图6是表示本发明的另一实施方式的等离子体处理装置中的分隔构件与遮蔽构件之间的位置关系的立体图。
[0023]图7是表示实验例的结果的图。
【具体实施方式】
[0024]以下，参照【附图说明】本发明的实施方式。图1是表示本发明的一实施形态的等离子体处理装置的铅垂剖视图，图2是表示本发明的一实施方式的等离子体处理装置的水平剖视图。该等离子体处理装置构成为感应耦合等离子体处理装置，该感应耦合等离子体处理装置用于生成感应耦合等离子体，对例如FPD用玻璃基板那样的矩形基板进行蚀刻处理、灰化处理等感应耦合等离子体处理。
[0025]该等离子体处理装置具有由导电性材料、例如内壁面被阳极氧化处理后的铝构成的方筒形状的气密的主体容器I。该主体容器I以能够拆卸的方式组装起来并通过接地线Ia接地。主体容器I在上下方向上被电介质壁(电介质窗)2划分成天线室3和处理室4。电介质壁2构成处理室4的顶壁。电介质壁2由Al2O3等陶瓷、石英等构成。
[0026]在主