一种磁性合金粉末材料的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于功能材料领域，特别是指一种磁性合金粉末材料。
【背景技术】
[0002] 现有技术中，磁性材料特别是磁性材料被用作生产高频变压器、磁头等需要利用 磁性材料特性的产品。磁性材料是指同永磁材料相比具有消磁性能的磁性材料。现主要磁 性材料的生产基本以铁氧体材料来制备，这类铁氧体材料的主要特性是电阻率高，高频涡 流损耗小等优点。但该材料制备的磁性产品的饱和磁感应强度偏低，温度特性差，仅能使用 于温度低于100°C的范围，当温度超过这一范围时，其性能急剧下降甚至磁性消失，因此这 类材料不适合于高温条件下的应用。
[0003] 在金属冶炼过程中，要经过熔炼，冷却，再加工等过程，工序复杂，并且在每一工序 中均需要消耗大量的能量也有有害气体的产生，现已经有技术采用合金粉末压铸方式生产 合金产品，这样可以
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是通过对现有技术的改进，在保证磁性材料的温度特性和储磁性能 并能够提高这类磁性材料的消磁性能。
[0005] 本发明是通过以下技术方案实现的：
[0006] -种磁性合金粉末材料，所述磁性合金材料为FeCOMSiBTi基材，各成份组成按原 子百分含量（at% )包括：20-25的钴，1-3%的铝，1-3%的碲，3-5的M，8-12的硅，10-15的 硼，1-3的钛，其余为铁及少量不可避免的杂质；所述M为铜和铌、钼、钒、锆中一种或多种的 组合。
[0007] 所述铜的原子百分含量（at% )为0· 8-1. 2 ;所述铌、钼、钒、锆中一种或多种的组 合的原子百分含量（at% )为3-5。
[0008] 进一步改进，所述的M为铜和钒的组合。
[0009] 本发明的有益效果是：
[0010] 同现有技术相比，本磁性材料合金具有较好的高温特性和储磁性能，是用于制作 磁头的优选磁材料。
[0011] 进一步改进，所述的M为铜和钒的组合。
【具体实施方式】
[0012] 以下结合具体实施例以对本发明进行详细说明，在本申请中选用多组实施例并通 过对各实施例的检测得出各组分的性能。在本申请中共选用了 6组实施例。
[0013] -种磁性合金粉末材料，所述磁性合金材料为FeCOMSiBTi基材，各成份组成按原 子百分含量（at% )包括：20-25的钴，1-3%的铝，1-3%的碲，3-5的M，8-12的硅，10-15的 硼，1-3的钛，其余为铁及少量不可避免的杂质；所述M铜和铌、钼、钒、锆中一种或多种的组 合。
[0014] 所述铜的原子百分含量（at% )为0. 8-1. 2 ;所述铌、钼、钒、锆中一种或多种的组 合的原子百分含量（at% )为3-5。
[0015] 所述的M为铜和钒的组合。
[0016] 实施例的制备是在真空感应炉中进行熔炼，首先将炉内抽真空至10 3Pa以上，然 后充入1个大气压的氩气，熔炼是在采用氩气保护并经充分的电磁搅拌后浇铸成合金坯 体，再将坯体依需要进行加工成半成品，再经500-520°C和保温30分钟的晶化退火处理，然 后对产品测试。
[0017] 产品的测试试验
[0018] 磁导率Bs(T)的测量是在真空度为10 3Pa真空炉中进行，测量方式采用升温速率 为3. 5°C /分钟的线性升温测量。经过测定，本技术方案有很好的温度特性。
[0019] 实施例1-6的具体组成见表1
[0020] 本发明各实施例的组成成份（表1)单位原子百分比at%
[0023] 通过以上测量结果可以表明，本发明的技术方案同现有技术中大量增加钴含量的 磁性材料的性能相似，但成本大量降低。
【主权项】
1. 一种磁性合金粉末材料，其特征在于：所述磁性合金材料为FeCOMSiBTi基材，各成 份组成按原子百分含量（at% )包括：20-25的钴，1-3%的铝，1-3%的碲，3-5的M，8-12的 硅，10-15的硼，1-3的钛，其余为铁及少量不可避免的杂质；所述M铜和铌、钼、钒、锆中一种 或多种的组合。2. 根据权利要求1所述的磁性合金粉末材料，其特征在于：所述铜的原子百分含量 (at% )为0? 8-1. 2 ;所述铌、钼、钒、锆中一种或多种的组合的原子百分含量（at% )为3-5。3. 根据权利要求1所述的磁性合金粉末材料，其特征在于：所述的M为铜和钒的组合。
【专利摘要】本发明涉及一种磁性合金粉末材料，所述磁性合金材料为FeCOMSiBTi基材，各成份组成按原子百分含量(at％)包括：20-25的钴，3-5的M，8-12的硅，10-15的硼，1-3的钛，其余为铁及少量不可避免的杂质；所述M铜和铌、钼、钒、锆中一种或多种的组合。
【IPC分类】C22C30/00, H01F1/147, C22C38/60
【公开号】CN105118603
【申请号】CN201510567058
【发明人】杨雯雯
【申请人】杨雯雯
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年9月8日