件接合的介电区域110相关联的CTE的两倍的CTE。
[0066]尽管未示出，但衬底150可进一步经由衬底接触件(未示出)在电路板的表面处连接至电路板。此外或可选地，衬底150本身可以是电路板或者可以包括无源、有源或其他电路元件。
[0067]上述结构提供了卓越的三维互连能力。这些能力可被任何类型的芯片使用。仅通过示例，可以在上述结构中包括芯片的以下组合:(i)处理器和被处理器使用的存储器；(?)相同类型的多个存储芯片；(iii)不同类型的多个存储芯片，诸如DRAM和SRAM ; (iv)图像传感器和用于处理来自传感器的图像的图像处理器；(V)专用集成电路(“ASIC”)和存储器。上述结构可以在不同的电子系统的结构中使用。例如，根据本发明又一实施例的系统300包括上述结构306结合其他电子部件308和310。在所示示例中，部件308是半导体芯片，而部件310是显示屏，但是还可以使用任何其他部件。当然，尽管仅为了说明清楚而在图10中示出了两个附加部件，但该系统可包括任何数量的这些部件。例如，上述结构306例如可以为上面结合图1至图9讨论的微电子组件。结构306以及部件308和310被安装在公共壳体301 (以虚线示意性示出)并且根据需要相互电互连以形成期望的电路。在所示示例性系统中，系统包括电路板302 (诸如柔性印刷电路板)，而电路板包括多个导体304(在图10中仅示出一个，用于将部件相互互连)。然而，这仅仅是示例性的；可以使用用于进行电连接的任何适当的结构。壳体301被示为例如可在蜂窝电话或个人数字助理中使用的类型的便携式壳体，并且屏幕310在壳体的表面处露出。在结构306包括光敏元件(诸如成像芯片)的情况下，还可以设置用于将光传输至结构的透镜311或其他光学设备。再次，图10所示的简化系统仅仅是示例性的；可以使用上述结构制造其他系统，包括通常认为是固定结构的系统，诸如台式计算机、路由器等。
[0068]在不背离本发明的精神的情况下可以使用上述特性的这些和其他变型和组合，应该通过说明来进行优选实施例的描述而不用于限制权利要求所限定的本发明。
【主权项】
1.一种微电子组件，包括: 介电区域，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及多条迹线和多个接触件，所述多条迹线在平行于所述第一表面和所述第二表面的至少一个方向上延伸，所述多个接触件位于所述介电区域的所述第一表面处； 多个导电元件，耦合至所述迹线并在所述第二表面上方突出； 密封剂，在所述第二表面上方延伸，所述密封剂填充相邻导电元件之间的空间并具有上覆且背对所述第二表面的表面，其中所述导电元件的端部位于所述密封剂的表面处； 微电子元件，具有一面和位于所述面处的多个元件接触件，所述元件接触件面对并接合至所述多个接触件， 其中所述密封剂的热膨胀系数(CTE)不大于与所述介电区域或所述微电子元件中的至少一个相关联的CTE的两倍。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述密封剂是第一密封剂，所述微电子组件还包括: 第二密封剂，在所述第一表面上方延伸。3.根据权利要求2所述的微电子元件，其中所述第二密封剂的CTE等于所述第一密封剂的CTE。4.根据权利要求2所述的微电子组件，其中所述第一密封剂和所述第二密封剂密封所述介电区域。5.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述微电子元件包括在平行于所述第一表面的至少一个方向上隔开的至少两个微电子元件。6.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述介电区域包括第一介电材料的第一层和被配置为用作工艺停止层的不同介电材料的第二层。7.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述多个导电元件包括选自由焊料、锡、铟、铜、镍、金、共晶成分、非共晶成分和导电基质材料组成的组中的接合材料的至少一块。8.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述多个导电元件包括具有主要由选自铜、铜合金、镍和镍合金的至少一种金属组成的至少一个核心的多个金属柱，所述柱具有高于300 °C的熔化温度。9.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括电路板，其中所述多个导电元件与位于所述电路板的表面处的对应接触件接合。10.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述介电层选自由后段制程(BEOL)层和再分布层(RDL)组成的组。11.一种系统，包括根据权利要求1所述的微电子组件以及电连接至结构的一个或多个其他电子部件。12.根据权利要求11所述的系统，还包括壳体，所述微电子组件和所述其他电子部件安装有所述壳体。13.—种中介片，包括: 介电区域，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及多条迹线和多个接触件，所述多条迹线在平行于所述第一表面和所述第二表面的至少一个方向上延伸，所述多个接触件位于所述介电区域的所述第一表面处； 多个导电元件，耦合至所述迹线并在所述第二表面上方突出； 密封剂，在所述第二表面上方延伸，所述密封剂填充相邻导电元件之间的空间并具有上覆且背对所述第二表面的表面，其中所述导电元件的端部位于所述密封剂的表面处， 其中所述密封剂的热膨胀系数(CTE)不大于与至少所述介电区域或微电子元件相关联的CTE的两倍，所述微电子元件具有被配置用于与所述第一表面处的接触件的倒装连接的接触件。14.根据权利要求13所述的中介片，其中所述第二密封剂的CTE等于所述第一密封剂的 CTE。15.根据权利要求13所述的中介片，其中所述介电区域包括第一介电材料的第一层和被配置为用作工艺停止层的不同介电材料的第二层。16.根据权利要求13所述的中介片，其中所述多个导电元件包括选自由焊料、锡、铟、铜、镍、金、共晶成分、非共晶成分和导电基质材料组成的组中的接合材料的至少一块。17.根据权利要求13所述的中介片，其中所述多个导电元件包括具有主要由选自铜、铜合金、镍和镍合金的至少一种金属组成的至少一个核心的多个金属柱，所述柱具有高于300 °C的熔化温度。18.根据权利要求13所述的中介片，其中所述介电层选自由后段制程(BEOL)层和再分布层(RDL)组成的组。19.一种制造微电子组件的方法，包括: 形成填充设置在支持结构上的介电区域的第二表面上方向上突出的相邻导电元件之间的空间，其中与所述导电元件电连接的多条迹线在平行于第一表面和所述第二表面的至少一个方向上延伸，所述密封剂具有上覆且背对所述第二表面的表面，其中所述导电元件的端部位于所述密封剂的表面处； 在朝向所述介电区域的第一表面的方向上去除所述支持结构的厚度的至少一部分； 组装具有一面和位于所述面处的多个元件接触件的微电子元件，使得所述元件接触件面对并接合至所述多个接触件， 其中所述密封剂的热膨胀系数(CTE)不大于与所述介电区域或所述微电子元件中的至少一个相关联的CTE的两倍。20.根据权利要求19所述的方法，还包括: 在组装所述微电子元件之后，去除所述密封剂的表面处的所述密封剂的一部分，从而去除所述密封剂的表面处的导电元件的部分。21.根据权利要求19所述的方法，还包括: 在去除所述密封剂的一部分之后，将多个接合元件附接至所述表面处的导电元件的部分，所述接合元件被配置为与第二部件的表面处的多个接触件接合。22.根据权利要求19所述的方法，其中所述密封剂是第一密封剂，所述方法还包括形成第二密封剂，所述第二密封剂在所述第一表面上方延伸，所述第二密封剂的CTE等于所述第一密封剂的CTE。23.根据权利要求19所述的方法，还包括: 在组装具有所述介电区域的所述微电子元件之后，在所述微电子元件与所述介电区域的第一表面相对的表面处研磨所述微电子元件，以去除所述微电子元件的厚度的至少一部分。24.根据权利要求19所述的方法，其中所述微电子元件包括多个微电子元件。25.根据权利要求19所述的方法，还包括: 将所述多个导电元件与电路板的表面处的对应接触件接合。26.根据权利要求19所述的方法，其中集成地形成所述支持结构和所述介电区域。27.根据权利要求19所述的方法，其中所述支持结构主要由第一材料组成，并且所述介电区域主要由第二材料组成。28.根据权利要求19所述的方法，还包括: 沉积工艺停止层；以及 利用所述工艺停止层停止去除工艺。
【专利摘要】提供了一种微电子组件，包括介电区域、多个导电元件、密封剂和微电子元件。密封剂的热膨胀系数(CTE)可以不大于与介电区域或微电子元件中的至少一个相关联的CTE的两倍。
【IPC分类】H01L23/498, H01L23/31, H01L23/48, H01L21/48, H01L21/56
【公开号】CN105122445
【申请号】CN201480022444
【发明人】C·沃伊奇克, C·E·尤佐, M·纽曼, T·卡斯基
【申请人】伊文萨思公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2014年3月14日
【公告号】US8884427, US20140264794, US20150044820, WO2014152756A1