体的截面视图；
图19示出根据第五实施例的由模制主体产生的光电组件的截面视图。
【具体实施方式】
[0030]图1在示意性的截面表示中示出载体100。载体100可以例如以晶片的形式被配置为薄盘。载体100可以例如由硅构成。然而，载体100也可以由金属或另外的材料构成。
[0031]载体100具有载体表面110。载体表面110被横向地结构化，并且具有第一横向区段111和第二横向区段112。第一横向区段111相对于第二横向区段112在与载体表面110垂直的方向上抬升。载体表面110的抬升的第一横向区段111与下陷的第二横向区段112之间的高度差可以在与载体表面110垂直的方向上处于例如几微米和几毫米之间。
[0032]在所表示的示例中，载体100的结构化的载体表面110在第一横向区段111中具有类似岛的升高(elevat1n)，其中的每一个由下陷的第二横向区段112包围。在载体表面110的平面中，可以例如以圆形盘的形状来形成类似岛的第一横向区段111。各个第一横向区段111可以例如被布置在载体表面110的横向方向上的六边形晶格的节点处。然而，载体100的载体表面110可以以另一方式被再分为抬升的第一横向区段111和下陷的第二横向区段112。
[0033]图2示出接在图1的表示之后的方法阶段中的示意性截面表示中的载体100。粘接层120已经被应用在载体100的载体表面110上。粘接层120既在载体表面110的第一横向区段111之上又在载体表面110的第二横向区段112之上延伸。
[0034]粘接层120可以例如被形成为在一侧上具有可热分离的粘接层并且在另一侧上具有常规的粘接层的膜。可热分离的粘接层然后优选地朝向载体100的载体表面110。粘接层120也可以是可以被热分离的粘接的形式，其可以通过暴露于光(例如UV光)而被分离，可以通过湿法化学处理而被分离，或者可以通过激光处理而被分离。粘接层120的粘接也可以是通过施加剪切力或张力而可分离的。
[0035]粘接层120可以已经通过乳制或借助于真空或气体压力而被层叠到载体100的载体表面110上。粘接层120也可以已经通过旋转涂覆而得以喷涂或应用到载体100的载体表面110上。粘接层120可以已经通过化学或物理气相沉积而被布置在载体表面110上。通过印刷、压印、分配、喷射或另外的方法来应用粘接层120也是可能的。
[0036]图3示出在进一步的稍后的方法阶段中的具有被布置在载体表面110上的粘接层120的载体100。光电半导体芯片200已经被布置在载体表面110的第一横向区段111上。在所表不的不例中，光电半导体芯片200被布置在载体表面110的每个第一横向区段111中。
[0037]光电半导体芯片200的每个具有第一表面210和与第一表面210相对的第二表面220。每个光电半导体芯片200的第一表面210朝向载体100的载体表面110，并且因此与粘接层120接触。
[0038]光电半导体芯片200可以例如是发光二极管芯片、激光器芯片或光伏芯片。如果光电半导体芯片200是发光二极管芯片(LED芯片)，则那么每个光电半导体芯片200的第一表面210可以是发光表面。
[0039]光电半导体芯片200可以例如已经借助于拾放方法以自动化的方式被布置在载体100的载体表面110上。这种情况下，可以已经借助于图像识别来检测载体表面100的第一横向区段111的轮廓，以便例如在第一横向区段111中居中地布置光电半导体芯片200。然而，替代居中布置，光电半导体芯片200也可以已经在第一横向区段111中的任何其它想要的位置处被放置在载体表面110上。
[0040]图4示出具有布置在载体表面110上的光电半导体芯片200的载体100的另一截面表示。在图4的表示中，截面平面与图3的表示的截面平面垂直地延伸。
[0041]在载体表面110的第一横向区段111中，导电管脚250在载体表面110上被布置在光电半导体芯片200旁边。在每个横向区段111中，导电管脚250被布置在光电半导体芯片200旁边。然而，两个导电管脚250也可以在每个第一横向区段111中被布置在光电半导体200旁边。
[0042]导电管脚250由导电材料构成。导电管脚250可以例如由金属或被掺杂的半导体材料构成。光电半导体芯片200和导电管脚250彼此分离，并且因此彼此电绝缘。
[0043]导电管脚250在与载体表面110垂直的方向上具有例如与光电半导体芯片200相同的厚度。可以以任何想要的方式来选择导电管脚250的几何形状的其余部分。导电管脚250也可以一般地被提及为导电元件。
[0044]图5示出在随后的方法阶段中的载体100的另一截面表示。在此情况下的截面沿着与图3的表示中相同的平面延伸。
[0045]模制主体300已经被形成在载体100的载体表面110上。优选地已经通过注入模制处理以及注入压缩模制处理或另外的模制处理来形成模制主体300。可以优选地在层叠设备或用于压缩、转印或注入模制的设备中执行模制主体300的生产。模制主体300由电绝缘模制材料构成。例如，模制主体300可以由基于环氧化物的材料构成。
[0046]模制主体300具有上侧310以及与上侧310相对的下侧320。模制主体300的表面310朝向载体100的载体表面310，并且因此与粘接层120接触。结构化的载体表面110的结构已经被作为阴模(negative)转印到模制主体300的上侧310上。以此方式，模制主体300的上侧310也在横向方向上被结构化，并且具有第一横向区段311和第二横向区段312。上侧310的第二横向区段312相对于第一横向区段311抬升。已经在载体100的载体表面110的第一横向区段111之上形成模制主体300的上侧310的第一横向区段311。已经在载体100的载体表面310的第二横向区段112之下形成模制主体300的上侧310的第二横向区段312。
[0047]图5中不可见的光电半导体芯片200和导电管脚250被至少部分地嵌入到模制主体300中。每个光电半导体芯片200的第一表面210在此情况下与模制主体300的第一横向区段311中的上侧310齐平，并且因此可接入到模制主体300的上侧310上。对应地，模制主体300的上侧310的第一横向区段311中的导电管脚250也是可接入的。
[0048]在随后处理步骤中，模制主体300可以已经与载体100的载体表面110分离，如在图6中示意性地表示的那样。为此，模制主体300和载体100的载体表面110与粘接层120分离。优选地，粘接层120最初与载体100的载体表面110分离，并且保留在模制主体300上。粘接层120随后与模制主体300分离。可以例如通过加热粘接层120、通过将粘接层120暴露于UV光、将粘接层120暴露于激光束，利用湿法化学方法来处理粘接层120或者通过施加剪切力或张力来执行载体100的载体表面110与粘接层120的分离。可以随后清洁模制主体300的上侧310，以便移除保留在模制主体300的上侧310上的粘接层120的残留物。然而，这样的清洁步骤也可以是不必要的，并且然后被省略。
[0049]图7示出在已经执行进一步的处理步骤之后的模制主体300。首先，通过以光电半导体芯片200的第二表面220变得可接入到所得到的接地下侧325上这样的方式进行研磨来部分地移除模制主体300的下侧320。光电半导体芯片200的第二表面220与模制主体300的接地下侧325齐平。对应地，导电管脚250也可接入到模制主体300的接地下侧325上，并且与模制主体300的接地下侧325齐平。导电管脚250由此分别在模制主体300的上侧310与模制主体300的接地下侧325之间提供导电连接。
[0050]在研磨模制主体300之后，金属化330被布置在模制主体300的接地下侧325上，并且借助于平版印刷方法被结构化。金属化330的导电区段分别与每个光电芯片200的第二表面220上的电接触表面导电接触。
[0051]在下面更详细地解释的进一步的处理步骤之后，模制主体300被沿着图7中所指示的分离区域301而分割。可以例如通过锯切来执行模制主体300的分割。以每个第一横向区段311与模制主体300的上侧310的所有其它第一横向区段311分离这样的方式，分离区域301与模制主体300的上侧310垂直地延伸通过模制主体300的上侧310的第二横向区段312。
[0052]图8示出根据第一实施例的得自于模制主体300的分割的光电组件10的示意性截面表示。可能的是，通过模制主体300的分割来获得多个这样的光电组件10。
[0053]模制主体300的上侧310的下陷的第一横向区段311形成腔体340，其由模制主体300的上侧310的抬升的第二横向区段312的各部分横向地定界。这些边界形成腔体340的壁341。在所表示的示例中，壁341形成为斜面，从而腔体340具有锥形截头的形状。在腔体340的由下陷的第一横向区段311形成的底部，光电半导体芯片200的第一表面210是可接入的。在光电组件10的实施例中，光电半导体芯片200优选地是通过第一表面210发射电磁福射(例如可见光)的LED芯片。
[0054]光电组件10的腔体340可以被填充有导致由光电半导体芯片200发射的电磁辐射的波长的转换的材料。在通过分割模制主体300来将该光电组件10与其它光电组件10分离之前，该材料已经优选地在图7中示出的方法阶段中被引入到腔体340中。这使得有可能在共有的工作步骤中同时填充所有光电组件10的腔体340。
[0055]腔体340中所布置的材料可以例如包括填充有波长转换颗粒的光学透明的硅树月旨。材料中所包含的颗粒也可以在光电半导体芯片200的第一表面210的方向上沉淀在腔体340中。当光电组件10被配置用于高功率时，这是尤其有利的。
[0056]如果不想要进行波长转换，则那么腔体340可以仅被填充有光学上透明的材料(例如填充有硅树脂)，以便保护光电半导体芯片和可选地连接到光电半导体芯片200的键合布线(参见以下)。替代填充有波长转换颗粒，腔体340中所布置的材料也可以仅被填充有光散射颗粒。这些颗粒可以被用于光混合。
[0057]图9不出根据第一实施例的通过光电组件10的与图8的表不垂直的截面。图10示出第一实施例的