半导体器件直边导电部分的剖面结构，也即图1所示版图沿AA’方向的剖面结构，其结构与图2所示的结构基本相同，区别仅在于埋层5A采用线性变掺杂结构，也即埋层5A的不同区域具有不同的掺杂类型，而且不同的区域之间可以分隔。
[0101]相应地，直边连接部分、漏极指头尖倒角部分、源极指头尖倒角部分的埋层5A、5B中的一个或多个也可以采用类似的线性变掺杂结构。
[0102]需要说明的是，上述其他多个实施例中的埋层5A、埋层5B也可以采用线性变掺杂结构，并不限于第四实施例。
[0103]应该理解到的是上述实施例只是对本发明的说明，而不是对本发明的限制，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，包括但不限于对局部构造的变更、对元器件的类型或型号的替换，以及其他非实质性的替换或修改，均落入本发明保护范围之内。
【主权项】
1.一种复合高压半导体器件，其特征在于，所述复合高压半导体器件的版图包括沿直线排布的直边部分，所述直边部分设置有增强型器件，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件包括: 半导体衬底； 并列地位于所述半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱，所述第一高压阱和第二高压阱具有第一掺杂类型； 第一场氧化层，位于所述第一高压阱内； 第一漏极欧姆接触区，位于所述第一场氧化层第一侧的第一高压阱内，所述第一漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型或第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反； 第一源极欧姆接触区，位于所述第二高压阱内，所述第一源极欧姆接触区具有第一掺杂类型； 第一栅极，至少覆盖所述第一源极欧姆接触区和所述第一场氧化层第二侧之间的半导体衬底，所述第一场氧化层的第一侧远离所述第二高压阱，所述第一场氧化层的第二侧靠近所述第二高压阱。2.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第二高压阱的掺杂浓度小于所述第一高压阱的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件还包括: 第一低压阱，位于所述第二高压阱内，所述第一低压阱具有第二掺杂类型，所述第一源极欧姆接触区位于所述第一低压阱内。4.根据权利要求3所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件还包括: 第二掺杂类型的第一埋层，位于所述第一高压阱内； 第二掺杂类型的第二埋层，位于所述第一低压阱下方的第二高压阱内。5.根据权利要求4所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述直边部分包括多个直边导电部分和多个直边连接部分，所述直边导电部分和直边连接部分相互间隔，其中， 在所述直边导电部分内，所述第一埋层和第二埋层之间存在间隔； 在所述直边连接部分内，所述第一埋层和第二埋层相接。6.根据权利要求5所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一低压阱内还具有体接触区，所述直边连接部分内的第一埋层和第二埋层通过所述体接触区连接至地电位。7.根据权利要求5所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一栅极仅在所述直边连接部分内通过互连线引出，而在所述直边导电部分内不引出。8.根据权利要求5所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一埋层和/或第二埋层为线性变掺杂结构。9.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一高压阱的深度大于所述第二高压阱的深度。10.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述高压半导体器件的版图还包括弯曲排布的漏指头尖倒角部分，所述漏指头尖倒角部分与所述直边部分相接，所述漏指头尖倒角部分设置有耗尽型器件。11.根据权利要求10所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述漏指头尖倒角部分的剖面方向上，所述耗尽型器件包括: 所述半导体衬底； 并列地位于所述半导体衬底内的第三高压阱和第四高压阱，所述第三高压阱和第四高压阱具有第一掺杂类型； 第二场氧化层，位于所述第三高压阱内； 第二漏极欧姆接触区，位于所述第二场氧化层第一侧的第三高压阱内，所述第二漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型，所述第二场氧化层的第一侧为远离所述第四高压阱的一侧； 第二低压阱，位于所述第四高压阱内，所述第二低压阱具有第二掺杂类型，所述第二低压阱作为JFET器件的栅极； 第三低压阱，与所述第二低压阱并列地位于所述第四高压阱内，所述第三低压阱具有第一掺杂类型； JFET欧姆接触区，位于所述第三低压阱内，所述JFET欧姆接触区作为所述JFET器件的源极； 其中，所述第四高压阱的掺杂浓度小于所述第三高压阱的掺杂浓度。12.根据权利要求11所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述漏指头尖倒角部分的剖面方向上，所述耗尽型器件还包括: 第二掺杂类型的第三埋层，位于所述第三高压阱内； 第二掺杂类型的第四埋层，位于所述第二低压阱下方的第四高压阱内。13.根据权利要求10所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述增强型器件和耗尽型器件共用漏极。14.根据权利要求10所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第三高压阱的深度大于所述第四高压阱的深度。15.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述高压半导体器件的版图还包括弯曲排布的源指头尖倒角部分，所述源指头尖倒角部分与所述直边部分相接，所述源指头尖倒角部分设置有增强型器件，在所述源指头尖倒角部分的剖面方向上，所述增强型器件包括: 所述半导体衬底； 位于所述半导体衬底内的第五高压阱，所述第五高压阱具有第一掺杂类型，所述第五高压阱包括相接的第一区域和第二区域，所述第二区域的掺杂浓度小于第一区域的掺杂浓度； 第三场氧化层，位于所述第五高压阱内； 第四低压阱，与所述第五高压阱并列地位于所述半导体衬底内； 第三漏极欧姆接触区，位于所述第一场氧化层第一侧的第五高压阱的第一区域内，所述第三漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型或第二掺杂类型； 第二源极欧姆接触区，位于所述第四低压阱内，所述第二源极欧姆接触区具有第一掺杂类型； 第二栅极，至少覆盖所述第二源极欧姆接触区和所述第三场氧化层第二侧之间的半导体衬底，所述第三场氧化层的第一侧远离所述第四低压阱，所述第三场氧化层的第二侧靠近所述第四低压阱。16.根据权利要求15所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述源指头尖倒角部分的剖面方向上，所述增强型器件还包括: 第二掺杂类型的第五埋层，位于所述第五高压阱的第一区域内； 第二掺杂类型的第六埋层，位于所述第四低压阱下方的半导体衬底内。17.根据权利要求15所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一区域的深度大于所述第二区域的深度。
【专利摘要】本发明提供了一种复合高压半导体器件，其版图包括沿直线排布的直边部分，直边部分设置有增强型器件，增强型器件包括：半导体衬底；并列地位于半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱；第一场氧化层，位于第一高压阱内；第一漏极欧姆接触区，位于第一场氧化层第一侧的第一高压阱内；第一源极欧姆接触区，位于第二高压阱内；第一栅极，至少覆盖第一源极欧姆接触区和第一场氧化层第二侧之间的半导体衬底，第一场氧化层的第一侧远离第二高压阱，第一场氧化层的第二侧靠近第二高压阱；其中，第二高压阱的掺杂浓度小于第一高压阱的掺杂浓度。本发明有利于提高器件的可靠性。
【IPC分类】H01L29/06, H01L29/78, H01L29/36, H01L29/739
【公开号】CN105185834
【申请号】CN201510679020
【发明人】姚国亮, 张邵华, 吴建兴
【申请人】杭州士兰微电子股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年10月19日