， 在所述半导体结构的顶表面上形成导电触点还包括: 在所述触点窗中沉积金属层以形成用于所述光子器件的导电触点。53.如权利要求52所述的方法，其中， 所述金属层是至少部分地由Au形成。54.如权利要求52所述的方法，其中， 所述金属层延伸超越所述触点窗到所述保护层上以密封住所述触点窗。55.如权利要求38所述的方法，还包括: 在与所述半导体结构相反的所述基板的底表面上沉积金属层以形成用于所述光子器件的导电触点。56.如权利要求38所述的方法，其中， 单片化所述基板包括: 沿着形成于所述基板中的单片化边沿来单片化所述光子器件。57.如权利要求56所述的方法，其中， 所述保护层覆盖延伸到所述单片化边沿的所述基板的露出的部分。58.一种光子器件，包括: 基板； 在所述基板上的半导体结构，所述半导体结构包括: 有源层；以及 至少一个蚀刻小面，定义包括所述有源层的所述半导体结构的至少一个侧面；以及介电材料或金属材料的保护层，覆盖在所述至少一个蚀刻小面处的所述有源层的750nm之内的所述半导体结构的所有表面； 其中，所述光子器件是脊形激光器。59.如权利要求58所述的光子器件，还包括: 在所述半导体结构上的导电触点。60.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板是InP。61.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板是GaAs。62.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板是GaN。63.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述保护层是由二氧化硅形成。64.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述脊形激光器包括具有顶表面和多个侧面的脊以及位于所述脊顶表面处的触点窗，以及 其中，所述保护层完全覆盖除所述触点窗之外的所述脊顶表面和侧面中的每一个。65.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述基板具有离所述至少一个蚀刻小面不小于约750nm的单片化边沿，以及 其中，所述保护层完全覆盖在所述至少一个蚀刻小面和所述单片化边沿之间的所述基板。66.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述保护层完全覆盖横向地延伸越过所述至少一个侧面的所述半导体结构的一部分的顶表面。67.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述半导体结构还包括: 位于所述有源层之上的顶表面；以及 位于所述有源层之下的被覆区。68.如权利要求67所述的光子器件，还包括: 位于所述有源层之上的第二被覆区。69.如权利要求68所述的光子器件，还包括: 位于所述第二被覆区之上的覆盖层；以及 在所述半导体结构的所述顶表面上由所述保护层定义的触点窗，所述触点窗露出在所述半导体结构的所述顶表面上的所述覆盖层的至少一部分。70.如权利要求69所述的光子器件，还包括: 至少部分地形成于所述覆盖层的所述露出的部分上的导电触点。71.如权利要求70所述的光子器件，其中， 所述导电完全覆盖所述触点窗并且延伸到所述保护层之上以完全密封住所述触点窗。72.如权利要求69所述的光子器件，其中， 所述触点窗与所述半导体结构的所述至少一个侧面隔开并且并不延伸到所述至少一个侧面。73.如权利要求58所述的光子器件，还包括: 导电触点，形成于与所述半导体结构相反的所述基板的底表面上。74.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述半导体结构进一步包括: 至少一个蚀刻壁，定义所述半导体结构的其余侧面。75.如权利要求74所述的光子器件，其中， 所述侧面形成于包括所述有源层的所述半导体结构的第一部分上，并且所述半导体结构的第二部分横向地延伸越过所述侧面。76.如权利要求58所述的光子器件，其中， 所述保护层是沉积的介电材料的单一连续层。77.如权利要求76所述的光子器件，其中， 所述沉积的介电材料的单一连续层也在所述基板上延伸并且覆盖在所述至少一个蚀刻小面的750nm之内的所述基板的所有表面。78.一种封装的光子器件，包括: 基板； 在所述基板上的半导体结构，所述半导体结构包括: 有源层；以及 至少一个蚀刻小面，定义包括所述有源层的所述半导体结构的至少一个侧面； 在所述半导体结构上的导电触点； 介电材料或金属材料的保护层，覆盖在所述至少一个蚀刻小面处的所述有源层的750nm之内的所述半导体结构的所有表面；以及电连接到所述导电触点的非密封的封装。79.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述封装的光子器件是激光器。80.如权利要求79所述的封装的光子器件，其中， 所述激光器是脊形激光器，包括具有顶表面和多个侧面的脊以及位于所述脊顶表面处的触点窗，以及 其中，所述保护层完全覆盖除所述触点窗之外的所述脊顶表面和侧面中的每一个。81.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述封装的光子器件是电吸附调制器。82.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述封装的光子器件是半导体光学放大器。83.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述基板是由下列之一形成的:InP ；GaAs ;和GaN。84.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述保护层是由二氧化硅形成。85.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述基板具有离所述至少一个蚀刻小面不小于约750nm的单片化边沿，以及 其中，所述保护层完全覆盖在所述至少一个蚀刻小面和所述单片化边沿之间的所述基板。86.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述保护层完全覆盖横向地延伸越过所述至少一个侧面的所述半导体结构的一部分的顶表面。87.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述半导体结构还包括: 位于所述有源层之上的顶表面；以及 位于所述有源层之下的被覆区。88.如权利要求87所述的封装的光子器件，还包括: 位于所述有源层之上的第二被覆区。89.如权利要求88所述的封装的光子器件，还包括: 位于所述第二被覆区之上的覆盖层；以及 在所述半导体结构的所述顶表面上由所述保护层定义的触点窗，所述触点窗露出在所述半导体结构的所述顶表面上的所述覆盖层的至少一部分。90.如权利要求89所述的封装的光子器件，其中， 所述导电触点是至少部分地形成于所述覆盖层的所述露出的部分上的。91.如权利要求90所述的封装的光子器件，其中， 所述导电触点完全覆盖所述触点窗并且延伸到所述保护层之上以完全密封住所述触点窗。92.如权利要求89所述的封装的光子器件，其中， 所述触点窗与所述半导体结构的所述至少一个侧面隔开并且并不延伸到所述至少一个侧面。93.如权利要求78所述的封装的光子器件，还包括: 导电触点，形成于与所述半导体结构相反的所述基板的底表面上。94.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述半导体结构还包括: 至少一个蚀刻壁，定义所述半导体结构的其余侧面。95.如权利要求94所述的封装的光子器件，其中， 所述侧面形成于包括所述有源层的所述半导体结构的第一部分上，并且所述半导体结构的第二部分横向地延伸越过所述侧面。96.如权利要求78所述的封装的光子器件，其中， 所述保护层是沉积的介电材料的单一连续层。97.如权利要求96所述的封装的光子器件，其中， 所述沉积的介电材料的单一连续层也在所述基板上延伸并且覆盖在所述至少一个蚀刻小面的750nm之内的所述基板的所有表面。
【专利摘要】本发明公开了高可靠性的蚀刻小面光子器件。半导体光子器件表面被覆盖以电介质或金属保护层。保护层覆盖整个器件，包括在有源区小面附近的区域，以保护裸露或未经保护的半导体区，由此形成非常高可靠性蚀刻小面的光子器件。
【IPC分类】H01S5/22, H01S5/028
【公开号】CN105207053
【申请号】CN201510541116
【发明人】A·A·贝希尔
【申请人】宾奥普迪克斯股份有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2006年2月17日
【公告号】CN101160699A, EP1854189A2, EP1854189A4, EP1854189B1, US8787419, US20060187985, US20140286368, US20140286370, US20140287544, US20140287545, WO2006089128A2, WO2006089128A3